本技術(shù)涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種基于靜電保護(hù)的二極管，包括二極管本體，所述二極管本體包括外殼體、設(shè)于所述外殼體內(nèi)部的第一連接組件、第二連接組件、第三連接組件；所述第一連接組件包括二極管芯片、第一引腳、第二引腳；所述第二連接組件包...

本技術(shù)涉及二極管技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種車載穩(wěn)定型二極管，包括二極管本體，所述二極管本體包括殼體、上接盒、下接盒；所述殼體的下方連接于上接盒，該殼體的底部固定連接有若干插塊；所述上接盒的下方彈性連接于下接盒，該上接盒的上部設(shè)有插孔，所述...

本技術(shù)涉及三極管技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種帶溫度傳感器的三極管，包括三極管本體，所述三極管本體包括三極管芯片、溫度傳感器、基島、復(fù)合封裝殼；所述三極管芯片焊接固定于基島上；所述溫度傳感器設(shè)于三極管芯片外部或表面；所述基島整體容置于復(fù)合封裝...

本發(fā)明涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種二極管全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)及性能測(cè)試方法，包括測(cè)試管理服務(wù)器、可編程測(cè)試資源陣列、上下料與定位模塊以及測(cè)試工位；測(cè)試管理服務(wù)器為中央處理單元，搭載測(cè)試管理軟件，負(fù)責(zé)測(cè)試流程的制定、測(cè)試任務(wù)的調(diào)度與分發(fā)、...

本發(fā)明涉及電子元器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種基于復(fù)合納米材料的超快恢復(fù)功率二極管及其制備方法，包括陽極、陰極以及設(shè)置在所述陽極與陰極之間的復(fù)合納米半導(dǎo)體層；所述復(fù)合納米半導(dǎo)體層為由經(jīng)特殊摻雜和表面修飾的碳納米管與高純度硅基體構(gòu)成的復(fù)合材料；...

本技術(shù)涉及橋堆技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種抗震型橋堆，包括保護(hù)殼體、設(shè)于所述保護(hù)殼體內(nèi)側(cè)的絕緣封裝體、設(shè)于所述絕緣封裝體內(nèi)部的芯片、分別連接于所述芯片上下兩側(cè)的第一引腳和第二引腳、設(shè)置于所述第一引腳和第二引腳下方的抗震組件；所述抗震組件包括...

本技術(shù)涉及二極管領(lǐng)域，特別是涉及一種耐高溫安全型二極管，包括上殼體、連接于所述上殼體下方的下殼體、設(shè)置于所述上殼體內(nèi)部的彈性層、設(shè)置于所述彈性層內(nèi)部的耐溫層、設(shè)置于所述耐溫層內(nèi)部的阻燃層、設(shè)置于所述阻燃層內(nèi)部的基板、連接于所述基板的二極...

本技術(shù)涉及二極管領(lǐng)域，特別是涉及一種高硬度型二極管，包括二極管本體，所述二極管本體包括外殼體、設(shè)置于所述外殼體內(nèi)壁兩側(cè)的散熱組件；所述外殼體包括高硬度耐磨層、基殼層、耐高溫層；所述高硬度耐磨層設(shè)于所述基殼層的外表面，所述基殼層設(shè)于所述耐...

本技術(shù)涉及二極管領(lǐng)域，特別是涉及一種防爆型二極管，包括殼體、設(shè)置于所述殼體內(nèi)壁的防爆層、設(shè)置于所述防爆層內(nèi)部的二極管芯片、連接于所述二極管芯片的正極組件、連接于所述正極組件下方的散熱層、連接于所述散熱層一側(cè)的負(fù)極組件；所述防爆層的內(nèi)壁沿...

本技術(shù)涉及橋堆技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種具備防潮功能的橋堆，包括抗震殼體、設(shè)置于所述抗震殼體內(nèi)部的芯片、分別連接于所述芯片兩側(cè)的若干第一引線和若干第二引線、設(shè)于所述抗震殼體底部?jī)蓚?cè)的防摔組件、連接于所述芯片底部的防潮組件；所述防潮組件包括...

