本發(fā)明公開了一種工業(yè)氣體泄漏檢測用紅外熱成像儀，包括光圈式非均勻性校正機(jī)構(gòu)、紅外光學(xué)鏡頭、底板、成像組件、成像電路板、散熱片、風(fēng)扇、溫度傳感器，光圈式非均勻性校正機(jī)構(gòu)與光圈固定筒連接，光圈固定筒套在紅外光學(xué)鏡頭前端外圓柱面上并與紅外光學(xué)...

本發(fā)明公開了一種定點(diǎn)式防爆型紅外遙測氣體檢漏儀，由兩軸雙光防爆云臺、窄帶紅外熱像儀、可見光及網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)模組組成；云臺由方位部件、俯仰部件、熱像護(hù)罩部件、可見光護(hù)罩部件、連軸套構(gòu)成，俯仰部件通過螺釘與方位部件連接，構(gòu)成兩軸方位軸系，熱像護(hù)...

本發(fā)明涉及一種寬波段多光譜銦鎵砷探測器的制備方法，屬于銦鎵砷探測器技術(shù)領(lǐng)域。所述方法通過InP緩沖層、InAs<subgt;y</subgt;P<subgt;1?y</subgt;過渡層、In<subgt;...

本發(fā)明快速啟動(dòng)紅外探測器包括：杜瓦窗口、冷屏、紅外芯片、裝載基板、底板、杜瓦主體、杜瓦冷指、杜瓦內(nèi)管座、節(jié)流制冷器安裝座、節(jié)流制冷器底座、肋片管和濾光片，杜瓦內(nèi)管座固定在節(jié)流制冷器安裝座上，杜瓦主體下端固定在杜瓦內(nèi)管座上，杜瓦窗口下端固...

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種避免像素間橫向串?dāng)_的硅基OLED微型顯示器結(jié)構(gòu)，其中電荷產(chǎn)生層由下至上依次由N型電荷產(chǎn)生層、中間層和P型電荷產(chǎn)生層組成，中間層包括若干島狀區(qū)和空白區(qū)，所述島狀區(qū)自由分布于空白區(qū)內(nèi)。通過在電荷產(chǎn)生層中引...

本發(fā)明涉及原子沉積技術(shù)，特別是一種減少原子沉積腔室顆粒的方法，基于現(xiàn)有的原子沉積腔室結(jié)構(gòu)，其特征在于所述腔室采用6061鋁合金，通過對腔室進(jìn)行噴砂處理、超聲清洗和對腔室進(jìn)行表面氧化處理，在腔室內(nèi)表面生成一層氧化鋁膜層，獲得的腔室不容易脫...

本發(fā)明公開了一種非制冷紅外探測器的氧化釩刻蝕方法，該方法包括：1)提供襯底，在襯底表面形成氧化釩薄膜和氮化硅薄膜；2)在氧化釩薄膜和氮化硅薄膜上形成圖形化的光刻膠；3)刻蝕氮化硅薄膜，深度為1/3～2/3；4)去除光刻膠；5)采用氮化硅...

本發(fā)明涉及一種膠體量子點(diǎn)制造技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于ODT輔助合成制備HgTe量子點(diǎn)的方法，取油胺加入單口瓶中，再向瓶中依次加入HgCl<subgt;2</subgt;以及ODT，然后加入TOP?Te溶液，最后再溶液中注入四...

金摻雜硫化鉛膠體量子點(diǎn)光電探測器的暗電流抑制方法，涉及量子點(diǎn)技術(shù)。本發(fā)明的方法在石英襯底上通過磁控濺射生長金電極作為器件的底電極。在金電極上旋涂Au?NP摻雜的硫化鉛量子點(diǎn)溶液，再在量子點(diǎn)薄膜上方覆蓋EDT溶液進(jìn)行配體交換，配體交換后將...

本發(fā)明屬于量子點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體公開一種高質(zhì)量HgTe膠體量子點(diǎn)油墨及薄膜的制備方法，包括以下步驟：取HgTe膠體溶液；配體溶液制備：每5?mL的DMF溶液里中加入5?mg的DDAB、30?mg?HgBr<subgt;2</s...

本發(fā)明涉及的是OLED顯示器發(fā)光結(jié)構(gòu)的制作技術(shù)，具體涉及基于真空蒸鍍設(shè)備的OLED顯示器陰極，應(yīng)用于頂發(fā)射結(jié)構(gòu)的OLED顯示器上，其特征在于陰極材料采用聚乙烯二氧噻吩，其制作方法為用氯仿和醋酸的混合溶劑溶解3,4?乙烯二氧噻吩，然后加入...

