一種用于過濾液體的過濾單元包含：外殼，其具有入口及出口；第一過濾器及第二過濾器，其經安置于所述外殼中；及液體流動路徑，其從所述入口延伸到所述出口。所述液體流動路徑引導所述液體徑向向內及徑向向外中的一者穿過所述第一過濾器的第一過濾介質，及...

一種半導體處理設備包含：襯底，其包括聚合物材料層；及導電聚合物涂層，其涂覆所述襯底的所述聚合物材料層的至少一部分，其中所述導電聚合物涂層包括共軛聚合物，其中所述導電聚合物涂層具有小于400ng/g的總可萃取金屬，且其中所述導電聚合物涂層...

一種過濾器包含具有內部空間的外殼，其中所述外殼具有至少一個開口端。所述過濾器進一步包含經安置在所述外殼內的薄膜，所述薄膜具有沿所述外殼的長度方向延伸的長度，及至少被設置在所述外殼的所述內部空間中的擋板。所述擋板包含至少兩個擋板分隔件，所...

一些實施例涉及一種前體，包含用于氣相沉積的前體。所述前體包含脂肪族烴和至少一個二硅烷氨基團。所述至少一個二硅烷氨基團連接至所述脂肪族烴。所述至少一個二硅烷氨基團不包含硅烷化物基團。一些實施例涉及一種制造所述前體的方法。所述方法包含使多元...

本申請涉及用于過濾應用的墊片以及包括所述墊片的裝置。提供用于過濾應用的墊片。用于過濾裝置的墊片包括基底，所述基底包括環狀聚烯烴。所述基底包括用于過濾平均顆粒大小大于50μm的顆粒的多個通孔。還提供過濾組合件、過濾裝置以及相關系統和方法。

使用氮化硅的選擇性沉積能夠通過允許氮化硅僅沉積在所選擇及所要的區域中來消除常規圖案化步驟。在ALD或脈沖CVD模式中交替使用碘化硅前體及熱氮源，氮化硅能夠優先沉積在例如氮化硅、二氧化硅、氧化鍺、SiCO、SiOF、碳化硅、氮氧化硅及低k...

光罩盒包括內盒，其中運動限制特征限制蓋及底板相對于彼此的平移移動。所述運動限制特征是對包括在所述內盒中的粗略對準特征的補充。所述運動限制特征在所述粗略對準特征將抵抗所述平移移動之前抵抗所述移動。運動限制特征可包括提供抵靠接觸表面的摩擦的...

本公開涉及一種高壓流體存儲系統，其具有可執行壓力調節器裝置的功能的至少一個壓力感測一體式裝置(PSUD)。所述PSUD可經制造為單個一體式構造，其中外殼主體及內部壓力調節機構兩者是由單個單元、材料或兩者制成。所述PSUD不具有任何焊接組...

本發明提供可用于微電子裝置、尤其含有一或多個包含疏水性碳或SiC的表面的裝置的CMP后清潔的組合物和方法。一般來說，所述組合物包含螯合劑；水可混溶溶劑；還原劑；和pH調節劑，其中所述組合物具有約2到約13的pH。

本申請涉及PEEK膜以及有關方法和裝置。描述了使用聚(醚醚酮)型聚合物PEEK制成的多孔聚合物過濾膜、包括所述PEEK膜的裝置，以及制備和使用所述PEEK膜的有關方法。

本申請涉及分層微孔膜產品和相關方法。描述含有在膜的區域的一部分處結合在一起的兩個或更多個膜層的多孔膜產品、用于制備所述多孔膜產品的方法和系統，以及使用所述多孔膜產品的方法。

本發明提供用于硬表面(例如金剛石表面)的最終修整的方法。在此方法中，結合已知拋光漿料使用具有約0.2nm到約100nm的表面粗糙度且具有例如范圍從約0.02mm到約5mm的厚度及30或更高的肖氏D硬度的光滑墊來提供具有優異光滑光潔度的金...

一種高壓流體存儲系統，其具有可執行壓力調節器裝置的功能的至少一個壓力感測一體式裝置(PSUD)。所述PSUD可經制造為單個一體式構造，其中外殼主體及內部壓力調節機構兩者是由單個單元、材料或兩者制成。所述PSUD不具有任何焊接組件，也非由...

本公開涉及通過射出成型形成的大型聚合物容器，其包含主體，所述主體具有界定內部空間的高密度及平滑度的內部表面。所述大型聚合物容器可包含外部特征，例如與所述容器主體一體地形成的加強肋，所述加強肋具有比所述容器的壁的其它部分更大的厚度。所述內...

本公開提供用于單烷基化環戊二烯結構的合成的方法，所述結構可經由富烯中間物獲得。在一個實施例中，所述環戊二烯環經三烷基硅烷基部分取代，此使得能夠進一步與某些金屬鹵化物反應以形成金屬加合物。舉例來說，經三甲基硅烷基取代的單烷基環戊二烯可與T...

一種高壓流體存儲系統，其具有可執行壓力調節器裝置的功能的至少一個壓力感測裝置(PSD)。所述PSD可經由增材制造工藝制造以包含第一及第二單個一體式構造，其中外殼主體及內部壓力調節機構在所述工藝期間一起制成。所述PSD可在無任何焊接組件或...

本發明提供某些含鉬化合物，據信所述含鉬化合物適用于將含鉬膜氣相沉積到各種微電子裝置襯底的表面上。在一個方面中，本發明提供一種用于將含鉬膜沉積到微電子裝置襯底上的工藝，所述工藝包括在反應區中在氣相沉積條件下將襯底暴露于如本文中所述的式(I...

本發明提供一種用于制備氫化雙(經單烷基取代的環戊二烯)鎢化合物(例如二氫化雙(異丙基環戊二烯基)鎢)的方法，所述方法通過提供相應鎂化合物及六氯化鎢、接著用氫化物試劑處理來實現。還提供一種用于制備雙(經單烷基取代的環戊二烯)金屬鹵化物化合...

本技術涉及一種過濾器濾筒和一種用于過濾器濾筒中的過濾器部件的端蓋。所述過濾器濾筒包含：外殼；過濾器部件，其安置在所述外殼內；和端蓋，其安置在所述外殼內，位于所述過濾器部件與所述外殼之間。所述外殼包含具有入口的第一末端、與所述第一末端相對...

本發明提供某些有機錫化合物，相信所述有機錫化合物可用于含錫膜到微電子裝置襯底的表面上的氣相沉積以及EUV?可圖案化膜的沉積。本發明還提供某些新穎前驅組合物。還揭示使用某些新穎前驅物形成膜的方法。