一種源信號線驅動器，適用于存儲器裝置，用以驅動耦接至多個閃存的多個源信號線。此源信號線驅動器包括多個源信號線驅動單元以及控制電路。每一源信號驅動單元用以驅動對應的源信號線，且每一源信號線連接至兩列閃存。控制電路耦接于共通接點以及接地線之...

本發明涉及一種更新一存儲模塊的方法和電路。在接收確定一將被更新的字線的一更新地址后，該更新地址是位于該存儲模塊中一預定數量的存儲區塊中被監控的該存儲區塊。該方法更進一步判斷當該存儲區塊被監控期間，該字線是否有存取動作。如果判斷結果該字線...

本發明是一種控制電壓位準的電路、偏壓偵測電路以及補償方法，所述控制電壓位準的電路，其包括第一ＰＭＯＳ晶體管、ＭＯＳ次門坎電流源以及第一不隨偏壓改變電流源。第一ＰＭＯＳ晶體管耦接第一電壓耦合器，第一ＰＭＯＳ晶體管的柵極與漏極彼此耦接。ＭＯ...

一種測定方法及測定系統，用于集成電路中測定嵌入式存儲器宏模組的數據存取時間。單一外部測試信號輸入至嵌入式存儲器宏模組以致能數據輸入，并獲取數據輸出。單一外部測試信號的脈沖寬度以遞增方式增加，直到獲得數據輸出的閂鎖。接著，可以獲得數據存取...

本發明提供一種有多余備份功能的電保險絲儲存格及其多余備份的方法。該有多余備份功能的電保險絲儲存格包含：一第一組電保險絲，其包含至少一電保險絲；以及一第二組電保險絲有至少一電保險絲，提供多余備份給第一組電保險絲的至少一電保險絲，其中如果第...

本發明提供一種存儲裝置以及判斷存儲單元的寫入電流的方法。該方法包括提供第一參考電流至第一操作線以切換存儲單元至第一存儲狀態；提供第二參考電流至跨越第一操作線的第二操作線以切換存儲單元至第二存儲狀態；根據第一比例以及第一參考電流得到第一寫...

本發明提供一種存儲器系統及只讀存儲器系統，用以縮短存儲單元的存取時間。上述存儲器系統包括：至少一存儲單元、至少一位線放電次系統，具有至少一放電模組，每個放電模組耦接至位線，而位線又耦接至至少一存儲單元，用以在放電控制信號觸發時，將位線降...

本發明提供一種存儲裝置、非易失性存儲裝置以及微處理系統。所述存儲裝置，包括第一存儲單元陣列、第二存儲單元陣列以及第三存儲單元陣列。第一存儲單元陣列是用以儲存至少一碼。第二存儲單元陣列是用以儲存較碼為更常更新的至少一數據。第三存儲單元陣列...

一種抑制存儲器陣列裝置中的編程干擾的系統以及方法。該系統包括位線譯碼器以及偏壓電阻模塊。位線譯碼器耦接至存儲器陣列的每一位線，用于提供預設電流轉向路徑。偏壓電阻模塊設置于閃存陣列的位線，且具有預設提供電壓所提供的拉升電流。在編程連接至該...

本發明公開了一種非易失性存儲單元，根據軟擊穿機制存儲數據，存儲器包括電阻耦接金屬氧化物半導體的柵極或源／漏極。當軟擊穿發生在金屬氧化物半導體裝置上時，流經柵極介電層的漏電流增加，并通過檢測漏電流的改變以得知存儲器的狀態。本發明還公開了一...

一種內建式自我測試啟動方法，適用于啟動待測電路中的內建式自我測試，包括：　　　　在至少一個存儲器模塊中配置具有預定尺寸的至少一個存儲器區段，作為測試結果模塊；　　　　啟動適用于上述待測電路的內建式自我測試；以及　　　　存儲測試結果于上述...

本發明是揭露一種數據寫入方法，適用于設置于磁性隨機存取存儲器ＭＲＡＭ陣列中的ＭＲＡＭ存儲單元的３－參數切換技術。本發明所揭露的技術是改變ＭＲＡＭ陣列的干擾邊界與寫入邊界之間的關系，以透過增加原寫入邊界或是增加原干擾邊界而降低陣列的整體干...

一種靜態隨機存取存儲器（ｓｔａｔｉｃ　　ｒａｎｄｏｍ　　ａｃｃｅｓｓ　　ｍｅｍｏｒｙ，ＳＲＡＭ）存儲單元，包括上拉ＭＯＳ裝置、下拉ＭＯＳ裝置、以及通柵ＭＯＳ裝置。上拉ＭＯＳ裝置具有第一驅動電流。下拉ＭＯＳ裝置耦接上拉ＭＯＳ裝置，且具有第...

非易失性磁性隨機存取存儲（ＭＲＡＭ）單元及其寫入與制造方法。該ＭＲＡＭ單元包括字線，位線，以及磁性薄膜存儲元件設置于該字線與位線的交叉處。該磁性薄膜存儲元件包括由烯土元素及過渡金屬元素構成的合金。被施加加熱電流時，該字線可進行加熱運作以...

一種用以感測一存儲單元阻態的電路，其特征在于，該存儲單元能切換于一高阻態與一低阻態之間，包括：　　　　一高參考單元位于高阻態；　　　　一低參考單元位于低阻態；　　　　一電壓供應器提供一既定電壓至該存儲單元以產生一輸出電流；　　　　一組差...

本發明提供一種靜態隨機存取存儲器單元以及陣列，該靜態隨機存取存儲器單元包括第一負載元件、第一下拉晶體管，以及耦接于第一負載元件與第一下拉晶體管之間的開關盒。開關盒用以接收開關控制信號，在上述靜態隨機存取存儲器單元的讀出操作期間，切斷位于...

本發明提供一種用以提升存儲器裝置的可靠度的系統及其方法，該存儲器裝置中包括一或多個存儲器區塊，每一所述存儲器區塊具有一或多個主存儲器單元列以及一或多個備用存儲器單元列。至少一內建自我測試單元耦接至所述存儲器區塊，用以測試所述備用存儲器單...

本發明提供一種存儲器測試的方法，用以測試有多個單元板及多個位線板的存儲器，包括下列步驟：將存儲器置于測試模式；套用測試樣本至存儲器；當寫入“１”到既定單元時，提供第一電壓到單元板，第一電壓高于一正供應電壓的一半；當寫入“０”到既定單元時...

一種非易失性存儲單元以及存儲器系統，用多端口改善讀出存取。電阻形式存儲器系統包括安排在陣列內的多個電阻形式存儲單元。各電阻形式存儲單元具有對應的第一端口以及對應的第二端口。各第一端口能夠讀出存取以及寫入存取至對應的電阻形式存儲單元。此外...

本發明提供一種靜態隨機存取存儲器裝置。該靜態隨機存取存儲器（ＳＲＡＭ）裝置包含至少一存儲器單元，具有一源極線以接收一內部供應電源；以及一電壓管理電路，耦接至該源極線以產生該內部供應電源，依照該存儲器單元各種不同的運作模式將該內部供應電源...