本發明涉及一種在具有深槽圖形的硅基襯底上制作硅薄膜的方法，用于微電子機械系統（ＭＥＭＳ）可動部件制造中。該方法步驟包括：先在硅基襯底上制作深槽圖形時制作溝槽，連接每個深槽圖形并貫穿到硅基襯底片的外邊緣，與大氣相通，然后與另一硅片進行硅／...

一種ＣＭＯＳ型低壓差電壓調整器的制造方法，它提高了低壓差電壓調整器的輸入電壓可調整范圍，并保持了其低功耗和低輸出壓差的特點。技術方案的要點是在常規ＣＭＯＳ工藝的基礎上，集成ＭＯＳ晶體管、Ｎ型溝道ＪＦＥＴ晶體管以及ＮＰＮ型晶體管和ＰＮＰ型...

本發明涉及一種低導通電阻功率ＶＤＭＯＳ晶體管的制造方法。該方法是從降低兩個ＶＤＭＯＳ元胞之間正對漏端通道的導通電阻入手，在滿足ＶＤＭＯＳ管耐壓的情況下，在Ｎ↑［＋］硅片上的第一層Ｎ↑［－］外延層中的ＶＤＭＯＳ晶體管柵（即兩個ＶＤＭＯＳ元...

本發明涉及一種增加擊穿電壓的半導體結構及制造方法。本發明結構非常簡單，包括半導體材料、主擴散結、耐壓層、耗盡終止區和介質層共５個部分。其中，主擴散結、耐壓層、耗盡終止區都處于半導體材料中，主擴散結和耐壓層的導電類型與半導體材料相反，耗盡...

本發明涉及一種不同摻雜濃度多分區高擊穿電壓淺結低溫半導體結構及制造方法。本發明包括半導體材料、主擴散結、ｎ個耐壓層Ｂ↓［１］～Ｂ↓［ｎ］（ｎ≥２）、耗盡終止區和介質層，其主擴散結、ｎ個耐壓層Ｂ↓［１］～Ｂ↓［ｎ］、耗盡終止區都處于半導體...

本發明公開了一種高電源抑制比的Ｅ／Ｄ　　ＮＭＯＳ基準電壓源，它含有：一個Ｅ／Ｄ　?。危停希宇A基準源電路，其輸出為基準源電路供電，包括四個耗盡型ＮＭＯＳ管和四個增強型ＮＭＯＳ管；一個基準源電路，包括四個耗盡型ＮＭＯＳ管和四個增強型ＮＭＯＳ...

本發明公開了一種陶瓷雙列封裝器件高加速離心試驗夾具，用于對陶瓷雙列封裝（ＤＩＰ）器件進行高加速度（≥５０００ｇ）離心試驗。該夾具包括有母夾具、裝放待試驗器件的子夾具和鎖緊子夾具及固定器件的鎖緊壓板，母夾具內設計有與子夾具呈抽屜式配裝的通...

本發明涉及微電子機械系統加工領域，特別是一種ＭＥＭＳ傳感器懸梁結構的制造方法。其包括以下步驟：１．準備原始硅片；２．在第一原始硅片上采用重復氧化方法，形成懸梁結構下面的氧化層圖形；３．制作過渡多晶硅層；４．制作鍵合片、形成頂層硅；５．濕...

本發明公開了一種壓力傳感器硅諧振膜的制造方法，用于微電子機械系統（ＭＥＭＳ）壓力傳感器中的硅懸梁的制作。該方法步驟包括：１．將第一和第二原始硅片進行加工，形成帶硅諧振膜的ＳＯＩ硅片；２．在第三原始雙面拋光硅片上進行加工，形成有圖形的硅襯...

本發明涉及一種諧振型壓力傳感器芯片的局部真空封裝方法。該方法在所要局部真空封裝區域圍成一個厚度為１０－２０μｍ、環寬為１００－２００μｍ的鈦鎢／金環，同時進行深槽腐蝕及釋放可動部件，利用金屬在共晶燒結中的回流來調整表面的不平整性，確保局...

本發明公開了一種帶有微腔的圖形硅片真空鍵合方法。本發明方法的主要工藝步驟：（１）將所述帶有微腔的圖形硅片放入簡易予鍵合裝置中的承片架和對位臺上，再將普通硅片輕輕放下，其一部分邊緣與帶有微腔的圖形硅片接觸，另一部分邊緣搭在活動桿上；（２）...

本實用新型涉及一種水吸收型廢氣處理裝置，包括有一級吸收處理室和與一級吸收處理室頂端呈可分離裝聯的二級吸收處理室，一級吸收處理室內腔中部的噴淋柱上從上到下裝設有半圓錐弧形襟板，使該內腔形成氣體上升的盤旋通道，襟板下端與一級吸收處理室的柱殼...