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        電子科技大學專利技術(shù)

        電子科技大學共有34796項專利

        • 一種降低尖晶石鐵氧體薄膜材料退火溫度的制備方法,屬于信息材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在基片上制備尖晶石結(jié)構(gòu)鐵氧體薄膜之前,先在基片上制備一層Fe↓[3]O↓[4]緩沖層薄膜,在對尖晶石結(jié)構(gòu)鐵氧體薄膜進行退火晶化處理時,利用Fe↓[3]O↓[4]...
        • 一種高溫加熱的真空蒸發(fā)鍍膜裝置,屬于電子機械技術(shù)領(lǐng)域,本發(fā)明包括鐘罩、基片夾和設(shè)置在基座上的蒸發(fā)室,所述蒸發(fā)室內(nèi)設(shè)置有加熱裝置,所述基片夾、蒸發(fā)室和加熱裝置為至少兩組;各基片夾安裝在基片夾基座上;還包括驅(qū)動基片夾基座與基座相對升降、旋轉(zhuǎn)...
        • 本發(fā)明公開了一種氮化鋁壓電薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:步驟①:清潔基片,以鋁作為靶材;步驟②:將基片送入磁控濺射機;步驟③:使用射頻磁控濺射方法沉積具有壓應(yīng)力或者張應(yīng)力的氮化鋁多晶薄膜;步驟④:使用射頻磁控濺射方法在步驟③...
        • 本發(fā)明提供一種大塊釓基復合非晶磁致冷材料及其制備方法,屬于金屬材料技術(shù)領(lǐng)域。大塊釓基復合非晶磁致冷材料的化學通式為:Gd↓[60]Co↓[26]Al↓[14-x]Ge↓[x],其中,0<x≤10。其主體材料為由Gd、Co、Al和Ge熔融...
        • 本發(fā)明提供一種大塊稀土釓基復合非晶材料及其制備方法,屬于金屬材料技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所述大塊稀土釓基復合非晶材料的化學通式為:Gd↓[55]Co↓[15]Al↓[30-x]Ge↓[x],其中,0<x≤10。其主體材料為由Gd、Co、Al和G...
        • 本新型公開一種連續(xù)式微波焙燒礦物設(shè)備,它是由多臺微波焙燒爐串聯(lián)后組成的系統(tǒng)構(gòu)成,每個微波焙燒爐由微波功率源、微波傳輸系統(tǒng)、微波焙燒爐體組成。微波焙燒爐體由爐腔、爐門5、混合抗流器3、波導法蘭6、抽風口7、滾軸11、保溫隔熱層12和機架9...
        • 本發(fā)明公開一種微波預處理包裹型復合鉑鈀礦技術(shù),它是將大功率微波能通過由大功率環(huán)行器、銷釘調(diào)配器、波導組成的微波傳輸系統(tǒng)對爐體內(nèi)的包裹型復合鉑鈀礦加熱處理,改善礦物后續(xù)浸出性能,再采用傳統(tǒng)的濕法浸出、分離回收鉑鈀等貴金屬。采用本發(fā)明所公開...
        • 一種解旋高分子量全基因組超螺旋結(jié)構(gòu)的方法,屬于生物基因技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及高分子量全基因組超螺旋結(jié)構(gòu)的解旋方法。本發(fā)明實質(zhì)上是對Zollinger等人報道的核酸電鏡鋪展技術(shù)進行了改進:①將鋪展液中的SLS濃度提高5倍;②將細胞色素C濃度降...
        • 一種增強納米銳鈦礦(TiO↓[2])光致發(fā)光的方法,其特征是采用下面的步驟:    步驟1.將銳鈦礦型TiO↓[2]納米粉在空氣中于115~125℃干燥8h(小時);    步驟2.接枝單體甲基丙烯酸甲酯MMA(分析純)先進行蒸餾精制,...
        • 方酸內(nèi)鎓鹽有機電致發(fā)光材料及其制備方法,屬于材料技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及有機電致發(fā)光材料及制備方法。本發(fā)明提供的方酸內(nèi)鎓鹽有機電致發(fā)光材料,是一種主體材料由方酸內(nèi)鎓鹽構(gòu)成的有機粉末狀材料,所述方酸內(nèi)鎓鹽的結(jié)構(gòu)式為(Ⅰ)。利用方酸與胺作原料,...
