本申請?zhí)峁┮环N光刻機(jī)及半導(dǎo)體加工設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該光刻機(jī)包括：光刻機(jī)本體、設(shè)置于光刻機(jī)本體上的至少一個(gè)緊急停機(jī)按鈕以及報(bào)警電路；報(bào)警電路中接觸器接觸頭的靜觸頭、交流直流轉(zhuǎn)換器的輸入端用于電連接交流供電電源；交流直流轉(zhuǎn)換器的直流...

本發(fā)明的實(shí)施例提供一種原位摻雜層制備方法及半導(dǎo)體器件，涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域。該原位摻雜層制備方法包括：提供一帶有溝槽的襯底；沿溝槽的表面生長氧化層；在溝槽內(nèi)生長預(yù)設(shè)厚度的多晶硅層時(shí)，按照預(yù)設(shè)的摻雜氣體濃度、預(yù)設(shè)的摻雜氣體流量通入摻雜氣...

本申請公開了一種溝槽隔離結(jié)構(gòu)及其形成方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，本申請的溝槽隔離結(jié)構(gòu)形成方法，包括：提供襯底，襯底的一個(gè)側(cè)面上形成多個(gè)用于隔離設(shè)置器件的凹槽；采用化學(xué)氣相沉積在凹槽的表面形成第一介電層；采用熱氧工藝以使反應(yīng)離子穿透第一介電...

本申請實(shí)施例提供一種氮化鎵功率器件，涉及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域。本氮化鎵功率器件包括逐層設(shè)置的襯底、緩沖層、勢壘層。勢壘層的遠(yuǎn)離襯底的一面間隔設(shè)置有P型氮化鎵層和漏極金屬，P型氮化鎵層的遠(yuǎn)離襯底的一面設(shè)置有柵極金屬；在勢壘層的遠(yuǎn)離襯底的...

本技術(shù)的實(shí)施例提供了一種排水氣分離裝置，涉及半導(dǎo)體排液領(lǐng)域。該排水氣分離裝置包括反應(yīng)槽體、緩排槽體以及主排液管，緩排槽體設(shè)置于反應(yīng)槽體的下方，緩排槽體的頂部和反應(yīng)槽體連通，緩排槽體的頂部設(shè)有排氣口，排氣口用于在反應(yīng)槽體內(nèi)的液體進(jìn)入緩排槽...

本申請?zhí)峁┝艘环N爐管填充片與晶圓加工裝置，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該爐管填充片置于晶舟的底部與頂部，爐管填充片包括：硅襯底；位于硅襯底一側(cè)的氧化層；位于氧化層的遠(yuǎn)離硅襯底一側(cè)的氮化硅層；其中，氧化層的厚度大于氮化硅層的厚度。本申請?zhí)峁┑臓t管...

本申請?zhí)峁┮环N離子注入設(shè)備與系統(tǒng)，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該離子注入設(shè)備包括殼體、燈絲、第一燈絲套管、第二燈絲套管、第一法蘭和第二法蘭，第一燈絲套管和第二燈絲套管均鑲嵌在殼體的入口處，第一燈絲套管朝殼體內(nèi)部的一端與第一法蘭連接，第二燈絲套管...

本申請?zhí)峁┝艘环N外門控制裝置與晶圓加工設(shè)備，涉及晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域。該外門控制裝置應(yīng)用于晶圓加工設(shè)備，晶圓加工設(shè)備包括腔體、出口以及外門，出口連通腔體，外門設(shè)置于出口處；外門控制裝置包括驅(qū)動(dòng)模塊、開關(guān)模塊以及檢測模塊，開關(guān)模塊分別與檢測模...

本技術(shù)提供了一種過濾裝置及過濾設(shè)備，涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域；一種過濾裝置，包括固定件、至少兩個(gè)的濾芯以及至少一個(gè)濾芯承載網(wǎng)；濾芯承載網(wǎng)上設(shè)置卡槽；濾芯上設(shè)置有過濾網(wǎng)孔；至少兩個(gè)濾芯通過卡槽固定在濾芯承載網(wǎng)內(nèi)；固定件設(shè)置在至少一個(gè)濾芯承載網(wǎng)上...

