普通寬條８０８ｎｍ半導體激光器，輸出功率很高，達到瓦級以上，但是通常為多模激光器且光束質量較差，縮小條寬可提高光束質量等，但是相應的，要以犧牲激光器的輸出功率為代價。因此，帶有限制光反饋結構分別驅動的發射波長為８０８ｎｍ錐形半導體激光器...

具有Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］緩沖層的硅襯底Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜磁控濺射制備方法屬于半導體光電子材料制造技術領域。現有技術通常采用分子束外延、金屬有機化學氣相沉積方法在藍寶石、氮化鎵襯底上制備Ｍｇ↓［ｘ］Ｚｎ↓［１－ｘ］Ｏ薄膜...

本發明提供了基于波前校正的相干激光通信的系統。該裝置是由起偏片（１）、望遠系統（２）、分光棱鏡（３）、哈特曼－夏克波前傳感器（４）、計算機系統（５）、波前控制器（６）、空間光調制器（７）、本振激光器（８）、光耦合器（９）和探測器（１０）...

本發明提供了基于空間光調制器的無模型波前畸變校正系統。該系統是由，起偏片１、望遠系統２、分光棱鏡３、縮束器４、ＣＣＤ相機５、計算機系統６、空間光調制器７、波前控制器８和監測相機９組成。采用普通ＣＣＤ相機成像，根據無模型迭代理論分析光束的...

（ＳＢＡ－１５）－尼莫地平藥物及其制備方法屬于無機功能材料及精細化工制造和生物制藥技術領域?，F有尼莫地平片劑存在對人體的刺激，尼莫地平藥物利用程度低。而現有將ＳＢＡ－１５分子篩作為藥物載體的技術尚未應用到尼莫地平藥物上來。本發明之（ＳＢ...

本發明提供一種ＧａＡｓ基ＩｎＡｓ量子環材料的制備方法，屬于半導體物理和固態量子信息材料領域。該領域已知技術制備量子環的方法，是使用復雜的光刻技術制備量子環或利用ＭＢＥ（分子束外延）技術自組織方法制備量子環。利用光刻技術制備的量子環，制備...

基于ＣＣＤ相機的光學透過率測試裝置屬于光學測試技術領域?，F有雙頻雙通道光學透過率測試裝置由于其光電探測器通常采用光電倍增管，屬于一種點探測器，同時，采用積分球勻光，因此，測試結果是被測試件的整體平均透過率；積分球體積大，不利于測試裝置的...

基于光源電調制的光學透過率測試裝置屬于光學測試技術領域?，F有測試裝置采用機械斬光器調制測試光，所得到的交流光并不是嚴格的矩形波，光電探測器所給出的電信號也就不是嚴格的矩形波信號，因此，測試精度較低。并且，由于機械斬光器為大型精密機械部件...

一種制備Ｃｒ↑［４＋］：Ｃａ↓［２］ＧｅＯ↓［４］激光晶體的方法屬于可調諧激光晶體技術領域?，F有技術采用自發結晶法、助溶劑法制備Ｃｒ↑［４＋］：Ｃａ↓［２］ＧｅＯ↓［４］激光晶體；Ｃｒ↑［４＋］是通過直接加入三氧化二鉻原料，在晶體的生長...

Ⅲ－Ⅴ族ＩｎＡｓ↓［ｘ］Ｓｂ↓［１－ｘ］三元合金材料是典型的紅外波段窄禁帶材料，具有穩定性好，響應快，施主和受主性能好，工作波段的探測率高，能達到精確探測的要求。制備出非晶態ＩｎＡｓ↓［ｘ］Ｓｂ↓［１－ｘ］薄膜將解決生長ＩｎＡｓ↓［ｘ］...

大面積的非晶態ＧａＡｓ薄膜已經由簡單和廉價磁控濺射技術制備出來了，并且非晶態ＧａＡｓ薄膜具有半導體特性，但是非晶ＧａＡｓ薄膜中存在組分偏析所引入大量的結構缺陷，阻礙非晶ＧａＡｓ材料應用于光電子器件。我們發明的目的在于提供一種化學計量比非...

本發明涉及一種抑制傳能光纖包層模式傳播的方法，屬于激光技術領域。該領域已知技術難以有效抑制傳能光纖包層模式激光的傳播，可使傳能光纖由于包層模式激光的涂覆層吸收而損壞。同時，包層模式激光的傳播也降低了光纖耦合激光輸出的光束質量。本發明采用...

非晶ＩｎＧａＡｓ薄膜材料屬于光電子材料技術領域。非晶ＩｎＧａＡｓ薄膜材料主要應用于紅外探測器材料。以往磁控濺射制備該種材料的不足之處在于其內部缺陷過多，難以達到應用水平。本發明之一種鈍化非晶ＩｎＧａＡｓ薄膜材料的方法，通過邊成膜邊鈍化的...

單光子在理想情況下是由單個量子點發光實現的，因此能夠有效隔離單個量子點就變得相當重要。當前，用來制作實現量子點單光子發射器件的ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子點主要是通過自組織生長方法獲得，它們在生長表面上隨機分布并且點密度很高，每平方微米上就有...

超輻射發光二極管屬于半導體光電子器件技術領域?，F該領域已知超輻射二極管不足之處是輸出功率低、光譜窄等缺點，嚴重限制了這類器件在相關領域中的應用。本發明之一種高亮度超輻射發光二極管，是通過在傳統半導體激光器外延片Ｐ面上，經過光刻、刻蝕等工...

隨動系統負載的電液伺服模擬方法涉及一種采用電液伺服系統模擬隨動系統在加速、減速、轉向等各種運動狀態下的慣性負載，屬于電液伺服控制技術領域?，F有技術中單純機械的方法所使用的慣量盤其制造精度非常高，因此價格也就十分昂貴，而且調換、裝卸十分復...

隨動系統負載的電液伺服模擬裝置屬于機械仿真技術領域。已知技術模擬的負載單一，采用飛輪方式模擬慣性力矩其弊端更多。本發明由高頻工作液壓馬達、高頻工作液壓馬達換向閥、高頻工作液壓馬達伺服閥、低頻工作液壓馬達、低頻工作液壓馬達換向閥、低頻工作...

本發明是關于一種采用靈敏溫變的雙金屬片實現太陽能跟蹤器開關的技術，這種開關技術不同于常用的光敏電阻開關，在穩定性、可靠性和機械結構上具有優點。此開關技術可以應用于太陽能跟蹤器的自動控制中，提高太陽能利用率，降低太陽能損耗。具有良好的使用...

大功率８０８ｎｍ半導體激光器被廣泛應用于抽運Ｎｄ：ＹＡＧ固體激光器、激光加工和激光醫療等領域。這是因為半導體激光器具有高效、結構緊湊、調制方便等優點。但是同時，人們一直關注半導體激光器的效率和溫度特性等問題。本發明是關于一種采用（Ｉｎ）...

Ⅲ－Ⅴ族銻化物以其特有的晶格參數、能帶結構特性，在近、中紅外半導體器件方面顯示出越來越重要得研究價值和應用價值。ＧａＡｓ基１．５μｍ的Ｓｂ基量子點激光器的研制將提供替代ＩｎＰ基材料器件的可能，克服ＩｎＰ基材料其間難以高密度集成，溫度穩定...