本公開描述在微孔膜載體的表面含有交聯化氟化離子聚合物的孔洞聚合膜復合物和相關方法。

一種設備包括：機械臂；及臂末端附接件，其固定地附接到所述機械臂，其中所述臂末端附接件包括：所述臂末端附接件的固定部分，其固定地附接到所述機械臂，所述固定部分適于接收所述臂末端附接件的可更換部分；所述臂末端附接件的第一可更換部分，其適于從...

光罩容器包含磁性閂鎖以關閉所述容器且夾緊裝納在所述容器內的光罩。所述磁性閂鎖包含至少一個磁體及另一鐵磁材料，所述另一鐵磁材料可為另一磁體或磁性可吸引材料。可操縱所述磁體及所述另一鐵磁材料中的至少一者以緊固或打開所述容器。所述操縱可包含外...

本申請關于用于襯底容器的清洗流體分配系統及其執行方法。一種襯底容器包含界定內部空間的殼體及清洗流體分配系統。所述殼體包含前開口、底壁及后壁。所述清洗流體分配系統接收清洗氣體流且包含入口及分開的氣體分配裝置的網絡，所述分開的氣體分配裝置經...

本揭示內容提供能夠從液體組合物去除極小微粒的多孔膜。在某些實施例中，所述多孔膜包含聚(四氟乙烯)，其中所述膜至少部分地涂布有從烯系不飽和單體的自由基反應制備的聚合物，其中所述單體包含具有酰胺部分的單體。在特定實施例中，所述膜能夠通過過濾...

本申請涉及用于襯底容器的緩沖保持器。本發明提供一種襯底保持器(110)，其呈現可適應上面的襯底對齊的位置的大變化的基本上均勻接觸面(128)。允許所述均勻接觸面(128)偏轉并壓縮以便消除襯底(114)被所述襯底保持器(110)損壞或被...

本申請涉及用氟退火膜涂布的制品。與具有優良耐化學性和結構完整性的涂層相關的制品和方法可以在介于約150℃與低于300℃之間的低處理溫度下通過原子層沉積和氟退火制備。所述膜包含含有釔的氟化金屬氧化物。

本發明提供在非配位溶劑中進行的從三烷基鋁物質和鋁烷醇鹽制備二烷基鋁烷醇鹽的穩健方法。在某些實施例中，所述反應可通過使用至少一個靜態混合器來促進。

光罩容器包含含有彈簧的旋轉閂鎖。所述彈簧提供將所述光罩容器的片段帶向彼此的力，使得所述容器中的光罩夾緊在所述容器片段之間。所述旋轉閂鎖可包含在所述光罩容器的蓋或底板中的一者上的作為組合件的部分的頭部，其中經配置以容納所述頭部的狹槽設置于...

提供一種用于半導體制造工藝的清潔刷。所述清潔刷包含芯及刷部件。所述芯包含圓周部分及閉端部分。所述圓周部分包圍所述清潔刷的旋轉軸線且界定用于接收流體的入口開口。所述閉端部分經連接到沿所述旋轉軸線與所述入口開口相對的所述圓周部分的端。至少一...

本發明提供用于存在二氧化鈰的化學機械拋光后清潔操作的組合物。在一個方面中，本發明提供一種包含還原劑、螯合劑、氨基(C6?C12烷基)醇和水的組合物；其中所述組合物具有小于約8的pH。可發現本發明的組合物在例如多晶硅(poly?Si)襯底...

本公開描述多孔燒結無機體，其包含由不同類型的金屬粒子制成的多個層，其可用作濾膜，且還描述制作及使用所述多孔燒結無機體的方法。

一種空氣過濾系統包含光催化反應器及所述光催化反應器的上游的第一空氣過濾器。所述光催化反應器包含光催化劑組合物及經配置以照射所述光催化劑組合物的燈。所述光催化劑組合物經配置以分解空氣中的一或多種揮發性有機化合物。所述第一空氣過濾器經配置以...

一種握柄包含力矩限制裝置。所述力矩限制裝置包含多個從動部件及多個驅動部件。所述多個驅動部件經配置以在第一方向上驅動所述多個從動部件以轉動閥。響應于轉動所述閥，所述多個驅動部件在達到力矩閾值時與所述多個從動部件脫離。當所述力矩限制裝置達到...

本發明提供一種氧鹵化物前驅物。本發明提供一種制備鉬和鎢氧鹵化物化合物的方法，所述氧鹵化物化合物適用于將含有鉬和鎢的薄膜沉積于微電子裝置的各個表面上。在本發明方法中，在固態介質中或在包含有包含堿金屬鹽和/或堿土金屬鹽的共晶摻合物的熔融相反...

本申請涉及一種導電聚合物層，其位于靜電卡盤上。所述導電聚合物層包括導電聚合物及光敏聚合物。所述導電聚合物的導電性促進通過所述導電聚合物層進行的電荷消散，而所述光敏聚合物的光敏性允許所述導電聚合物層的表面被光圖案化。所述導電聚合物層導電及...

本發明提供適用于CMP后清潔操作、特別是那些含有經暴露銅表面的襯底中的組合物。本發明的組合物提供這些襯底的極佳清潔，同時顯示存在于所述襯底的表面的二氧化硅和有機材料的缺陷較少。還提供一種使用這些組合物清潔微電子裝置襯底的方法和在兩個或更...

本技術描述高壓過濾器設備，其在外殼部件與末端部件之間具有密封表面，其特征在于，所述高壓過濾器設備包括：所述外殼部件，其包括第一錐形接頭表面，過濾腔室，以及流體流開口，其連接到所述過濾腔室；過濾器，其位于所述過濾腔室中，所述末端部件，其包...

本發明描述了高壓過濾設備，所述高壓過濾設備包含沿著主體的周界具有焊縫的第一和第二部件及放置在所述焊縫周圍且環繞所述焊縫的套管。

總的來說，本發明提供一種將氮化硅膜沉積到微電子器件襯底上的方法。所述方法使用選自鹵代硅烷化合物、式R<subgt;2</subgt;NH化合物、氨基硅烷和氫氣的前體和共反應物。如此形成的氮化硅膜具有增加的硅的比例，同時提供均...