本發明提供一種電荷泵電路及使用其的馬達。所述電荷泵電路包括電壓輸入模塊以及開關晶體管模塊。電壓輸入模塊用以提供輸入電壓。開關晶體管模塊用以接收供應電壓與輸入電壓，并對第一電容與第二電容充電。供應電壓與輸入電壓間具有電壓差。在第一充電期間...

本發明提供一種風扇系統、單相直流馬達控制電路及其控制方法，該單相直流馬達控制電路包括邏輯電路、切換電路及驅動電路。邏輯電路輸出第一、第二、第三及第四邏輯信號。切換電路依據脈寬調制信號及第一邏輯信號產生第一方向驅動信號，并且依據脈寬調制信...

本發明公開了一種溝渠式功率晶體管器件，包含有一半導體基底；一外延層，設于所述半導體基底上；至少一柵極溝槽，設于所述外延層中；一柵極氧化層，位于所述柵極溝槽內；一柵極，位于所述柵極溝槽中，所述柵極突出于所述外延層，且所述柵極上具有一凹陷結...

本發明公開了一種溝渠式功率半導體器件的制作方法。首先提供一基底；再于所述基底上形成一外延層；于所述外延層中形成至少一柵極溝槽；于所述柵極溝槽內形成一柵極氧化層；再于所述柵極溝槽中形成一柵極；然后進行一離子注入工藝，于所述外延層中形成一源...

本發明公開了一種半導體功率器件的制作方法，首先提供一半導體基底，其上形成有一外延層及一硬掩膜層；于硬掩膜層中形成一開口；于開口形成一側壁子；經由開口刻蝕外延層，形成第一溝槽；再沉積一摻質來源層；再將摻質來源層的摻雜物驅入到所述外延層中，...

本發明公開了一種半導體功率器件的制作方法，首先提供一半導體基底，其上形成有外延層；于外延層表面形成硬掩膜層，其具有第一開口；再經由第一開口刻蝕外延層，形成第一溝槽；修整硬掩膜層，將第一開口增寬為第二開口，并顯露出第一溝槽上緣的轉角部位；...

本發明實施例提供一種輸出級電路及其過電流保護方法與音頻放大系統，所述輸出級電路包括高側輸出驅動器、第一基極選擇器、低側輸出驅動器、第二基極選擇器與電感。當輸出電流大于電流門坎值而使得低側輸出驅動器過電流，禁能受控于第二控制信號的低側輸出...

本發明公開了一種半導體功率器件的制作方法，包含有一晶胞區域，設于一半導體基底上；至少一晶體管器件，設于所述晶胞區域內；一周邊耐壓區域，環繞所述晶胞區域；多個島狀的第一外延層，設于所述周邊耐壓區域內；以及一格狀的第二外延層，設于所述周邊耐...

本發明公開了一種半導體功率器件的制作方法。先提供一半導體基底，其具有多個芯片區域以及芯片區域間的劃線區域。再于半導體基底上形成第一外延層。再于第一外延層表面形成硬掩膜層，于硬掩膜層中形成至少一開口，經由開口刻蝕第一外延層，形成至少一溝槽...

本發明實施例提供一種散熱系統、轉速控制電路及其方法，轉速控制電路包括溫控電壓占空產生器、脈寬信號占空產生器、乘法器與轉速信號產生器。溫控電壓占空產生器將溫控電壓轉換為數字溫控電壓，并且根據第一設定數據進行線性內插運算，藉此輸出溫控電壓占...

本發明公開了一種功率半導體器件，包含有一具有第一導電型的半導體基底；一外延層，位于所述半導體基底上；一具有第二導電型離子阱，位于所述外延層中，其中所述離子阱具有一接面深度；一柵極溝槽，位于所述外延層中，且所述柵極溝槽的深度大于所述接面深...

本發明公開了一種功率半導體器件，包含有一半導體基底，具有第一導電型；一外延層，位于所述半導體基底上且具有所述第一導電型；一離子阱，具有第二導電型且位于所述外延層中，其中所述離子阱具有一接面深度；一柵極溝槽，位于所述離子阱中且所述柵極溝槽...

本發明公開了一種溝渠絕緣工藝。首先提供一基底，其上設有一墊層以及一硬掩膜層；于所述硬掩膜層上形成至少一開口、經由所述開口刻蝕基底，以形成一第一溝渠、于所述第一溝渠的側壁上形成一側壁子；經所述第一溝渠刻蝕基底，于所述第一溝渠下方形成一第二...

本發明公開了一種具有低密勒電容的半導體元件的制作方法，其步驟包含提供一第一導電型的半導體基底、于所述半導體基底上形成一外延層、于所述外延層中形成至少一柵極溝槽、于所述柵極溝槽的側壁形成一側壁子、刻蝕所述柵極溝槽的底部以形成一凹陷溝槽、進...

本發明公開了一種功率半導體器件，包含有一具有一第一導電型的基材；一半導體層，設在所述基材上，所述半導體層具有第一導電型；多個交替排列的第一導電型摻雜溝槽及第二導電型摻雜溝槽；一第一導電型擴散區，位于各所述第一導電型摻雜溝槽周圍的所述半導...

本發明公開了一種功率晶體管組件的制作方法。首先，提供具有一第一導電類型的一半導體基底，并在半導體基底中形成至少一溝槽。接著，在溝槽中填入一摻雜物來源層，并進行一第一熱趨入工藝，在半導體基底中分別形成具有一第二導電類型的兩個擴散摻雜區，其...

本發明公開了一種功率晶體管組件的制作方法，其包含有下列步驟。首先，提供一半導體基底，半導體基底具有一擴散摻雜區設于其中，且擴散摻雜區與半導體基底的表面相接觸，其中擴散摻雜區鄰近表面的摻雜濃度大于擴散摻雜區遠離表面的摻雜濃度。然后，進行一...

本發明公開了一種功率半導體裝置的制作方法，其特征在于包括提供一基底，其具有一第一導電型；在所述的基底上形成一半導體層，其具有一第二導電型；在所述的半導體層上形成一硬掩模圖案，其具有至少一開口，顯露出部分的所述的半導體層；進行第一次溝渠蝕...

本發明公開了一種具有超級接口的溝槽型功率晶體管組件的制作方法。首先，提供一具有一第一導電類型的基底。然后，于基底上形成一具有一第二導電類型的外延層。接著，于外延層中形成一穿孔，貫穿外延層。隨后，于穿孔的兩側的外延層中分別形成兩個具有第一...

本發明公開了一種具有超級接口的功率晶體管組件，其包括一基底、一第一外延層、一第二外延層以及一第三外延層。第一外延層設于基底上，并具有多個溝槽。第二外延層填滿溝槽，且第二外延層的上表面高于第一外延層的上表面。第二外延層具有多個穿孔，貫穿第...