一種負壓外循環蒸發濃縮結晶法處理鹽酸酸洗廢液的工藝，包括以下步驟：將廢酸液用泵輸送到蒸發室，開啟蒸汽閥門使加熱器開始加熱蒸發廢酸液，廢酸液在加熱器和蒸發室之間循環加熱蒸發濃縮，得到氯化亞鐵的結晶體，之后進離心機分離，得到固體氯化亞鐵晶體...

本發明是一種鎂合金磷酸鹽表面改性處理方法，從而達到保護、美化鎂合金產品的目的。它包括脫脂、酸洗活化、堿洗、化學改性以及封閉工序，其中還有水洗和烘干工序，所采用的改性溶液包括磷酸、氫氧化鋇、氟化鈉、磷酸鋅等。本發明的優點是：１．此工藝是以...

一種利用納米氣泡防止生物吸附污染的方法，對導體表面進行電化學處理，其外加電場的電壓在０．５Ｖ～３５Ｖ，在蛋白質吸附前對表面進行該處理，可以阻止蛋白質的非特異性吸附；如蛋白質已經吸附在表面，通過電化學處理也可以使蛋白質去吸附。本發明利用了...

一種真空鍍膜用旋轉掩膜裝置包括基片架、掩膜板，基片架上開有放置所需鍍膜基片用的基片槽，基片架套在轉軸上，轉軸的一端端部與掩膜板固接，掩膜板上設有定位孔和擋板，擋板可遮蓋基片架上的基片槽，轉軸上還套有固定鋼柱，固定鋼柱與基片架固定在一起，...

本實用新型公開了一種直流輝光等離子體氣相沉積裝置，它包括真空反應罩、上進氣管、下進氣管、絕緣座，特征是在真空反應罩內的石英反應腔上方依次安裝有冷卻室、下氣腔和上氣腔，上、下出氣管的上端分別伸在上、下氣腔內，上出氣管的下端穿過等離子體區，...

一種熱蒸發舟包括舟體，舟體中部為物料凹槽，舟體的兩側設有擋板，擋板的兩端端部為斜坡狀，緩沖板放置在舟體的兩擋板之間，緩沖板上開有通孔，舟蓋的中部設有凹槽，凹槽上開有通孔，舟蓋可放置在舟體上。本實用新型的熱蒸發舟由于在舟體的兩側設置擋板及...

一種在軟基底上制造定向碳納米管膜方法，先在硬基底上生長多層定向碳納米管膜，然后在細金相砂紙上研磨平碳納米管膜，在需要生成碳納米管膜的軟基底上涂覆一層膠粘劑，將軟此基底粘在研磨好的碳納米管膜的表面，再從碳納米管膜上揭下軟基底，即可形成軟基...

本發明公開了一種用于金屬有機化學氣相沉積設備的雙層進氣噴頭，包括封閉形的外殼體，在外殼體內有上進氣腔和下進氣腔，在上中層板與底板之間安裝有與上進氣腔和反應室連通的上出氣管，在下中層板與底板之間安裝有與下進氣腔和反應室連通的下出氣管，特征...

本發明公開了一種用于金屬有機化學氣相沉積設備的楔形反應管，包括石英管、感應圈、進氣管、出氣管、襯底、石墨舟、上法蘭和下法蘭，在石英管外套有感應圈，特征是：在反應室內安裝有圓柱形罩，隔板將進氣腔分隔為左進氣腔和右進氣腔，圓柱形罩的出氣腔與...

本發明公開了一種用于金屬有機化學氣相沉積系統中的加熱裝置，它包括襯底、石墨舟、感應圈和托架，特征是石墨舟由扁平圓柱體和圓筒體構成，圓筒體加工在扁平圓柱體的底部中央。在圓筒體內加工有用于插入測溫頭的凹槽。本發明由于在傳統的扁平圓柱體形狀的...