        • 本發(fā)明提供一種在單晶α-Al↓[2]O↓[3]中制備納米氧化鋅發(fā)光材料的方法,屬于納米復合光學材料技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種納米氧化鋅發(fā)光材料的制備方法。其技術(shù)方案實質(zhì)是采用離子注入法和控制退火法制備納米氧化鋅光致發(fā)光材料的方法。在常溫環(huán)境...
        • 本發(fā)明提供了以氰基側(cè)基二元胺為原料制備而得的苯并噁嗪樹脂中間體、苯并噁嗪樹脂及樹脂固化物。制備工藝簡單、產(chǎn)率高,制備而得的樹脂及固化物具有較好的自阻燃性、粘接性、熱穩(wěn)定性和流動性,可以應(yīng)用于涂料、電子封裝材料、樹脂基復合材料中。
        • 一種高導熱復合相變儲能材料及其制備方法,屬于復合相變儲能材料技術(shù)領(lǐng)域。其材料由無機金屬多孔連續(xù)材料、相變儲能材料和封孔材料復合而成;其中,相變儲能材料為均勻分布于無機金屬多孔連續(xù)材料的孔中的固-液相變儲能材料,整個材料表面用封孔材料密封...
        • 本發(fā)明公開了一種新型聚對苯乙炔電致發(fā)光材料,它是一種主體材料由PPV構(gòu)成的有機粉末狀材料,其結(jié)構(gòu)特征是在PPV的鏈上引入了噁二唑基團,因其主鏈含電子傳輸功能基團,不易氧化,實現(xiàn)了載流子注入速率的匹配,抗老化性能好,不易失效,使用壽命長;...
        • 本發(fā)明提供了一種提高光致發(fā)光強度的有機聚合物接枝改性的納米二氧化鈦的制備方法,其實質(zhì)是在常溫常壓環(huán)境下采用電子束共輻射方法,在銳鈦礦型二氧化鈦納米晶表面成功接枝上甲基丙烯酸甲酯,與現(xiàn)有的制備方法相比,本發(fā)明的制備方法反應(yīng)過程簡單,不需要...
        • 一種復合相變材料及制備方法,涉及材料技術(shù),特別涉及復合相變材料。本發(fā)明包括以下步驟:1)將聚乙二醇和無水乙醇按質(zhì)量比值為0.21~0.34混合,加熱并攪拌,形成混合溶液,所述聚乙二醇的分子量為2000~10000;2)把與聚乙二醇質(zhì)量比...
        • 本發(fā)明涉及一種Mg摻雜的ZnO發(fā)光材料的制備方法,該方法采用共沉淀生成草酸鹽前驅(qū)體ZnC↓[2]O↓[4]和MgC↓[2]O↓[4]的過程,然后通過焙燒分解得到Mg摻雜的ZnO發(fā)光材料。可以實現(xiàn)Mg摻雜分布的優(yōu)良的均一性、精確的化學計量...
        • 用于刻蝕BST薄膜的腐蝕液及制備方法,涉及一種可刻蝕高溫晶化處理的BST薄膜的腐蝕液,屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及電子薄膜制備技術(shù)中的圖形化過程。本發(fā)明其組分中含有HNO↓[3],以體積比計算,BHF∶HNO↓[3]∶H↓[2]O=a∶...
        • 硅溶膠定形的石蠟復合相變儲能材料的制備方法,屬于定形復合相變儲能材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以硅溶膠、石蠟為原料,制備時,先將石蠟類物質(zhì)加入到硅溶膠中,然后加入必要的添加劑,加熱混合體系,快速攪拌讓體系形成乳液狀。調(diào)節(jié)體系的pH值或者加入沉...
        • 一種磁性微粉及制備方法,屬于吸波涂料生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,涉及金屬磁性微粉吸收劑微波吸收性能改善方面。本發(fā)明在磁粉表面包裹有一層高電阻率的包覆膜。本發(fā)明的有益效果是降低了金屬磁性微粉的介電常數(shù);提高了金屬磁性微粉的抗氧化性、分散性;制備工藝簡單...