本發明公開了一種金屬氧化物半導體場效應晶體管與肖特基二極管的整合組件，包括一定義有一金屬氧化物半導體場效應晶體管區與一肖特基二極管區的半導體基底；復數個設置于所述金屬氧化物半導體場效應晶體管區內的第一溝渠與復數個設置于所述肖特基二極管區...

本發明公開了一種制作半導體組件的方法，于半導體基底中同時制作出溝渠式金屬氧化物半導體晶體管組件以及嵌入式肖特基二極管組件。嵌入式肖特基二極管組件具有較低順向偏壓壓降而可減少電力損耗。此外，嵌入式肖特基二極管組件僅需通過改變肖特基耐壓摻雜...

本發明提供一種重疊溝槽式柵極半導體組件及其制作方法。重疊溝槽式柵極半導體組件包含一半導體基底、多個設置于半導體基底上的淺溝槽、一設置于淺溝槽中的第一導電層、多個分別設置于各淺溝槽中的深溝槽、一填滿深溝槽的第二導電層、一源極金屬層以及一柵...

本發明提供一種雙導通半導體組件及其制作方法，使雙導通半導體組件包括一具有一第一導電類型且具有一第一溝槽的外延層、一設置于第一溝槽內的一側壁上的第一柵極導電層、一設置相對于第一柵極導電層的第二柵極導電層以及一具有第一導電類型的摻雜區。摻雜...

本發明公開了一種具有可調輸出電容值的功率半導體組件包括一定義有一第一組件區以及一第二組件區的半導體基底、一設于第一組件區內的功率晶體管組件、一設于第二組件區的半導體基底內的重摻雜區、一設于重摻雜區上的電容介電層、一設于半導體基底的上表面...

本發明提供一種具備漏極電壓保護的功率半導體組件包含有一半導體基底、一溝槽式柵極晶體管組件以及一溝槽式靜電防護組件。半導體基底的上表面具有一第一溝槽與一第二溝槽。溝槽式柵極晶體管組件是設置于第一溝槽與半導體基底中，而溝槽式靜電防護組件設置...

本發明公開了一種溝渠式半導體組件及其制作方法。溝渠式半導體組件包括一溝渠式金屬氧化物半導體晶體管組件與一溝渠式靜電防護組件，且溝渠式靜電防護組件電性連接于溝渠式金屬氧化物半導體晶體管組件的柵極與源極之間，借此提供優良的靜電防護能力。溝渠...

本發明公開了制造功率半導體器件的方法，于襯底形成較寬溝槽及較窄溝槽，沉積第一柵極材料層，但較寬溝槽未被填滿。進行各向同性回蝕刻或各向異性回蝕刻，將位于較寬溝槽內及襯底原始表面上方的第一柵極材料層移除。進行傾角離子注入，于襯底原始表面及較...

本發明是一種嵌制電源熱插拔所造成電壓突波的電路及相關芯片，用于一電子裝置，該電壓突波嵌制電路，用以嵌制熱插拔所造成的一電壓突波，包含有：一緩沖單元，耦接于一輸入電源端，用來接收該電壓突波的一突波電流；以及一嵌制單元，耦接于輸入電源端與該...

本發明是一種具有低接面場效應晶體管區域阻值的半導體元件，其是一種高壓金屬氧化物半導體晶體管元件，包含有一基底；一半導體層，形成于該基底上；一柵極結構，形成于該半導體層上，具有一開口；一第一源極／漏極區及一第二源極／漏極區，形成于該柵極結...

本發明是一種改變輸出電壓以調整一馬達的轉速的馬達驅動電路，該馬達的一端耦接于一可變電壓源，該馬達驅動電路包含一馬達驅動單元、一電路控制單元及一判斷單元。馬達驅動單元包含一第一端耦接于該馬達的另一端、一第二端耦接于一接地端，及一第三端，用...

本發明為一種減震式風扇驅動電路，適用在一依據所取得電流信號運轉的風扇，其特征在于：所述的減震式風扇驅動電路設有一電流緩沖單元，所述的電流緩沖單元取得一電力源的驅動電流，并將上述具有變動幅度較大的驅動電流分割為復數變動幅度較小的連續變動驅...

本實用新型是一種具有調整工作周期的脈沖寬度調變架構，所述的脈沖寬度調變架構包括一直流電源供應單元、一信號產生單元、一分壓電阻單元、一基準電壓單元與一比較單元，當所述的直流電源供應單元提供一電壓信號給所述的分壓電阻單元時，所述的分壓電阻單...

本發明為一種馬達保護裝置及其方法，適用在一馬達，上述馬達保護裝置包括一偵測馬達運作狀態以輸出偵測訊號的偵測單元，一產生變動型基準訊號的基準單元，一比較所述的偵測訊號與所述的變動型基準訊號以判別所述的馬達是否出現異常的判別單元，以及一取得...