本發明公開了一種用于化合物半導體材料生長的化學氣相沉積設備的噴頭及原料輸入方法，它包括第一氣體供應管１、第二氣體供應管２、冷卻水供應管３、噴頭本體４、第一進氣腔５、第二進氣腔６、水冷腔７、第一氣體注入管８、第二氣體注入管９。所述第一氣體...

本發明公開了一種無粗化的光纖表面化學鍍鎳磷合金工藝及其化學鍍溶液，它先對光纖進行鍍前的預處理：去除保護層、除油、敏化和活化，然后對光纖進行化學鍍鎳合金，預處理無需粗化過程即可得到表面化學鍍了鎳磷合金的光纖。本發明在保證鍍層質量前提下具有...

一種光纖光柵傳感器化學復合鍍Ｎｉ－Ｐ－ＺｒＯ↓［２］方法，其方法步驟為：（１）去除涂敷層；（２）除油；（３）粗化；（４）敏化；（５）活化；（６）化學復合鍍Ｎｉ－Ｐ－ＺｒＯ↓［２］。本發明的優點是：（１）光纖光柵傳感器化學復合鍍Ｎｉ－Ｐ－...

一種ＡＺ６１鎂合金半固態坯料的制備方法，由預變形、等溫熱處理工藝流程組成，其特征是預變形加熱溫度為３００℃～４００℃，變形量控制在５％～４２％，然后采取阻燃措施，進行等溫熱處理，加熱溫度為５７０℃～６１０℃，保溫時間０ｍｉｎ～４０ｍｉｎ...

一種Ｍｎ－Ｃｕ反鐵磁磁致伸縮合金，其特征在于處于反鐵磁狀態，合金中Ｍｎ含量在３０％～１００％（重量百分數），可用真空熔煉制備合金；定向凝固、多晶織構及熱處理及預壓力可提高其磁致伸縮量。本發明Ｍｎ－Ｃｕ合金系反鐵磁磁致伸縮合金，屬非鐵磁性...

一種Ｓｎ－Ｃｕ基無鉛釬料合金及制備方法，合金的質量含量為Ｃｕ?。埃保保担ィ小。埃埃埃保保ィ拢椤。埃叮?，Ｚｎ　０－３％，余為Ｓｎ，先稱?。小。场福?，Ｓｎ　９２－９７％，放入石墨坩堝，覆蓋保護熔鹽，４００～５５０℃的溫度下...

一種原位ＡＭ６０鎂基復合材料半固態的制備方法，屬金屬材料制備領域，其特征是將ＡＭ６０鎂合金置于熔煉爐中，在覆蓋劑和氬氣的保護下，將ＡＭ６０鎂合金熔化，溫度達到７８０－８００℃時保溫，再將重量百分比為０．８－１．２％的結晶Ｓｉ粉末加入熔體...

一種ＡＺ６１鎂合金半固態重熔組織的制備方法，在井式電阻爐中、用石墨覆蓋ＡＺ６１鎂合金半固態坯料的條件下進行重熔，其特征是重熔的溫度為５９０℃～５９４℃，保溫時間為０～４０分鐘，本發明所述的制備方法，能獲得了細小而均勻的半固態球狀重熔組織...

一種ＳｉＣｐ／ＡＺ６１復合材料半固態制備方法，屬鎂合金復合材料的制備方法領域，其特征是在采用熔劑覆蓋和氬氣保護的條件下，將ＡＺ６１鎂合金放入鋼坩堝中，加熱完全熔化，接著使熔體溫度降到５９０℃～５９５℃，去掉氧化層，按ＳｉＣ顆粒的體積分數...

一種ＳｉＣｐ／ＡＺ６１鎂基復合材料重熔組織的制備方法，在電阻爐中、用石墨覆蓋ＳｉＣｐ／ＡＺ６１鎂基復合材料的條件下進行重熔，其特征是重熔加熱溫度為５９５℃～６００℃、保溫時間為３０ｍｉｎ～６０ｍｉｎ，本發明所述的制備方法得到的ＳｉＣｐ／...