本申請公開了一種溝槽隔離結構及半導體器件，涉及半導體技術領域，本申請的溝槽隔離結構，包括基體，基體上至少包括第一凹槽和第二凹槽，其中第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度，第一凹槽的槽底設置第一隔離體，第二凹槽的槽底設置第二隔離體，第一隔離體...

本申請提供了一種半導體離子注入設備及系統，涉及半導體技術領域。該半導體離子注入設備包括燈絲和絕緣組件，燈絲包括第一引腳和第二引腳，絕緣組件包括第一絕緣組件、第二絕緣組件和第三絕緣組件。其中，第一絕緣組件的一端套設于第一引腳上，第二絕緣組...

本技術涉及半導體設備技術領域，具體而言，涉及一種晶圓承載臺取片真空管路設備。晶圓承載臺取片真空管路設備包括承載平臺、第一管道、第二管道、第三管道、真空控制閥和三通控制閥；第二管道能夠作為真空運輸的管道，以使得從承載平臺、第一管道、三通控...

本申請提供了一種推拉力測試裝置，涉及芯片檢測技術領域。其包括安裝臺、測試組件、載物件以及動力單元。其中，測試組件和載物件沿著安裝臺的長度方向依次設置于安裝臺；載物件用于放置芯片框架底座；測試組件包括推力計和推針，推力計設置于安裝臺上，推...

本技術提供了一種氧分析儀保護裝置及晶圓退火設備，涉及半導體制備技術領域。氧分析儀保護裝置應用于氧分析儀，氧分析儀與晶圓退火腔體通過氣體采樣管連接。氧分析儀保護裝置包括氮氣管路以及閥門機構。閥門機構包括第一閥門以及第二閥門，第一閥門設置于...

本技術涉及補液技術領域，提供了一種補液抽壓裝置、系統及濕法設備。補液抽壓裝置包括控制器、感應器、急停閥和抽壓模塊，并且控制器分別與感應器、急停閥和抽壓模塊電連接，感應器和急停閥設置于補液管上且感應器按照補液管的液體流向位于急停閥的上游；...

本申請提共了一種芯片加工設備與系統，涉及半導體技術領域。該芯片加工設備包括主閥、連接管路以及爐管，所述主閥通過所述連接管路與所述爐管的爐口處連通，所述主閥還連接于出氣裝置；其中，所述主閥設置于遠離所述爐口的位置。本申請提共的芯片加工設備...

本申請提供了一種控制電路以及刻蝕真空系統，其中，該控制電路，包括：電源模塊、互鎖控制模塊以及開關模塊；互鎖控制模塊包括：供電控制單元以及連接控制單元；連接控制單元的輸出端分別與等離子刻蝕機的入口載鎖以及等離子刻蝕機的出口載鎖連接；供電控...

本技術提供了一種晶圓處理系統以及料盒翻轉裝置，涉及半導體制造領域。該晶圓處理系統包括上料子系統以及晶圓加工機臺。上料子系統包括倒片機構以及料盒翻轉機構，晶圓加工機臺包括上料口。料盒翻轉機構設置于上料口與倒片機構之間，包括馬達、傳動皮帶、...

本申請提供一種電動工具，涉及半導體技術領域，包括本體，本體上可拆卸連接有用于和光刻機的絲杠的移動軸承對接的鎖口部，本體內設置有電源、與電源連接的電源開關、調速模塊、與調速模塊連接的馬達，調速模塊和馬達還分別與電源開關連接；馬達和鎖口部連...

本申請實施例提供一種芯片制造設備氣體凝結裝置和芯片制造設備。涉及半導體工藝氣體處理技術領域。芯片制造設備氣體凝結裝置包括管道和格擋件；格擋件安裝于管道內壁；格擋件用于當氣體通過時，對氣體形成阻擋作用，并將氣體中的部分物質凝結在格擋件上，...

本申請提供一種晶圓機臺，涉及半導體技術領域，通過將承載平臺的尺寸設計為大于或等于晶圓的實際尺寸，以使得承載平臺能夠充分支撐并容納晶圓的整個表面，尤其是對應于晶圓周緣的位置。為了進一步增強對晶圓的固定穩定性，在承載平臺對應于晶圓周緣的位置...

本申請提供一種取片工具，涉及半導體技術領域，包括：手柄和與所述手柄連接的吸盤，所述吸盤上設置有吸取孔，所述手柄具有與所述吸取孔連通的通道，所述通道連接真空裝置，以用于通過所述通道向所述吸取孔輸送真空吸取位于工裝上的晶圓。采用真空吸取晶圓...

本發明提出一種二極管集成式制造方法及集成式二極管，屬于半導體技術領域，制造方法包括：在TMBS的外延襯底上劃分TMBS區和TVS區，在TVS區上形成PN結，并在TVS區上形成TVS溝槽柵，在TMBS區上形成TMBS溝槽柵；在TMBS區形...

本申請公開了一種爐管機及半導體加工設備，涉及半導體加工技術領域，本申請的爐管機，包括機臺以及設置于機臺上的反應管，反應管包括容置晶舟的反應腔以及供晶舟進入或退出反應管的出入口，出入口處對應晶舟的邊緣設置檢測組件，在晶舟進入或者退出反應腔...

本申請提供一種自動吹掃裝置，涉及自動吹掃技術領域，該自動吹掃裝置中包括接近開關、第一中間繼電器、第一電磁閥以及第一執行氣缸；其中，接近開關用于設置在待吹掃的預設工作臺面，接近開關的電連接預設電源的正電源線，接近開關的另一端通過第一中間繼...

本申請公開了一種晶圓清潔裝置及半導體加工設備，涉及半導體加工技術領域，本申請的晶圓清潔裝置，包括機臺以及晶圓傳輸通道上的轉動盤、檢測組件和新增的吹氣組件，轉動盤的頂部表面吸附晶圓并帶動晶圓轉動，檢測組件設置于轉動盤中心195mm處的一側...

本申請提供了一種金屬層光刻返工方法，涉及半導體制造技術領域。該金屬層光刻返工方法包括以下步驟：提供一待光刻返工的晶圓片；其中，晶圓片包括金屬層，金屬層表面具有第一光刻膠，金屬層包括鋁元素。采用干法去膠工藝去除第一光刻膠；采用清洗劑沖洗所...

一種冷卻室結構及晶圓加工設備，涉及半導體加工技術領域。該冷卻室結構包括：冷卻腔室和設置在冷卻腔室內的升降環，冷卻腔室具有晶圓入口，升降環與晶圓入口位置對應，用以水平放置進入冷卻腔室的晶圓，晶圓入口處設有蓋板，蓋板朝向升降環的一側設有晶圓...

本申請提供了一種傳送手臂控制裝置及方法，涉及半導體技術領域。該裝置包括：前光幕、后光幕、控制器、電機和傳送手臂。前光幕、后光幕、電機均與控制器連接，電機還與傳送手臂連接。其中，前光幕和后光幕均設置于固定架處，且當硅片位于固定架時，前光幕...