本技術(shù)涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種易更換的橋堆，包括底盒、自所述底盒向外伸出的引腳、用于與所述底盒連接的頂盒以及安裝在所述底盒的導(dǎo)電基板；所述底盒設(shè)有供所述引腳插入的安裝槽，所述引腳的一端通過所述安裝槽插入所述底盒與所述導(dǎo)電基板...

本技術(shù)涉及橋堆技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種高效散熱型橋堆，包括：封裝外殼；整流組件，包括連接片及固定于連接片的二極管芯片，所述連接片及二極管芯片均固定于封裝外殼的內(nèi)部；散熱組件，包括貼于連接片下端的導(dǎo)熱硅膠、及固定于導(dǎo)熱硅膠下端的導(dǎo)熱塊；所...

本實(shí)用新型涉及整流橋領(lǐng)域，特別是涉及一種直插式大功率整流橋，包括殼體、分別設(shè)置于所述殼體內(nèi)部的第一中框架、第二中框架、第三中框架、第四中框架、若干上層芯片、若干下層芯片；所述第一中框架延的一端延伸設(shè)有第一引腳，第二中框架的一端延伸設(shè)有第...

本實(shí)用新型涉及二極管器件領(lǐng)域，特別是涉及一種單面雙芯組裝的SMA二極管器件，包括殼體、分別設(shè)于所述殼體內(nèi)部的第一連接框架、第二連接框架、若干芯片；所述第一連接框架的一端延伸設(shè)有第一引腳；所述第二連接框架的一端設(shè)有第二引腳；所述若干芯片設(shè)...

本實(shí)用新型涉及MOS器件領(lǐng)域，特別是涉及一種低壓MOS器件，包括殼體、分別設(shè)于所述殼體內(nèi)部的第一承載框架、第二承載框架、第三承載框架、低壓MOS芯片及雙向ESD芯片；所述低壓MOS芯片設(shè)于所述第一承載框架；所述第一承載框架的一端延伸設(shè)有...

本實(shí)用新型涉及二極管器件領(lǐng)域，特別是涉及一種雙面四芯組裝的SMB二極管器件，包括殼體、分別設(shè)置于所述殼體內(nèi)部的第一連接框架、第二連接框架、若干芯片；所述第一連接框架的一端連接有第一連接盤，所述第一連接盤背離所述第一連接框架的一端延伸設(shè)有...

本實(shí)用新型涉及二極管器件領(lǐng)域，特別是涉及一種雙面兩芯組裝的SMA二極管器件，包括殼體、分別設(shè)于所述殼體內(nèi)部的第一連接框架、第二連接框架、第一芯片及第二芯片；所述第一芯片設(shè)于所述第一連接框架的上方；所述第二芯片設(shè)于所述第二連接框架的上方；...

本發(fā)明涉及整流橋領(lǐng)域，特別是涉及一種貼片式大功率整流橋，包括殼體、分別設(shè)置于所述殼體內(nèi)部的第一中框架、第二中框架、第三中框架、第四中框架、若干芯片；所述第一中框架的一端延伸設(shè)有第一引腳，第二中框架的一端延伸設(shè)有第二引腳；所述第三中框架通...

本實(shí)用新型涉及整流橋堆技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種具備溫度保護(hù)功能的整流橋堆，包括殼體、安裝于所述殼體上的引腳模組、與所述引腳模組連接的連接模組、及安裝于所述殼體內(nèi)的電源模組、線路板和溫度保護(hù)模組；所述殼體成型有第一容置腔和第二容置腔；所述電...

本實(shí)用新型涉及二極管領(lǐng)域，特別是涉及一種集成化封裝二極管，包括外殼體、設(shè)于所述外殼體下方的基底板、分別設(shè)置于所述外殼體兩側(cè)的正極引腳和負(fù)極引腳、分別連接于所述正極引腳和負(fù)極引腳并固定于所述基底板的封裝芯片；所述外殼體的內(nèi)表面設(shè)有散熱板，...