一種包含石墨烯?Ga復合層的可飽和吸收體，包括依次疊加的GaAs襯底、AlGaAs/GaAs布拉格反射層、GaAs/InGaAs緩沖層、量子點吸收層、InGaAs蓋層、GaAs蓋層、石墨烯?Ga網格層；所述石墨烯?Ga網格層為點陣結構，...

本技術涉及一種納米球面體結構量子點的光探測器，包括GaAs襯底，所述GaAs襯底上逐層外延生長有N型摻雜層、量子點層和P型摻雜層，P型摻雜層表面有ITO薄膜層，GaAs襯底下有金屬底電極薄膜層，所述量子點層為有序排列的納米球面體結構。納...

一種規則有序量子點或線材料的制備方法，包括以下步驟：(1)對GaAs襯底進行清洗；(2)附著納米微球；(3)襯底刻蝕；(4)清洗和去除殘余的納米微球；(5)量子點/量子線的生長，將加工后具有規則有序的圓臺結構的襯底放入分子束外延設備中進...

一種控制量子線或量子點生長的圖形襯底及其制作方法，該方法通過簡單的工藝鍍介質膜、光刻和刻蝕，提供了一種背面帶有納米介質層網狀結構的圖形襯底，在外延生長過程中在襯底正面形成不同溫度分布，促進量子點/量子線制備。

一種量子點單光子源的制備方法，包括以下步驟：(1)在襯底材料背面沉積SiO2介質膜；(2)通過電子束曝光及干法刻蝕工藝的工藝基于SiO2介質膜制備出所需要的圖形結構；(3)采用分子束外延生長工藝在此襯底正面進行量子點單光子源結構的外延生...

本申請涉及一種復合半導體可飽和吸收鏡、制備方法及其應用。該復合半導體可飽和吸收鏡包括自下而上依次設置的襯底、緩沖層、布拉格反射層和周期性光柵層；所述周期性光柵層包括多個第一光柵單元，所述多個第一光柵單元均勻設置于所述布拉格反射層上，相鄰...

本申請涉及一種周期性量子點增強型半導體可飽和吸收鏡及其制備方法。該方法包括：在襯底上依次生長布拉格反射層、緩沖層、量子點吸收層、蓋層和掩膜層，在掩膜層上平鋪一層聚苯乙烯微球，通過刻蝕方法調整聚苯乙烯微球的直徑至預設目標直徑，使其尺寸達到...

本申請涉及一種單片集成波長可調諧量子點芯片及其制備方法。該芯片包括自下而上依次設置的襯底、緩沖層、布拉格反射層、量子點層、蓋層和波長調節層；其中，所述波長調節層包括二氧化硅薄膜層和摻錫氧化銦薄膜層，所述二氧化硅薄膜層和所述摻錫氧化銦薄膜...

本申請涉及一種復合亞波長光柵結構、可飽和吸收器件及其制備方法。該方法包括：在基底上通過電子束蒸發法制備金屬反射鏡層；通過磁控濺射技術在金屬反射鏡層上制備初始GSBT薄膜層；基于激光直寫掃描退火的方法在初始GSBT薄膜層上刻蝕出預設光柵圖...

一種納米錐場發射陰極的制備方法，包括以下步驟：(1)對硅片基底進行清洗，干燥后對硅基底上表層進行金屬離子注入；(2)在步驟1基底上沉積SiO2作為掩膜層；(3)步驟2基底表面自組裝聚苯乙烯微球；(4)第一次等離子刻蝕，將SiO2層刻蝕出...

本技術涉及激光技術領域，具體的說是一種超快激光系統的器件。包括基材，所述基材的內部被注入有金屬離子納米顆粒，所述基材的表面具有微納結構光柵。該器件通過進行合適的光柵結構設計及離子注入工藝，將所制備器件直接放置到超快激光系統環形回路中或直...

本技術涉及激光技術領域，具體的說是一種基于光柵和插縫排列微球的新型SESAM。包括可飽和吸收體本體，所述可飽和吸收體本體的表面帶有微納金屬光柵，所述微納金屬光柵的間隙處嵌裝有自組裝方法完成的聚苯乙烯微球結構。該新型SESAM制備方法簡單...

一種納米網格石墨烯可飽和吸收體，所述納米網格石墨烯可飽和吸收體依次包括砷化鎵襯底層、布拉格反射層、量子阱吸收層、SiO<subgt;2</subgt;納米柱層、石墨烯納米網格層；所述SiO<subgt;2</su...

本技術公開了一種復合結構的半導體可飽和吸收鏡，包括襯底、覆蓋在所述襯底上的分布式布拉格反射鏡層、位于所述分布式布拉格反射鏡層上的半導體吸收層，半導體吸收層上還設有空腔層，空腔層包括若干均勻排列的內腔，內腔包括上空腔和下空腔，上空腔為半球...

本技術公開了一種新型結構的可飽和吸收鏡，涉及可飽和吸收鏡技術領域，包括從下到上依次設置的襯底、反射鏡、緩沖層、吸收層以及減反層，減反層為復合增透膜，復合增透膜包括層疊設置的折射率不同的多層增透膜，各層增透膜的折射率從下往上依次遞增，相鄰...

本實用新型公開了一種新型可飽和吸收鏡，包括襯底、覆蓋在所述襯底上的金屬反射層，金屬反射層上覆蓋有空腔吸收層，空腔吸收層上設有介質膜增透層，介質膜增透層包括若干層疊放置的增透層，相鄰增透層間設有第二增透層，第一增透層材料與第二增透層材料折...

本發明涉及微納米制備技術領域，具體涉及一種納米壓印模版的制備方法。包括制備聚苯乙烯微球分散液、將聚苯乙烯微球轉移到石英襯底上形成自組裝陣列、采用反應離子刻蝕法對附著有聚苯乙烯微球自組裝陣列的石英襯底進行刻蝕、清洗等步驟。本發明工藝簡單且...

本發明涉及一種制備傾斜端面超輻射發光管的方法，包括如下步驟：s1、制備外延片，s2、制備波導結構，s3、制備傾斜端面，s4、制備電極窗口，s5、制備P面電極，s6、減薄和拋光，s7、制備N面電極，s8、退火，獲得傾斜端面超輻射發光管。該...

本發明公開了一種多級的微納米臺階結構的加工方法，包括：在所需加工的晶圓表面涂覆光刻膠；采用掩膜版對光刻膠進行光刻處理；掩膜版包括多個圓孔陣列，圓孔陣列的圓孔直徑和周期依據微納米臺階深度設計，所述圓孔直徑越大臺階深度越深；對晶圓進行一次刻...

本實用新型涉及一種MBE半自動化對準系統，前腔室和后腔室通過氣動閘板閥分隔，帶升降功能的取料裝置設置在后腔室內部上方，步進馬達連接傳動桿推動載物平臺進行取料裝置方向的線型往返運動，通過扣合方式將物料花籃平穩放置在載物平臺固定位置上，基板...