公開了一種三軸陀螺儀及其制造方法，三軸陀螺儀包括中央耦合結(jié)構(gòu)；結(jié)構(gòu)相同的第一平動質(zhì)量塊、第二平動質(zhì)量塊、第三平動質(zhì)量塊和第四平動質(zhì)量塊；第一檢測結(jié)構(gòu)，位于第二平動質(zhì)量塊和第四平動質(zhì)量塊內(nèi)，用于檢測第一軸線方向的角速度；第二檢測結(jié)構(gòu)，位于...

公開了一種高壓柵極驅(qū)動電路，高壓柵極驅(qū)動電路包括：第一摻雜類型的襯底；第二摻雜類型的第一埋層，位于所述襯底上；第一摻雜類型的外延層，位于所述襯底和所述第一埋層上，所述外延層包括高側(cè)驅(qū)動電路區(qū)域、低側(cè)驅(qū)動電路區(qū)域以及電平位移電路區(qū)域，所述...

本申請公開了一種半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)及其制作方法，該封裝結(jié)構(gòu)包括：基板；第一圍擋，位于基板的第一表面，環(huán)繞基板邊緣設(shè)置；控制芯片，位于基板的第一表面的第一圍擋圍成的空腔中；光電芯片，位于控制芯片上并覆蓋控制芯片的部分表面；鍵合線，鍵合線...

本申請公開了一種半導(dǎo)體器件的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，該封裝結(jié)構(gòu)包括：基板，基板的第一表面設(shè)置有凹槽，基板的邊緣的厚度大于基板中心的厚度；控制芯片，位于基板的凹槽底面，控制芯片位于凹槽形成的空腔中；光電芯片，位于控制芯片上并覆蓋控制芯片的部...

本申請公開了一種封裝結(jié)構(gòu)，包括：塑封體及多個引腳；塑封體中包括上橋臂功率器件和下橋臂功率器件，上橋臂功率器件的第一柵端與第一柵極引腳相連，第一源端與第一源極引腳相連，第一漏端與第一功率引腳相連；下橋臂功率器件的第二柵端與第二柵極引腳相連...

公開了一種超級結(jié)器件及掩膜版，超級結(jié)器件包括元胞區(qū)；終端區(qū)，圍繞元胞區(qū)；多個第一摻雜柱，多個第二摻雜柱；多個過渡結(jié)構(gòu)，位于元胞區(qū)，在第一方向上，第一摻雜柱和第二摻雜柱經(jīng)由過渡結(jié)構(gòu)銜接；其中，過渡結(jié)構(gòu)包括第一過渡結(jié)構(gòu)和第二過渡結(jié)構(gòu)，第一過...

本發(fā)明提供了一種并聯(lián)結(jié)構(gòu)，包括并聯(lián)的N條功率支路，N≥2，每條所述功率支路均包括兩個器件類型相同的功率單元，兩個所述功率單元的第一端彼此連接，至少兩條所述功率支路中的所述功率單元的器件類型不同。本發(fā)明將不同器件類型的功率單元并聯(lián)使用，不...

本申請公開了一種用于電機驅(qū)動的集成功率模塊和智能功率模塊。該集成功率模塊包括：引線框架，所述引線框架具有多個管芯墊和多個管腳；固定在所述多個管芯墊上的多個高側(cè)晶體管和多個低側(cè)晶體管、第一柵極驅(qū)動芯片、第二柵極驅(qū)動芯片和第一輔助模塊；以及...

本技術(shù)公開一種過流保護(hù)電路和控制電路，過流保護(hù)電路包括電流源單元、第一電阻單元、第二電阻單元、電流鏡單元以及比較單元，負(fù)載控制電路輸出的負(fù)載電流的一部分經(jīng)過第一電阻單元和電流鏡單元的第一端和第三端到接地端，負(fù)載電流的另一部分經(jīng)過第一電阻...

本發(fā)明提供了一種波特率設(shè)置方法，實時獲取信號中多個電平的寬度值，并根據(jù)獲取的多個寬度值與預(yù)設(shè)的檢測條件檢測所述信號的幀頭，當(dāng)檢測到所述信號的幀頭時，獲取所述信號當(dāng)前的波特率。本發(fā)明中的波特率設(shè)置方法不依賴從機自身存儲的波特率，也不依賴間...

