本發明屬于半導體技術領域，具體涉及一種多類型表面粗糙度的碳化硅涂層石墨盤及其制備方法。所述制備方法的核心在于：基于預定的表面粗糙度變化規律進行反向設計，即首先確定石墨盤各區域的目標粗糙度，然后根據該規律：初始粗糙度低于一預設閾值的區域沉...

本發明屬于化學氣相沉積（CVD）技術領域，具體涉及一種鉭?碳化鉭復合涂層的石墨器件及其流量波動制備法。該方法首先在石墨基體表面通過周期性流量波動CVD技術沉積鉭金屬緩沖層，然后在緩沖層上同樣采用流量波動技術控制并沉積碳化鉭涂層。本發明通...

本發明屬于半導體材料制備技術領域，具體涉及一種通氯氣實時調控碳硅比的方法及碳化硅涂層。該方法在1000~1300℃、5~15kPa的條件下，在通入含硅碳前驅體和氫氣的同時，連續通入0.05~2%的氯氣，并利用電感耦合等離子體光發射光譜儀...