應(yīng)用電荷扣除技術(shù)提高讀出電路電荷存儲(chǔ)容量的方法，其特征是在積分過(guò)程中，一旦積分電容上存儲(chǔ)的電荷超過(guò)一定量，則通過(guò)電荷扣除電路將積分電容上的電荷瀉放一部分，避免積分電容飽和，使光電流積分過(guò)程得以繼續(xù)進(jìn)行，電荷扣除電路每次扣除的電荷量是恒定...

應(yīng)用倒置電壓跟隨器的光伏探測(cè)器讀出單元電路，由級(jí)聯(lián)電流鏡電路、電流積分電路和偏置電壓產(chǎn)生電路組成，晶體管Mp1、Mp3與Mp2、Mp4組成級(jí)聯(lián)電流鏡電路；晶體管Mp2、Mp4、Mn2及積分電容Cint組成電流積分電路；晶體管MBn1、M...

無(wú)后固定組中波紅外30倍連續(xù)變焦光學(xué)系統(tǒng)，從物側(cè)到像側(cè)依次由變焦物鏡和中繼組組成；變焦物鏡由前固定組透鏡、變倍組和補(bǔ)償組組成，三組透鏡的光焦度分配依次為正、負(fù)、正的結(jié)構(gòu)，通過(guò)變倍組和補(bǔ)償組的軸向移動(dòng)實(shí)現(xiàn)變焦功能；中繼組由四片透鏡組成，第...

一種微機(jī)械陀螺自適應(yīng)補(bǔ)償?shù)姆椒把b置。裝置由高性能慣導(dǎo)裝置及調(diào)試夾具、控制系統(tǒng)、微機(jī)械陀螺工作溫度獲取裝置、信號(hào)采集裝置、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置和數(shù)據(jù)處理裝置組成，其方法是：一、采集基于不同狀態(tài)下獨(dú)立工作的高性能慣導(dǎo)裝置的數(shù)據(jù)作為微機(jī)械陀螺的當(dāng)前...

U型折疊式中波紅外30倍連續(xù)變焦光學(xué)系統(tǒng)，從物側(cè)到像側(cè)依次由前固定組、變倍組、補(bǔ)償組、后固定組、第一反射鏡、二次成像組、第二反射鏡和三次成像組組成，光焦度分配依次為正、負(fù)、正、負(fù)、正、正的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用二組元變焦原理、三次成像技術(shù)，焦...

三組元中波紅外30倍連續(xù)變焦光學(xué)系統(tǒng)，從物側(cè)到像側(cè)依次由正光焦度的前固定透鏡組、負(fù)光焦度的變焦Ⅰ透鏡組、正光焦度的補(bǔ)償透鏡組、正光焦度的后固定透鏡組、第一反射鏡、正光焦度的變焦Ⅱ透鏡組、負(fù)光焦度的二次成像固定透鏡組、第二反射鏡和正光焦度...

耐高過(guò)載沖擊的紅外探測(cè)器殼體組件，其特征在于：在殼體的底部，從底部的外表面到內(nèi)表面制作一個(gè)與殼體同軸且內(nèi)徑依次減小的三級(jí)臺(tái)階孔，最小孔徑的孔用于透過(guò)紅外線，在中間孔徑的臺(tái)階孔內(nèi)安裝紅外窗口，紅外窗口與中間孔徑底面用光學(xué)膠粘接，安裝后，紅...

耐高過(guò)載高靈敏度平面電極結(jié)構(gòu)熱釋電探測(cè)器，其特征在于在熱釋電晶片的下表面上制備一層全反射電極，在全反射電極的下表面上制備一層絕熱層，絕熱層的下表面與襯底用粘接膠粘接；在熱釋電晶片的上表面的中心位置制備紅外吸收層，從紅外吸收層引出金絲引線...

本實(shí)用新型所述的一種非致冷長(zhǎng)波紅外連續(xù)變焦鏡頭，其技術(shù)方案為從物側(cè)算起沿光軸由前固定組、變焦組、補(bǔ)償組和后調(diào)焦組共四片透鏡組成，補(bǔ)償組朝向物側(cè)透鏡的表面上含有衍射面，并具有表面浮雕結(jié)構(gòu)，在靠近像方的表面設(shè)置有系統(tǒng)光闌。變焦組透鏡朝向物側(cè)...

一種非晶態(tài)碲鎘汞線列探測(cè)器的信號(hào)處理電路，其特征在于由非晶態(tài)探測(cè)器與集成信號(hào)處理電路電學(xué)接口、非晶態(tài)探測(cè)器阻抗適配放大電路、并行信號(hào)串行轉(zhuǎn)換與時(shí)序輸出電路組成，其中，處理電路電學(xué)接口是探測(cè)器與信號(hào)處理電路的物理接口，按照探測(cè)器的性能和功...

