基于Pt/p

基于金屬Al/p

一種Bi2Te3/PbS量子點雜化光電探測器及其制備方法，探測器包括襯底、ITO透明電極層形成于所述襯底上；PCBM功能層，形成于ITO透明電極層上；PbS膠體量子點，形成于PCBM功能層上；碲化鉍（Bi2Te3）電荷傳輸層，形成于Pb...

本發明公開了一種反無人機目標遴選方法、存儲介質及系統，包括：通過ADS

本發明涉及一種輕小型大變倍比中波紅外連續變焦光學系統，屬于光學成像技術領域。該系統包括：沿光軸方向依次設置作為前固定組的正光焦度彎月透鏡、作為變倍組的負光焦度雙凹透鏡、作為補償組的正光焦度雙凸透鏡、作為第二補償組的負光焦度雙凹透鏡、作為...

本發明涉及一種緊湊非制冷長波紅外連續變焦光學系統，屬于光學成像技術領域。該系統包括：沿光軸方向依次設置作為前固定組的正光焦度彎月透鏡、作為變倍組的負光焦度透鏡、作為補償組的正光焦度彎月透鏡、作為第二補償組的正光焦度彎月透鏡；本發明系統采...

本發明公開了一種基于兩階段條件生成對抗網絡的近紅外圖像著色方法，基于兩階段條件生成對抗網絡的近紅外圖像著色方法包括：S1：獲取近紅外灰度圖像；S2：構建近紅外圖像的灰度預處理模塊；S3：利用近紅外圖像的灰度預處理模塊對近紅外灰度圖像進行...

基于石墨烯/p

本發明公開了一種基于有限數據多尺度目標學習的圖像著色方法及其系統，包括：S1：利用特征記憶模塊構建空間特征和顏色特征；S2：根據所述空間特征和所述顏色特征，利用生成器對訓練圖像的灰度圖像進行處理，得到著色圖像；S3：利用判別器對所述著色...

基于碲化錫薄膜/鍺異質結寬譜光電探測器及其制備方法，涉及可見至近紅外波段的寬光譜光電探測領域，尤其涉及一種基于新型二維半導體材料的高探測率、高響應率的光電探測器及其制備方法。本發明方法采用二維半導體材料碲化錫薄膜為構建異質結的p

本發明公開了一種兩步式單斜率模擬

本發明公開了一種數字積分電荷

本發明公開了一種光電探測器數字積分像元電路，特別是通過一種增大電荷存儲容量、提高線性度的數字積分電荷

本發明公開了一種高光譜用紅外探測器讀出電路，包括行任選電路以及每行增益獨立配置電路，行任選電路包括計數器、譯碼器、串并轉換電路、行選地址存儲電路、行選擇電路、觸發脈沖產生電路、第一級邏輯電路、鎖存器和第二級邏輯電路；每行增益獨立配置電路...

本發明涉及一種具有任意開窗功能的讀出電路，屬于光電子技術和微電子技術領域。該讀出電路包括信號預處理電路、列控制電路、列選通電路、行控制電路和行選通電路；列控制電路、行控制電路分別與信號預處理電路相連；列選通電路與列控制電路相連；行選通電...

本實用新型涉及一種光伏型InAsSb長波紅外探測器材料及紅外探測器，屬于紅外探測器技術領域。所述材料結構為InAs襯底、n型InAsSb層和p型InAsSb層構成的pn結構，結構簡單，制備難度低，n型InAsSb層厚度大，可有效抑制晶格...

p型大面積SnTe納米薄膜光電材料及其制備方法，涉及探測器用光電薄膜制備領域，尤其涉及一種p型SnTe納米薄膜光電材料及其制備方法。本發明的方法通過使用SnTe單靶，利用射頻磁控濺射方法，采用較低的靶材功率、無需升高襯底溫度、無需后退火...

本發明涉及一種基于雙波段的紅外圖像盲元補償方法，屬于雙波段紅外圖像處理技術領域。該方法包括：對輸入的雙波段紅外圖像X

本發明提供一種多層緩沖式抗高過載光窗，包括窗座，設于窗座觀察孔處的光窗片，其特征在于光窗片上罩設有緩沖墊，緩沖墊上設置緩沖彈簧，并在窗座、緩沖墊以及緩沖彈簧外圍罩設有帶觀察孔的保護罩。通過光窗片下端與窗座之間的L形焊層，大大提高光窗片與...

本發明公開了一種紅外雙色探測器芯片環形地線，該環形地線用于抑制雙色碲鎘汞焦平面探測器裂片，該環形地線由一系列相互隔離且呈鋸齒狀排列的微臺面地線孔環繞雙色器件陣列的外邊緣，并通過地線金屬電極連接形成雙色探測器芯片的環形地線；雙色器件陣列內...