本公開涉及利用石墨烯或石墨材料的模制化合物熱增強。公開了一種具有熱增強模制化合物的半導體封裝。所公開的半導體封裝包括具有上表面的模塊載體、形成于所述模塊載體的所述上表面上的管芯以及形成于模塊載體的所述表面上以包封所述管芯的熱增強模制化合...

公開一種超寬帶集成電路(10)，其具有發射器(12)、接收器(14)以及配置成存儲所述發射器(12)與接收器(14)之間的飛行時間的非易失性存儲器(16)。還包含配置成與配置成計算所述飛行時間的處理器(20)通信的數字接口(18)。進一...

公開一種低噪聲放大器系統。包括：主放大器，其具有耦合到RF輸入的主輸入和連接到RF輸出的主輸出；以及阻抗放大器，其具有耦合到所述RF輸入的阻抗輸入和耦合到所述RF輸出的阻抗輸出，其中所述阻抗放大器被配置成提供到所述主放大器的輸入阻抗匹配...

本公開涉及緊湊型低噪聲放大器系統。公開一種低噪聲放大器系統。包括：主放大器，其具有耦合到RF輸入的主輸入和連接到RF輸出的主輸出；以及阻抗放大器，其具有耦合到所述RF輸入的阻抗輸入和耦合到所述RF輸出的阻抗輸出，其中所述阻抗放大器被配置...

本公開涉及使用偏置電路系統的功率放大器中的調幅調相AM

本公開涉及高功率回退效率非對稱堆疊式差分正交負載調制PA。公開一種負載調制放大器，其具有被配置成放大射頻信號中低于閾值電平的第一部分的第一功率放大器。第二功率放大器具有被配置成共源共柵配置以放大所述射頻信號中高于所述閾值電平的第二部分的...

公開用于信道估計的系統和方法。在一個方面，限定序列的超互補集合(SCS)，并且更任選但更具體地，從所述SCS產生超互補零和互相關(SZC)序列塊并發送到接收器。所述接收器接收包含通過信道頻率偏移(CFO)變形的所述SCS或SZC序列塊的...

公開了功率組合裝置以及更特定地，公開用于空間功率組合裝置的天線結構。空間功率組合裝置包含放大器組件，所述放大器組件具有由主體結構支撐的放大器和天線結構。主體結構可包含更接近所述空間功率組合裝置的中心軸線的內表面，其中所述內表面具有從所述...

本公開涉及多爾蒂功率放大器。公開了一種放大器，所述放大器具有被配置為共發射極載波功率級的載波放大器和被配置為共發射極峰值功率級的峰值放大器。進一步包含功率自適應偏置電路系統，所述功率自適應偏置電路系統耦合在所述載波放大器與所述峰值放大器...

提供評估測距測量的合理性的系統和方法。在一些實施例中，一種評估測距測量的合理性的方法包括：從遠程裝置獲得所述測距測量；獲得與所述測距測量相關聯的一個或多個測量值；以及基于與所述測距測量相關聯的所述一個或多個測量值，確定所述測距測量的合理...

公開了一種具有預分組傳輸檢測的并發多標準檢測接收器。在一個方面中，接收器被配置成在兩種不同的無線協議之間切換，交替地進行：基于一種協議收聽傳入消息，接著基于另一種協議收聽傳入消息。對于至少一個收聽時間段，所述接收器使用被配置成檢測可預測...

公開一種具有不同柵極長度的場效應晶體管(FET)跨導裝置。在一個方面中，在差分架構中使用不同有效柵極長度以同時獲得線性偶數和奇數階運算。在具體方面中，所述有效柵極長度可以根據差分Multi

公開了一種可利用多個配置操作的電力管理設備。在本文公開的實施例中，所述電力管理設備可被配置成基于包含單個電力管理集成電路(PMIC)的配置或包含PMIC和分布式PMIC的配置來同時生成多個調制電壓。無論所述配置如何，所述電力管理設備采用...

本公開涉及一種混合體聲波濾波器。RF濾波電路包括第一節點、第二節點以及在所述第一節點與所述第二節點之間的串聯信號路徑。數個聲學諧振器經由所述串聯信號路徑耦合到所述第一節點和所述第二節點中的一個或多個。所述聲學諧振器中的第一個與第一品質因...

本公開涉及集成壓阻(PZR)和壓電微機械超聲換能器(PMUT)裝置及相關的處理方法。一種混合傳感器，其包含：壓阻元件，所述壓阻元件用于感測施加的力；壓電微機械超聲換能器(PMUT)，所述PMUT用于感測所述混合傳感器的閾值距離內對象的存...

本公開涉及跳過UWB測距輪次以降低移動電話功耗的方法。一種由第一配備超寬帶(UWB)的裝置執行以用于降低UWB功耗的方法包括根據第一測距時間間隔在多個測距輪次中，將一個或多個UWB測距信號發送至第二配備UWB的裝置，以及從第二配備UWB...

本公開涉及一種具有豎直堆疊的多個封裝級的多級三維(3D)封裝。每個封裝級包含重布結構和在所述重布結構上方的裸片區段。每個裸片區段包含基本上不包含硅基板并且具有幾微米與幾十微米之間的厚度的薄化裸片、模制化合物和中間模制化合物。在本文中，所...

本公開描述了一種前端模塊(FEM)和其制造方法。在所公開的FEM中，包含具有金屬層的裝置區域的薄化倒裝芯片裸片駐留于模塊載體上方。模制化合物駐留于所述模塊載體上方、圍繞所述薄化倒裝芯片裸片，并且延伸超過所述薄化倒裝芯片裸片的頂表面，以在...

公開一種具有箝位和反饋保護電路系統的功率放大器。在一個方面，所述功率放大器最初由整體大小相對有限的快速作用的箝位電路保護。后續操作允許相對緩慢地作用的反饋環路主導對所述功率放大器的保護。通過提供各自針對特定保護階段優化的兩個保護電路，相...

公開一種用于包絡跟蹤集成電路(ETIC)的虛擬射頻(VRF)均衡器。在一個方面，ETIC為接近多爾蒂(BD)功率放大器級提供包絡跟蹤(ET)。所述VRF均衡器包含提供由所述BD功率放大器級的負載調制引起的紋波抵消的電路系統。包含額外電路...