一種高質(zhì)量Ag<subgt;2</subgt;Se膠體量子點(diǎn)（CQDs）的粒徑及摻雜調(diào)控方法，涉及量子點(diǎn)控制技術(shù)，本發(fā)明將含有Ag源的AgNO<subgt;3</subgt;和Se源的TOP?Se前驅(qū)體溶液，注射...

本發(fā)明涉及一種紅外熱像非均勻性校正參數(shù)及盲元表備份及遠(yuǎn)程恢復(fù)方法，屬于紅外熱像非均勻性校正參數(shù)及盲元表固化技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過串口將紅外熱像原本固化在成像電路存儲介質(zhì)FLASH中的所有非均勻性校正參數(shù)組及盲元表導(dǎo)出到本地PC端進(jìn)行備份，...

本發(fā)明涉及一種膠體量子點(diǎn)墨水及薄膜制造技術(shù)領(lǐng)域。具體為一種激子峰波長為2.0微米的PbS量子點(diǎn)墨水及薄膜的制備方法，所述PbS量子點(diǎn)墨水由PbS量子點(diǎn)粉末溶于N，N?二甲基甲酰胺、正丁胺、正己胺、吡啶混合溶液制備得到；再取PbS量子點(diǎn)墨...

本發(fā)明公開了一種碲鋅鎘晶片面形控制方法，該方法首先需確定實(shí)際工藝條件下碲鋅鎘晶片損傷層厚度和面形隨磨拋工藝過程中的普適變化情況；結(jié)合分析結(jié)果，在每次碲鋅鎘晶片表面處理前，通過化學(xué)腐蝕的方法去除碲鋅鎘晶片雙面的損傷層；同時(shí)在化學(xué)拋光前測量...

本發(fā)明涉及表面多層復(fù)合鍍層材料增強(qiáng)導(dǎo)熱的制冷型紅外探測器用杜瓦鎳基薄壁冷屏及其制備方法，屬于制冷型紅外探測器技術(shù)領(lǐng)域。該方法將內(nèi)表面已發(fā)黑處理的鎳基薄壁冷屏裝入電子束蒸發(fā)鍍膜夾具中；對電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備抽高真空；待電子束蒸發(fā)鍍膜設(shè)備真空...

本發(fā)明提供一種Ⅲ?Ⅴ族單晶的切割損傷深度測試方法，其特征在于包括以下步驟：S1，晶片表面清潔，S2，晶片初始厚度測量，S3，貼保護(hù)膜，S4，分步腐蝕得到階梯臺面，S5，擇優(yōu)腐蝕液使切割損傷顯現(xiàn)，S6，對晶片臺階表面進(jìn)行觀察和測試，S7，...

本發(fā)明提供一種帶電磁彈簧的線性壓縮機(jī)，包括主機(jī)體，設(shè)于主機(jī)體內(nèi)的由壓縮活塞和永磁體構(gòu)成的壓縮振子部件，以及由套設(shè)在缸套外壁上的內(nèi)軟磁，和固定在主機(jī)體上的線圈架及其內(nèi)的線圈構(gòu)成的定子部件，其特征在于主機(jī)體內(nèi)設(shè)有電磁彈簧，該電磁彈簧包括設(shè)于...

本發(fā)明公開了一種用于APD紅外探測器讀出電路的ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)，該ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)包括P型襯底；襯底中形成的N摻雜阱，構(gòu)成PMOS的體端；阱形成的兩個(gè)P摻雜有源區(qū)，構(gòu)成PMOS的源端和漏端；PMOS的柵端通過電阻與源端及體端相連。該ESD防...

本發(fā)明提供一種延時(shí)自調(diào)式節(jié)流制冷器及其方法，制冷用杜瓦，以及設(shè)于制冷用杜瓦內(nèi)的延時(shí)閥，其特征在于所述延時(shí)閥包括閥體，并在制冷用杜瓦與閥體之間設(shè)冷卻腔，閥體內(nèi)設(shè)有空腔，空腔內(nèi)設(shè)有其上帶延時(shí)復(fù)位機(jī)構(gòu)的移動(dòng)閥芯，該移動(dòng)閥芯將空腔分隔為可連通或...