本發明提供某些氟化烷基錫化合物，可認為其可用于將含錫膜氣相沉積到微電子裝置襯底表面上。本發明還提供制備所述前體化合物的方法及使用這些化合物將含錫膜沉積到微電子裝置襯底上的方法。

描述了處理含有至少兩種氣體的氣體混合物的方法、系統及設備，其通過使所述氣體混合物與薄膜接觸來實現，所述薄膜允許所述氣體中的一種優先流動通過薄膜，以從所述混合物中分離出一種組成氣體。

一種過濾器殼體包含套筒、聯接到所述套筒的第一開口端的第一端蓋以及聯接到所述套筒的第二開口端的第二端蓋。所述套筒包含具有外徑向部分和內徑向部分的內部容積。所述第一端蓋包含連接到所述套筒的所述內部容積的所述外徑向部分和所述內徑向部分的第一多...

一種用于裝納生物過程流體的生物過程袋，其包含具有第一開口及第二開口的框架、接合到所述框架以覆蓋所述第一開口的第一層膜及接合到所述框架以覆蓋所述第二開口的第二層膜。所述框架、所述第一層膜及所述第二層膜形成用于裝納所述生物過程流體的封閉空間...

本發明描述可用于容納高壓流體的高壓過濾器外殼和設備，以及制造和使用所述高壓過濾器設備的方法，其中示例外殼包含具有互補錐形接頭表面的第一部件和第二部件，所述互補錐形接頭表面可形成不透流體的密封件，而無需在所述表面之間放置墊片。

一種連接組合件包含歧管。所述歧管包含：第一板，其具有第一縱向槽和第二縱向槽；第二板，其具有側壁和從所述側壁延伸的凸緣；桿，其可樞轉地耦合到所述第一板和所述第二板；第一軸桿；以及第二軸桿。所述凸緣配置成支撐可移除筒。所述桿配置成使所述第二...

本發明描述了高壓過濾設備，所述高壓過濾設備包含沿著主體的周界具有焊縫的第一和第二部件及放置在所述焊縫周圍且環繞所述焊縫的套管。

本發明提供可用作將含硅材料氣相沉積于微電子裝置表面上的前體的某些硅基胺化合物。此類前體可與任選的共反應物一起使用以沉積含硅膜，諸如氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氧碳氮化硅(SiOCN)、碳氮化硅(SiCN)及碳化硅。

本發明涉及一種用于制備疏油含氟聚合物乳液的方法。所得含氟聚合物乳液于聚酯纖維(例如聚酯(PET)、聚丙烯(PP)及織造及非織造織物)上具有極佳疏水及疏油改性能力(作為涂層)。因此，經如此涂覆的織造及非織造材料可用于通氣過濾器應用中。

本發明提供一種用于制備疏油含氟聚合物的經改進工藝。發現所得含氟聚合物有效賦予多孔聚合物膜(例如PTFE)疏水及疏油特性。所述經處理的PTFE膜可達到6或更大的疏油等級(根據AATCC?118?1997撥油性測試方法)及低空氣通量損失。

本公開提供一種吸附劑，其可經結構化用于晶片容器微環境中。這些吸附劑的裝載物可針對要從所述晶片容器微環境移除的特定污染物而定制。所述裝載物可包含用于一或多種污染物的吸附劑，所述污染物包含酸、堿、可冷凝有機化合物、及/或揮發性有機化合物。所...

描述用于施加固化聚合物覆蓋涂層到表面上，明確來說用于施加覆蓋涂覆固化聚合物涂層到可用作用于處理半導體晶片的靜電卡盤的襯底的表面上的技術。通過施加液體噴霧溶液涂層到靜電卡盤的整個表面上且然后在覆蓋涂層的整個表面區域上固化所述覆蓋涂層的聚合...

本發明提供制備某些具有烷基和芳基取代基的有機錫化合物的簡易方法。這些化合物可用作合成某些經烷胺基?和烷氧基?取代的烷基錫化合物的中間體，所述烷基錫化合物轉而可用作在用于微電子裝置制造的例如極端紫外光(EUV)光刻技術中沉積高純度氧化錫膜...

本發明提供了適用于拋光通常存在于微電子器件上的含過渡金屬表面的組合物。在一個方面中，本發明提供了一種組合物，其包括：液體載劑；二氧化鈦磨料粒子，其中所述粒子至少部分經氧化鋁或非晶硅石涂覆以提供經涂覆的二氧化鈦磨料粒子；其中所述經涂覆的二...

在一種晶片容器中，擴散器經定位使得其更靠近所述晶片容器的中心線。此改進所述晶片容器內的清潔氣體的分布。所述擴散器能夠經定位使得其的位置對應于后壁的凹入中心面板。所述擴散器能夠經定位使得所述擴散器之間相對于容納于所述晶片容器內的晶片的中心...

本發明提供用于拋光例如具有大于約6的莫氏硬度的硬質材料的硬質材料的經改進漿液。示范性硬質表面包含藍寶石、碳化硅、氮化硅及氮化鎵及金剛石。在本發明的組合物及方法中，令人驚訝地發現包括添加劑的唯一組合的新穎組合物在漿液中均勻地分散具有廣泛范...

一種設備包含光罩盒。所述光罩盒包含具有第一表面的基座板、具有第二表面的蓋及至少一個層。所述第一表面包含第一配合表面。所述第二表面包含第二配合表面。所述至少一個層經接合到所述第一配合表面的至少一部分及所述第二配合表面的至少一部分中的一或多...

一種無菌低溫耦合組合件包含第一連接器、第二連接器，及經安置于第一或第二連接器中的墊圈。所述第一及第二連接器包含經配置以將所述第一及第二連接器耦合在一起且對準所述第一及第二連接器中的開口的第一保持特征及第二保持特征。所述墊圈經形成以在被冷...

本公開涉及一種過濾器濾筒和一種用于過濾器濾筒中的過濾器部件的端蓋。所述過濾器濾筒包含：外殼；過濾器部件，其安置在所述外殼內；和端蓋，其安置在所述外殼內，位于所述過濾器部件與所述外殼之間。所述外殼包含具有入口的第一末端、與所述第一末端相對...

本發明涉及用于選擇性濕式蝕刻含有氮化硅(SiN)和多晶硅兩者的微電子裝置表面的組合物和方法。如所描述的蝕刻組合物包含磷酸、某些多晶硅腐蝕抑制劑以及某些硅烷。發現所述兩種組分的組合可極大地改進所述氮化硅蝕刻組合物在多晶硅存在下的選擇性。