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        深圳爭妍微電子有限公司專利技術

        深圳爭妍微電子有限公司共有17項專利

        • 本申請涉及計算機數據處理技術領域,公開了一種提升AI計算芯片超分運算性能的方法,包括以下步驟:S1、采集低分辨率圖像數據,并對所述低分辨率圖像數據進行分塊處理,得到圖像塊;S2、對所述圖像塊進行數據復雜度分析,以量化所述圖像塊的復雜度信...
        • 本發明公開了基于大數據的芯片故障智能診斷及預警系統,包括芯片數據采集模塊、大數據預處理模塊、芯片故障特征存儲與管理模塊、故障診斷模塊、故障預警模塊和系統控制與交互模塊;所述芯片數據采集模塊包括部署在芯片各關鍵運行節點的傳感單元、數據采集...
        • 本發明公開了基于AI芯片的智能任務調度方法及系統,通過AI芯片的專用數據接口,實時采集待調度任務的核心參數,同時記錄各任務的提交時間戳,完成待調度任務的基礎信息初始化;將待調度任務的基礎信息及優先級參數,采用預設的分類算法,對待調度任務...
        • 本發明屬于電力電子技術領域,具體為一種碳化硅MOS柵極驅動電路,包括電容C1、二極管D1、電容C3、電容C7、上橋臂功率管Q1、上橋臂功率管Q2、下橋臂功率管Q3、下橋臂功率管Q4、二極管D2、二極管D3、二極管D4、二極管D5、電阻R...
        • 本發明公開了屬于GaN壓力傳感器技術領域,具體為一種GaN壓力傳感器制備方法及器件,包括襯底,所述襯底上方設置有源極,所述源極上方設置有漏極,所述漏極與源極之間設置有柵極和溝道結構,所述溝道結構包括GaN層和AlGaN勢壘層組成,所述源...
        • 本發明公開了一種GaN射頻器件及其制備方法,屬于半導體射頻器件技術領域,包括襯底,以及依次層疊于襯底上的漸變緩沖層、GaN溝道層、AlN插入層、AlGaN勢壘層,還包括形成于AlGaN勢壘層上的T型柵極電極、歐姆接觸電極和復合鈍化層,且...
        • 本發明公開了一種GaN高溫壓力傳感器,屬于壓力傳感技術領域,包括硅襯底、GaN緩沖層、AlGaN勢壘層、Si3N4鈍化層,制備于AlGaN勢壘層表面的Ti/Al/Ni/Au多層歐姆電極,包裹上述結構的陶瓷封裝組件,以及與多層歐姆電極電連...
        • 本申請涉及FPGA芯片與數據處理技術領域,公開了一種FPGA芯片數據排序方法,包括對待排序數字數據集合進行預分析以確定其數據分布特征;根據該分布特征,生成非線性斜坡電壓;將所述集合中的各數字數據并行轉換為多個靜態參考電壓;并行地比較所述...
        • 本申請涉及半導體制造技術領域,公開了一種高壓驅動IC?BCD工藝制造方法,包括以下步驟:通過光刻膠掩膜限定出待形成隔離結構的區域;在所述光刻膠掩膜下,對該區域依次進行晶格穩定劑共注入和多次能量及劑量均不相同的介電轉換主劑注入;去除掩膜后...
        • 本公開實施例提供了一種GaN功率器件,由下至上依次包括:襯底層、緩沖層、GaN溝道層、AlGaN勢壘層、鈍化層以及外延生長的GaN功率器件和溫度傳感器;在所述的溫度傳感器與GaN功率器件之間還設有中間隔離帶。通過本公開實施例的方案,能夠...
        • 本申請涉及高分子材料技術領域,公開了一種超級結MOSFET器件結構及其制造方法,包括在半導體襯底上形成催化劑納米點陣;隨后,在一個單一、連續的外延生長過程中,通過高頻次地交替執行N型脈沖和P型脈沖,實現N型半導體柱的催化劑引導生長與P型...
        • 本發明屬于電數字數據處理技術領域,具體為一種AI芯片的性能數據采集方法,該性能數據采集方法的具體步驟流程如下:部署硬件級分布式監測節點:在AI芯片設計階段,集成輕量化分布式監測單元,包括計算模塊監測點、存儲模塊監測點、功耗監測點和時間同...
        • 本公開實施例提供了一種應用于無線充電的GaN功率器件,包括GaN功率器件、鋁板和導出桿,其特征在于:所述鋁板的左右兩端均固定安裝有立板,所述立板的內側均固定裝置,兩個所述固定裝置分別固定安裝在GaN功率器件的左右兩端,所述鋁板的底部固定...
        • 本發明涉及基于異構計算與動態資源調度的高效能數據處理IC架構,屬于集成電路技術領域,包括:異構計算單元模塊、動態資源調度模塊和存算一體模塊,異構計算單元模塊集成多種不同類型的計算單元,用于執行不同特性的數據處理任務,動態資源調度模塊用于...
        • 本發明涉及一種碳化硅功率器件及其制備方法,屬于半導體器件技術領域,包括如下步驟:拋光處理的碳化硅襯底;在碳化硅襯底上生長緩沖層和有源層,以形成外延層;在有源層表面生長柵氧化層;在柵氧化層上旋涂光刻膠;在有源層上通過離子注入和退火工藝形成...
        • 本發明涉及一種反激式功率集成二極管及其制備方法,屬于半導體技術領域,包括如下步驟:淀積硬掩膜:在襯底上淀積硬掩膜;Trench光刻與溝槽刻蝕:利用光刻技術將設計好的溝槽圖案轉移到硬掩膜上;溝槽氧化:對刻蝕好的溝槽進行氧化處理;化學機械拋...
        • 本發明涉及集成電路封裝技術領域,具體涉及一種IC封裝結構及封裝方法,包括封裝外殼、基板、芯片組、絕緣層和散熱組件,基板包括基底和主體板,基底上設置有電氣連接組件;芯片組包括芯片主體和引腳,引腳設置在芯片主體的一側,芯片主體扣設在主體板上...
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