本公開涉及一種晶片級封裝，所述晶片級封裝包括第一薄化裸片(12)、多層再分布結構(18)、第一模化合物(20)以及第二模化合物(22)。所述第一薄化裸片包括由玻璃材料形成的第一裝置層(24)。所述多層再分布結構包括再分布互連件，所述再分...

本公開涉及一種帶有嵌入式有源熱電冷卻器的基板，其包括基板主體和嵌入基板主體中的熱電冷卻器。熱電冷卻器包括底側板和具有元件接觸墊的頂側板。元件接觸墊位于頂側板的頂表面上，頂側板的頂表面與基板主體的頂表面面向相同的方向并且暴露于基板主體的外...

使用電泳的傳感器可以包括微流體通道和位于微流體通道的相對側上以產生穿過通道或垂直于通道電場的電極。電場可以用于驅動材料(特別是在微流體通道中的流體中懸浮的材料)的帶電粒子朝向或遠離電極之一。可以調制電場以允許材料繼續流經微流體通道、去除...

一種微機電系統(MEMS)諧振器裝置，包括至少一種功能化材料，所述功能化材料布置在頂側電極的至少中心部分上，但是少于整個頂側電極。對于在中心點處表現出最大靈敏度并且沿其外圍具有降低的靈敏度的有源區域，在諧振器有源區域的至少一個外圍部分上...

本公開的實施方案涉及一種具有內部靜電屏蔽的體聲波(BAW)濾波器結構。在本文公開的示例性方面，屏蔽的BAW濾波器結構包括襯底、在所述襯底上方的多個換能器以及在所述襯底和所述多個換能器的頂部電極之間的平面靜電屏蔽體。所述多個換能器中的每一...

本公開涉及一種帶有電磁屏蔽的雙面模塊，所述屏蔽雙面模塊包括具有接地平面的模塊襯底、附接到所述模塊襯底的頂表面并且由第一模制化合物包封的至少一個頂部電子部件、附接到所述模塊襯底的底表面的多個第一模塊觸點、第二模制化合物以及屏蔽結構。所述第...

流體裝置包括基底結構，該基底結構包括具有流體通道的至少一個體聲波（BAW）諧振器結構，所述流體通道包含覆蓋有功能化材料的至少一個功能化活性區域，所述功能化材料適合于結合分析物。限定流體通道的壁結構、蓋結構、或基底結構的一部分中的一者或多...

本公開提供一種具有對有效區的減小的機械夾緊以用于增強的剪切模式響應的聲諧振器。更具體地，本公開提供一種固態裝配型BAW諧振器器件，其具有被帶有減小的壓電材料厚度的無效區橫向包圍的壓電材料的有效區，使得至少沿著有效區的邊界的無效區的上部部...

一種牢固安裝的諧振器結構包括多層聲反射器結構和布置在第一電極結構和第二電極結構之間以形成有源區的壓電材料層，其中所述聲反射器結構提供聲學振動的剪切模式和縱向模式的增強反射。所述牢固安裝的諧振器結構構造成轉換包含縱向分量和剪切分量的聲波。...

本發明涉及一種功率放大器(PA)系統，所述功率放大器(PA)系統被設置在半導體裝置中并且具有前饋增益控制。所述PA系統包括發送路徑和控制電路。所述發送路徑被配置來放大輸入射頻(RF)信號并且包括第一諧振電路和PA級。所述控制電路被配置來...

公開了具有至少一個倒裝芯片管芯的倒裝芯片模塊。所述倒裝芯片模塊包括具有頂表面的載體，其中第一模制化合物位于所述頂表面上。第一模制化合物設置于所述載體的所述頂表面上。第一薄化的倒裝芯片管芯位于所述第一模制化合物的第一部分之上，其中互連件延...

一種流體設備，包括襯底、至少一個體聲波(BAW)諧振器結構和至少部分地由所述至少一個BAW諧振器結構界定的流體通道。該流體設備還包括至少一個流體通孔，該流體通孔通過襯底的至少一部分限定，由此允許在流體設備的相對的上表面和下表面上提供流體...

一種微機電系統(MEMS)導波裝置包括單晶壓電層、以及被配置成將橫向激發波限制在所述單晶壓電層中的至少一個導波限制結構。粘結界面設置在所述單晶壓電層與至少一個下層之間。多頻率裝置包括布置在單晶壓電層的不同厚度區上或其中的第一組電極和第二...

通過質量放大和在高頻率下操作，增強薄膜體聲波諧振(TFBAR)傳感器的靈敏度。

分析物氧化還原與沉淀前體氧化還原耦合，產生在薄膜體聲波諧振(TFBAR)表面上沉淀的沉淀分子，以允許質量檢測沉淀分子作為分析物的替代。本公開尤其描述用在高頻率操作的TFBAR檢測分析物，而不用使分析物直接結合到TBAR表面上。分析物檢測...

各種實施方案提供一種靜電放電(ESD)保護裝置。所述ESD保護裝置可包括以層的形式形成于彼此頂部上的次集電極、集電極、基極和發射極。所述發射極可包括與所述基極中所包括的半導體不同的半導體以形成異質結。所述ESD保護裝置可包括設置在所述次...