本發(fā)明的用水張力吸附的半導(dǎo)體襯底的夾持裝置包括：吸附盤和定位件，吸附盤通過螺紋固定在定位件下端的螺紋孔內(nèi)，在定位件上端開有定位槽，定位槽與螺紋孔相通，該定位槽是有一直角邊的圓孔，在定位件上表面的圓周上開有至少三個(gè)通向其外圓周和定位槽的引...

本技術(shù)涉及一種超短輕巧中波紅外連續(xù)變焦光學(xué)系統(tǒng)，沿入射紅外輻射傳輸方向，光學(xué)系統(tǒng)依次由前固定組、變倍組、補(bǔ)償組、調(diào)焦組、中繼組和中波HOT紅外探測器組成。本技術(shù)僅用Si、Ge兩種常用紅外材料，共6片透鏡，通過變倍透鏡組與補(bǔ)償透鏡組相對(duì)運(yùn)...

本發(fā)明涉及Micro?LED發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與優(yōu)化，具體涉及一種高亮度紅光Micro?LED結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述微腔結(jié)構(gòu)的鍵合陽極和陰極層形成兩個(gè)反射面，光程長度由能級(jí)匹配層、LED和陰極層的厚度和折射率決定，通過調(diào)節(jié)能級(jí)匹配層的厚度可實(shí)...

本發(fā)明涉及Micro?LED發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與優(yōu)化，具體涉及一種高亮度綠光Micro?LED結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述微腔結(jié)構(gòu)的鍵合陽極和陰極層形成兩個(gè)反射面，光程長度由能級(jí)匹配層、LED和陰極層的厚度和折射率決定，通過調(diào)節(jié)能級(jí)匹配層的厚度可實(shí)...

本發(fā)明涉及Micro?LED發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與優(yōu)化，具體涉及一種高亮度藍(lán)光Micro?LED結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述微腔結(jié)構(gòu)的鍵合陽極和陰極層形成兩個(gè)反射面，光程長度由能級(jí)匹配層、LED和陰極層的厚度和折射率決定，通過調(diào)節(jié)能級(jí)匹配層的厚度可實(shí)...

本發(fā)明的液封提拉法生長銻化鎵的孿晶處理方法包括：將銻化鎵多晶和液封劑粉末在坩堝內(nèi)加熱熔化，得到覆蓋有液封劑的銻化鎵熔體，籽晶桿夾持籽晶并接觸銻化鎵熔體液面，按提拉程序緩慢提升籽晶桿并降溫，使熔體在籽晶上結(jié)晶，最終提拉形成銻化鎵晶體，當(dāng)發(fā)...

本發(fā)明涉及Micro?OLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種防串光硅基OLED器件結(jié)構(gòu)及其制備方法，其結(jié)構(gòu)由下至上依次由CMOS基板、PDL層和子像素陽極間隔設(shè)置形成的混合層、有機(jī)層、陰極層、TFE層、OC1層和金屬反射層間隔設(shè)置形成的混合...

本技術(shù)提供一種陶瓷絕緣子芯柱修切固定裝置，包括底座，其特征在于底座上依次設(shè)有壓塊及頂蓋，底座及壓塊上設(shè)有上下相互對(duì)應(yīng)的若干通孔，其中：壓塊上的通孔內(nèi)均設(shè)有導(dǎo)電塊及彈簧，底座上的通孔內(nèi)均設(shè)有陶瓷絕緣子及芯柱。通過連接螺釘將底座、壓塊和頂蓋...

本發(fā)明公開了一種精確控溫的節(jié)流制冷器，包括：芯軸和驅(qū)動(dòng)件，芯軸外設(shè)置有肋片管換熱器，內(nèi)部設(shè)置有閥針，芯軸一端設(shè)置有制冷器底座，另一端設(shè)置有制冷器法蘭，制冷器法蘭上設(shè)置有節(jié)流塊；驅(qū)動(dòng)件設(shè)置于芯軸內(nèi)，傳動(dòng)機(jī)構(gòu)包括：轉(zhuǎn)換單元、外傳動(dòng)套、內(nèi)傳動(dòng)...

本發(fā)明公開了一種可變冷光闌紅外探測器測試杜瓦結(jié)構(gòu)，由杜瓦外殼、冷屏組件、轉(zhuǎn)動(dòng)裝置和冷頭組成；冷屏組件位于杜瓦外殼內(nèi)側(cè)上方并粘貼在冷頭的基板上方，用于降低雜散輻射；轉(zhuǎn)動(dòng)裝置安裝在杜瓦外殼的引線環(huán)法蘭上并延伸至冷屏部件上方，用于控制改變探測...

