一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括在一晶體管的一柵極結(jié)構(gòu)上的一柵極接觸結(jié)構(gòu)。該柵極接觸結(jié)構(gòu)包括一金屬通孔，其穿過(guò)一介電層且接觸該柵極結(jié)構(gòu)的一柵極電極。該金屬通孔包括具有電阻率與平均自由路徑的低乘積值的一金屬，諸如釕。在該金屬通孔與該柵極電...

本技術(shù)提供一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體襯底、內(nèi)連線以及至少一個(gè)熱通孔。半導(dǎo)體襯底包括至少一個(gè)有源構(gòu)件。內(nèi)連線被設(shè)置在至少一個(gè)有源構(gòu)件上方且與至少一個(gè)有源構(gòu)件電耦合。至少一個(gè)熱通孔貫穿內(nèi)連線并與至少一個(gè)有源構(gòu)件熱耦合，其中至少...

本技術(shù)的實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括彼此堆疊并接合的第一半導(dǎo)體管芯和第二半導(dǎo)體管芯、密封第一和第二半導(dǎo)體管芯的接合界面的封蓋層以及設(shè)置在第二半導(dǎo)體管芯上方并覆蓋第一半導(dǎo)體管芯和封蓋層的絕緣包封體。第一半導(dǎo)體管芯包括第一部分和連接到第一部...

本技術(shù)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置包括第一集成電路、第二集成電路以及接合層。接合層位于第一集成電路和第二集成電路之間，其中接合層包括第一層和第二層，第一層為氮化鋁(AlN)層，以及第二層為氧化鋁(AlO)層和氮氧化鋁(AlON)層中一者。

集成電路包括第一有源區(qū)域組以及第一柵極組和第二柵極組。第一有源區(qū)域組在第一方向上延伸，并且位于第一層級(jí)上。第一有源區(qū)域組對(duì)應(yīng)于第一晶體管。第二柵極組在第二方向上延伸，位于第二層級(jí)上，并且與第一有源區(qū)域組重疊。第一柵極組對(duì)應(yīng)于第一晶體管。...

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件以及形成半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括在目標(biāo)層上方形成第一掩模層，在第一掩模層上方形成多個(gè)間隔件，在多個(gè)間隔件上方形成第二掩模層，并圖案化第二掩模層以形成第一開(kāi)口，其中，在平面圖中，開(kāi)口的主軸在與多個(gè)間隔...

提供半導(dǎo)體裝置及形成方法。例示性方法包含接收晶體管，包含柵極結(jié)構(gòu)于通道區(qū)上方，第一及第二源極∕漏極部件耦合至通道區(qū)，及介電結(jié)構(gòu)于第一及第二源極∕漏極部件上方；形成第一溝槽延伸穿過(guò)介電結(jié)構(gòu)以露出第一源極∕漏極部件，形成第二溝槽延伸穿過(guò)介電...

一種半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)及其形成方法。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)包含設(shè)置在基板上方的互連結(jié)構(gòu)、設(shè)置在互連結(jié)構(gòu)上方的第一介電層、以及設(shè)置在第一介電層上的第二介電層。第二介電層包括具有大于約20的k值及小于約5eV的帶隙的介電材料。半導(dǎo)體裝置結(jié)構(gòu)還包含設(shè)置在...

一種封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法，封裝結(jié)構(gòu)包含封裝基板、半導(dǎo)體模組、復(fù)合熱界面材料(TIM)層、封裝蓋基板以及反應(yīng)性界面層，其中半導(dǎo)體模組位于封裝基板上，復(fù)合熱界面材料層包含在聚合物基質(zhì)中的液態(tài)金屬、且位于半導(dǎo)體模組上，封裝蓋位于復(fù)合熱界面材料...

根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括背側(cè)介電層、位于背側(cè)介電層上方的背側(cè)蝕刻停止層(ESL)、位于背側(cè)ESL上方并且沿著第一方向彼此間隔開(kāi)的第一源極/漏極部件和第二源極/漏極部件、設(shè)置在第一源極/漏極部件與第二源極/漏...