本技術(shù)的實(shí)施例提供了一種機(jī)臺(tái)保養(yǎng)排氣裝置，涉及機(jī)臺(tái)保養(yǎng)領(lǐng)域。該機(jī)臺(tái)保養(yǎng)排氣裝置包括防護(hù)罩以及排氣管，所述防護(hù)罩設(shè)置于機(jī)臺(tái)主腔體的外部，所述防護(hù)罩的側(cè)壁設(shè)有作業(yè)部，所述排氣管和所述防護(hù)罩的頂部連接，所述排氣管外接排風(fēng)系統(tǒng)。防護(hù)罩直接罩設(shè)在...

本技術(shù)提供了一種溝槽氧化層結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域；溝槽氧化層結(jié)構(gòu)包括：外延片；位于外延層外的溝槽；填充于溝槽內(nèi)的第一多晶硅層、第二多晶硅層以及氧化層；第二多晶硅層包括第一多晶硅區(qū)，第二多晶硅區(qū)；第一多晶硅區(qū)位于第二多晶硅區(qū)下...

本申請?zhí)峁┝艘环N去膠機(jī)與晶圓處理系統(tǒng)，涉及去膠技術(shù)領(lǐng)域。該去膠機(jī)包括第一腔體、第二腔體、電磁閥門、真空系統(tǒng)以及驅(qū)動(dòng)模塊，電磁閥門與第一腔體、第二腔體連通，真空系統(tǒng)與電磁閥門連接，電磁閥門還與驅(qū)動(dòng)模塊電連接；其中，驅(qū)動(dòng)模塊包括控制器，控制...

本申請?zhí)峁┝艘环N晶舟結(jié)構(gòu)與晶圓加工設(shè)備，涉晶舟技術(shù)領(lǐng)域。該晶舟結(jié)構(gòu)包括第一端板、第二端板、第一支撐柱、第二支撐柱、第三支撐柱以及第四支撐柱，第一支撐柱、第二支撐柱、第三支撐柱以及第四支撐柱的兩端均分別與第一端板、第二端板可拆卸連接，第一...

本發(fā)明實(shí)施方式提出一種半導(dǎo)體金屬化方法及半導(dǎo)體器件，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，通過在待金屬化的半導(dǎo)體器件的金屬硅化物制作金屬阻擋層，并通過該金屬阻擋層形成第一通槽，從而將第一通槽作為待填充通槽，在待填充通槽內(nèi)制作金屬阻擋層，進(jìn)而采用電鍍的方式...

本發(fā)明實(shí)施例提供了基于半導(dǎo)體器件的光刻方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域；方法包括：提供蝕刻溝槽后的外延片；在外延片上涂布至少兩次負(fù)光刻膠，其中負(fù)光刻膠涂布于外延片的臺(tái)面并填充溝槽；對涂布后的光刻膠進(jìn)行曝光；并在預(yù)設(shè)條件下對曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影...

本發(fā)明提供了一種微粒清掃裝置及方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，該微粒清掃裝置包括：微粒檢測模塊、預(yù)警模塊、清掃模塊、開關(guān)模塊；預(yù)警模塊分別與微粒檢測模塊、開關(guān)模塊連接；清掃模塊分別與開關(guān)模塊、微粒檢測模塊連接；清掃模塊設(shè)置在微粒檢測模塊的上方...

本申請實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件制作方法和半導(dǎo)體器件，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：S1.提供一帶有溝槽的外延片；S2.與豎直方向呈大于0的角度注入離子，使離子經(jīng)過溝槽穿過溝槽壁面注入到外延層形成預(yù)注入?yún)^(qū)域；S3.在溝槽沉積多晶硅以...

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種增加溝槽底部氧化層厚度的方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。增加溝槽底部氧化層厚度的方法包括：S1：在硅片上刻蝕出硅溝槽；S2：在硅片上以及硅溝槽內(nèi)生長緩沖氧化層；S3：在緩沖氧化層上生長第一多晶硅淀積層、并摻雜；S4：刻...

本發(fā)明實(shí)施例提出一種SGT

本申請?zhí)峁┝艘环NSGT器件制作方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。首先提供一包含溝槽的外延片，再沿外延片與溝槽的表面淀積場氧層，沿溝槽內(nèi)淀積第一多晶硅并進(jìn)行回刻，接著刻蝕溝槽內(nèi)的部分第一多晶硅，以形成槽內(nèi)多晶層，再對場氧層進(jìn)行減薄，并露出槽內(nèi)多晶...