基于光子晶體和超晶格雪崩光電二極管的太赫茲探測(cè)器結(jié)構(gòu)，包括第一電極、p+GaAs接觸層、GaAs/AlxGa1-xAs超晶格層、n+GaAs緩沖層、第二電極和n+GaAs襯底材料層，其特征在于在GaAs/AlxGa1-xAs超晶格層的p...

本發(fā)明提供一種非晶碲鎘汞單片集成式焦平面探測(cè)器的制造方法，其工藝步驟為：A.襯底清洗；B.沉積金屬下電極；C.光刻；D.干法刻蝕(下電極成型)；E.去膠清洗；F.磁控濺射(非晶碲鎘汞光敏材料生長(zhǎng))；G.光刻；H.干法刻蝕(光敏面成型)；...

非晶碲鎘汞單片集成式焦平面探測(cè)器，其特征在于：由讀出電路，鋁電極，下電極，光敏層和上電極組成。在讀出電路上設(shè)計(jì)有鋁電極，鋁電極上設(shè)計(jì)有凹槽，在凹槽內(nèi)沉積金屬下電極，下電極通過(guò)鋁電極與讀出電路連接，在讀出電路、鋁電極以及下電極三個(gè)部分的表...

雙色雙視場(chǎng)紅外成像光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于由前固定組(9)、變倍組(10)和后固定組(11)共五片透鏡組成，其中，前固定組透鏡由兩片透鏡組成，變倍組透鏡由一片透鏡組成，后固定組透鏡由兩片透鏡組成，變倍組透鏡可以在一次像面的前、后作軸向移動(dòng)來(lái)...

一種非晶碲鎘汞紅外探測(cè)器離子束表面清洗方法，其特征在于在真空腔體內(nèi)，把探測(cè)器芯片固定在樣品臺(tái)上，將樣品臺(tái)傾角調(diào)整為4.5°，樣品臺(tái)溫度設(shè)置為10℃，然后對(duì)真空腔體抽真空，使真空度達(dá)到6×10-4Pa；向真空腔體內(nèi)通入工作氣體，并將氣體流...

非晶態(tài)碲化鎘薄膜的磁控濺射生長(zhǎng)法，其特征在于在具有六工位磁控濺射靶位的超高真空磁控濺射生長(zhǎng)室，本底真空度優(yōu)于3.0×10-4Pa，溫度為25℃±10℃，用純度為7N的高純圓塊狀CdTe單晶靶為靶材，用純度為5N的高純Ar氣為濺射工作氣體...

一種生長(zhǎng)碲鎘汞薄膜的靶材制備方法，其特征在于采用晶態(tài)碲化鎘(CdTe)、碲化汞(HgTe)做原材料，通過(guò)A.確定靶材組分，B.質(zhì)量計(jì)算，C.研磨，D.稱量，E.混合，F(xiàn).冷軋的工藝步驟，實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)碲鎘汞薄膜的靶材制備，該靶材制備方法可以在...

本發(fā)明提供的用于透射電鏡研究的非晶態(tài)薄膜樣品制備方法，其特正在于采取A.襯底清洗，B.甩膠，C.生長(zhǎng)材料，D.剝離的技術(shù)步驟，獲得用于透射電鏡實(shí)驗(yàn)的非晶態(tài)薄膜樣品，生長(zhǎng)薄膜材料的襯底，可采用載玻片、硅片、石英片或者寶石片。本發(fā)明方法工藝...

一種石墨烯量子點(diǎn)的超聲波化學(xué)制備方法，涉及石墨烯量子點(diǎn)的制備方法，尤其是采用廉價(jià)的炭黑或石墨粉為原料，使用簡(jiǎn)單、環(huán)保的工藝來(lái)制備單分散性好，且具有發(fā)光特性的石墨烯量子點(diǎn)溶液的方法。本發(fā)明的一種石墨烯量子點(diǎn)的超聲波化學(xué)制備方法，其特征在于...

一種有機(jī)與無(wú)機(jī)雜化半導(dǎo)體紫外光伏探測(cè)器，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種半導(dǎo)體紫外光伏探測(cè)器技術(shù)。本發(fā)明的一種有機(jī)與無(wú)機(jī)雜化半導(dǎo)體紫外光伏探測(cè)器，包括基板、負(fù)極電極層、正極電極層和紫外半導(dǎo)體材料層，其特征在于該探測(cè)器的紫外半導(dǎo)體材料層是由...