形成半導(dǎo)體器件的方法包括：通過(guò)在鰭上方依次形成介電材料、犧牲材料、第一半導(dǎo)體材料和第二半導(dǎo)體材料而在鰭上方形成層堆疊件；在層堆疊件上方形成偽柵極結(jié)構(gòu)；在偽柵極結(jié)構(gòu)的相對(duì)側(cè)上形成源極/漏極區(qū)域；在偽柵極結(jié)構(gòu)周圍的源極/漏極區(qū)域上方形成層間...

本公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括具有前側(cè)和背側(cè)的襯底；SRAM電路，其具有形成在襯底的前側(cè)上的SRAM位單元，其中每個(gè)SRAM位單元包括交叉耦合在一起的兩個(gè)反相器、耦合到兩個(gè)反相器的兩個(gè)寫(xiě)入傳輸門(mén)、耦合到兩個(gè)反相器的讀取下拉器件和耦合...

在實(shí)施例中，拋光系統(tǒng)可以包括拋光臺(tái)。該拋光系統(tǒng)還可以包括：位于拋光臺(tái)上的拋光墊；配置為保持晶圓與拋光墊接觸的拋光頭；電容傳感器，配置為在拋光工藝期間測(cè)量晶圓上的介電薄膜的電容；以及電連接到電容傳感器的控制器。控制器可以配置為基于測(cè)量到的...

本申請(qǐng)的實(shí)施例公開(kāi)了存儲(chǔ)器電路及其操作方法。存儲(chǔ)器電路包括：第一存儲(chǔ)器單元和第二存儲(chǔ)器單元，分別通過(guò)第一位線和第二位線耦合到第一感測(cè)放大器；第三存儲(chǔ)器單元和第四存儲(chǔ)器單元，分別通過(guò)第三位線和第四位線耦合到第二感測(cè)放大器；以及參考電路，被...

提出了光學(xué)器件及其制造方法，其中接收第一光學(xué)封裝件，第一光學(xué)封裝件包括第一定位開(kāi)口和插座開(kāi)口。將插座插入插座開(kāi)口和第一定位開(kāi)口中，以便接入第一光學(xué)封裝件內(nèi)的邊緣耦合器。

本公開(kāi)的實(shí)施例提供了半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法。半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)包括第一源極/漏極區(qū)、與第一源極/漏極區(qū)相鄰設(shè)置的第二源極/漏極區(qū)、設(shè)置在第一源極/漏極區(qū)上方的接觸蝕刻停止層、設(shè)置在接觸蝕刻停止層上方的第一層間介電(ILD)層、設(shè)置在接觸...

描述了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。一種示例性方法包括：接收包括n型晶體管和p型晶體管的中間結(jié)構(gòu)，在n型晶體管和p型晶體管下形成介電結(jié)構(gòu)，形成各自延伸穿過(guò)介電結(jié)構(gòu)的第一溝槽和第二溝槽，第一溝槽暴露n型晶體管的源極/漏極部件的底面，第...

光學(xué)器件及其制造方法被呈現(xiàn)，其中光纖陣列單元被連接至第一光學(xué)封裝件。在實(shí)施例中，光纖陣列單元使用第一突起和開(kāi)口進(jìn)行被動(dòng)對(duì)準(zhǔn)，并且然后在被動(dòng)對(duì)準(zhǔn)之后進(jìn)行主動(dòng)對(duì)準(zhǔn)。一旦對(duì)準(zhǔn)，光纖陣列單元使用粘合劑粘合。

本技術(shù)提供一種用于懸臂梁的雙電容調(diào)平系統(tǒng)，其包括：壓電區(qū)，包括底電極層、壓電層和頂電極層；第一電容，包括底電極層，第一絕緣膜和初級(jí)金屬層，初級(jí)金屬層電連接至頂電極層；二極管，電連接至底電極層；和位于二極管上的第二電容，包括與二極管電連接...

本新型的實(shí)施例提供一種集成電路，包括：多個(gè)主動(dòng)組件可操作地彼此耦合以形成集成電路，其中所述多個(gè)主動(dòng)組件設(shè)置在襯底的正面上方；多個(gè)虛設(shè)組件，所述多個(gè)虛設(shè)組件的每一個(gè)橫向設(shè)置為緊鄰一個(gè)或多個(gè)所述主動(dòng)組件，其中所述多個(gè)虛設(shè)組件形成在所述正面之...