一種封裝結(jié)構(gòu)及功率變換電路，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：絕緣塑封、電磁耦合器以及引線框架；所述引線框架，向所述絕緣塑封外部延伸多個相互獨立且相互之間不具備電氣連接的引腳；多個所述引腳中的任意一個引腳向所述引線框架的內(nèi)部延伸出第一基島；所述電磁耦合...

本申請公開了一種開關(guān)電源及其控制電路、控制方法，控制電路包括采樣控制模塊，接收退磁時間和第三抖動電流，將電流信號轉(zhuǎn)換為電壓信號，與第二參考電壓比較以輸出采樣控制信號；反饋模塊，接收采樣控制信號，并據(jù)此對反饋電壓進(jìn)行采樣獲取第一采樣信號，...

本申請公開了一種誤差放大器，用于智能開關(guān)，所述誤差放大器包括：第一斬波模塊，接收一對差分信號，并用于對所述差分信號進(jìn)行斬波調(diào)制以產(chǎn)生第一電壓信號和第二電壓信號；主運放模塊，用于根據(jù)第一電壓信號和第二電壓信號產(chǎn)生低頻誤差信號，以及根據(jù)失調(diào)...

本公開提供了一種功率半導(dǎo)體器件及其制造方法，功率半導(dǎo)體器件中的屏蔽柵和控制柵位于同一溝槽中，所有控制柵通過第一導(dǎo)電連接層進(jìn)行連接，不需要設(shè)置單獨的控制柵溝槽，減少版次，降低成本，并且與傳統(tǒng)屏蔽柵工藝兼容，減小了工藝復(fù)雜度。控制柵位于屏蔽...

一種電磁耦合器及功率變換電路，電磁耦合器包括：襯底、絕緣介質(zhì)層、鈍化層、第一線圈以及第二線圈，第一線圈與第二線圈相互隔離并通過磁耦合以形成通信鏈路；第一線圈的第一端子為電磁耦合器的第一端口，第一線圈的第二端子為電磁耦合器的第二端口；第二...

公開了一種X電容器的放電控制電路、方法及開關(guān)電源，X電容器連接在電源輸入的兩端。放電控制電路包括：放電檢測控制模塊，檢測輸入電壓輸出第一放電控制信號，放電檢測控制模塊對輸入電壓進(jìn)行分時采樣產(chǎn)生第二檢測信號，并對第二檢測信號進(jìn)行采樣及鎖存...

公開了一種LDMOS器件及其制備方法，LDMOS器件包括：第一摻雜類型的半導(dǎo)體層；溝槽隔離結(jié)構(gòu)，位于半導(dǎo)體層內(nèi)，溝槽隔離結(jié)構(gòu)為環(huán)形，溝槽隔離結(jié)構(gòu)內(nèi)部的區(qū)域為有源區(qū)，溝槽隔離結(jié)構(gòu)以及溝槽隔離結(jié)構(gòu)外側(cè)的區(qū)域為終端區(qū)；第二摻雜類型的漂移區(qū)，位...

公開了一種低壓差線性穩(wěn)壓器及其控制方法和電源管理系統(tǒng)，低壓差線性穩(wěn)壓器包括：主功率管和誤差放大器，誤差放大器根據(jù)基準(zhǔn)電壓和輸出電壓調(diào)節(jié)主功率管的控制端的電壓以調(diào)節(jié)輸出電壓；時鐘信號處理電路，將接收的第一時鐘信號延時第一時間得到第三時鐘信...

本申請公開一種智能功率模塊，包括：引線框架，具有多個基島和多個管腳；多個高側(cè)晶體管、多個低側(cè)晶體管、柵極驅(qū)動芯片，安裝在對應(yīng)基島上；塑封體，包覆引線框架、多個高側(cè)晶體管、多個低側(cè)晶體管、柵極驅(qū)動芯片，多個管腳沿塑封體的側(cè)邊延伸至外部，沿...

本申請公開了一種封裝結(jié)構(gòu)，封裝結(jié)構(gòu)包括：多層基板，包括多個基島、絕緣基板、散熱片，多個基島位于絕緣基板的第一表面，散熱片位于絕緣基板的第二表面，第一表面與第二表面相對；多個引腳，其中的每個引腳與多個基島中對應(yīng)的基島電連接；功率器件，安裝...