本發(fā)明涉及一種MEMS芯片晶圓級(jí)封裝真空度檢測方法及系統(tǒng)，包含：①將晶圓級(jí)封裝MEMS器件置于真空探針臺(tái)上進(jìn)行標(biāo)定，調(diào)整腔體真空度，記錄此時(shí)的真空度P<subgt;c</subgt;；記錄不同真空下的熱導(dǎo)G<subgt...

本技術(shù)公開一種防止拋光過程中晶片塌邊的夾具，包括拋光夾具和配重塊，拋光夾具的正面有置片槽和導(dǎo)流槽，背面中心位置有圓形槽，圓形槽的槽徑根據(jù)塌邊尺寸大小進(jìn)行決定，配重塊包括柱形和數(shù)片環(huán)形配重塊，環(huán)形配重塊套接在柱形配重塊上后其任意一端可活動(dòng)...

本發(fā)明公開了一種提升紅外探測器芯片穩(wěn)定性的ALD復(fù)合介質(zhì)膜及制備方法，復(fù)合介質(zhì)膜包括位于第一層和最后一層的無機(jī)介質(zhì)膜層及位于兩層無機(jī)介質(zhì)膜中間的若干層有機(jī)介質(zhì)膜層，方法包括：將芯片送入ALD腔內(nèi)；通入鋁源前驅(qū)體以及氧源，重復(fù)該步驟從而在...

本發(fā)明公開了一種基于TDC的兩步式單斜率ADC電路、轉(zhuǎn)換方法及應(yīng)用，包括：第一步采用M位單斜率SS?ADC，第二步精量化采用了高精度時(shí)間分辨率TDC，從粗量化到精量化的銜接上，通過殘余時(shí)間檢測模塊提取殘余時(shí)間給到TDC進(jìn)行計(jì)數(shù)量化，構(gòu)成...

本發(fā)明公開了一種高深寬比碲鎘汞環(huán)孔陣列制備方法，包括：在碲鎘汞材料的表面淀積鈍化層和犧牲層，在犧牲層上制備圖形化光刻膠，采用周期性變角度和能量的離子束刻蝕工藝制備環(huán)孔。該方法將犧牲層和薄光刻膠硬軟掩膜相結(jié)合，可降低光刻掩膜厚度，增大反濺...

本發(fā)明公開了一種連續(xù)變焦鏡頭凸輪曲線的擬合方法，屬于鏡頭光機(jī)設(shè)計(jì)領(lǐng)域。本發(fā)明將光學(xué)間隔變化規(guī)律轉(zhuǎn)化為凸輪曲線，凸輪曲線采用全行程參數(shù)化設(shè)計(jì)，以光學(xué)間隔設(shè)計(jì)容差為曲線擬合目標(biāo)，來控制曲線擬合精度。本發(fā)明求解的數(shù)學(xué)模型用于凸輪驅(qū)動(dòng)曲面輪廓的...

本發(fā)明的一種可見光和短波紅外雙波段探測器包括：管殼、蓋板、熱電制冷器、短波紅外芯片組、帶有腔體的多層陶瓷基板、微透鏡陣列、硅基可見光芯片、增透膜和圍堰膠，開有窗口的蓋板焊接在管殼的上端，帶有腔體的多層陶瓷基板固定在管殼的底板上，在陶瓷腔...

本發(fā)明公開了一種輕量化直線電機(jī)及線性壓縮機(jī)，所述直線電機(jī)的上外軟磁和內(nèi)軟磁呈圓環(huán)形，左右外軟磁的橫截面呈開口朝向上外軟磁的C字形，上外軟磁、左右外軟磁、內(nèi)軟磁共同構(gòu)成“C”形定子部件，上外軟磁和左右外軟磁包圍形成的空腔作為電機(jī)繞組的放置...

本發(fā)明公開了一種工業(yè)氣體泄漏檢測用紅外熱成像儀，包括光圈式非均勻性校正機(jī)構(gòu)、紅外光學(xué)鏡頭、底板、成像組件、成像電路板、散熱片、風(fēng)扇、溫度傳感器，光圈式非均勻性校正機(jī)構(gòu)與光圈固定筒連接，光圈固定筒套在紅外光學(xué)鏡頭前端外圓柱面上并與紅外光學(xué)...

本發(fā)明公開了一種定點(diǎn)式防爆型紅外遙測氣體檢漏儀，由兩軸雙光防爆云臺(tái)、窄帶紅外熱像儀、可見光及網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)模組組成；云臺(tái)由方位部件、俯仰部件、熱像護(hù)罩部件、可見光護(hù)罩部件、連軸套構(gòu)成，俯仰部件通過螺釘與方位部件連接，構(gòu)成兩軸方位軸系，熱像護(hù)...