示例實施例涉及一種能選擇性地中斷向執行單個操作的電路供電的存儲器裝置。該存儲器裝置包括電源線、接地源線、功率門控開關電路和具有多個字線驅動器電路的行譯碼器。字線驅動器電路基于譯碼后的行地址當中的第一最高有效位（MSB）信號被分為第一組和...

一種半導體裝置包括：基底；雙向晶體管、以及電連接到雙向晶體管的多個二極管元件，并且雙向晶體管包括主溝道層、主勢壘層、第一柵電極和第二柵電極、主勢壘層與第一柵電極之間的第一柵極半導體層、主勢壘層與第二柵電極之間的第二柵極半導體層、第一柵電...

提供了一種非易失性存儲器裝置及其操作方法。所述非易失性存儲器裝置包括：存儲器單元陣列，包括連接到多條字線和多條位線的多個存儲器單元；頁緩沖器單元，包括通過所述多條位線連接到所述多個存儲器單元的頁緩沖器；以及控制邏輯電路，被配置為：基于讀...

示例圖像傳感器包括具有多個像素的第一層和具有外圍電路的第二層。外圍電路通過多條行線和多條列線連接到所述多個像素，以驅動所述多個像素。第二層堆疊在第一層上。所述多個像素中的每個包括光電二極管、浮置擴散區域、傳輸晶體管和放大晶體管，由光電二...

一種存儲器設備包括：存儲器單元陣列，包括與對應于多個行的多個字線耦合的正常單元和每行激活計數（PRAC）單元；刷新控制電路，被配置為基于刷新命令來刷新對應于多個行的多個字線；以及激活生成電路，被配置為基于激活命令來生成行激活信號。行激活...

一種集成電路裝置包括：有源區域，其在襯底上在第一方向上縱向地延伸；柵極結構，其包括在有源區域上在與第一方向垂直的第二方向上縱向地延伸的柵極線、高電介質層和界面電介質層；納米片，其布置在有源區域的鰭上表面上并且接觸柵極結構；源極/漏極區域...

一種半導體裝置包括：柵電極結構，包括在與基底的上表面垂直的第一方向上彼此間隔開的柵電極；絕緣圖案，設置在柵電極之間；第一電容器電極，在第一方向上延伸穿過柵電極結構和絕緣圖案，第一電容器電極包括金屬；介電圖案，在第一電容器電極的側壁上；以...

一種控制方法，包括：將從主機接收的多個源數據單元中的源數據單元劃分為多個源組塊；針對多個源組塊中的每一個生成唯一值；將唯一值插入到源數據單元的源布隆過濾器中；針對源布隆過濾器計算與多個活動存儲數據單元中的每一個的存儲布隆過濾器的漢明相似...

提供了一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：第一基底，包括單元陣列區域和在平面圖中圍繞單元陣列區域的第一劃線區域；存儲器單元陣列，在單元陣列區域上；壩結構，在第一劃線區域上，壩結構在平面圖中圍繞存儲器單元陣列，并且壩結構包括面...

一種支撐裝置，包括：支撐部，被配置為支撐用于拋光基板的拋光部；緊固部，被配置為緊固拋光部和支撐部；和傾斜調節部，被配置為調節拋光部的傾斜，緊固部包括：緊固主體，該緊固主體附接到拋光部的側表面；突起，該突起從緊固主體向外突出，并且該突起在...

提供了一種半導體器件，該半導體器件包括：第一晶體管結構，包括第一n型場效應晶體管NFET和在其垂直上方的第一p型場效應晶體管PFET，第一NFET具有比第一PFET更大的溝道寬度；以及第二晶體管結構，包括第二PFET和在其垂直上方的第二...

一種電極陣列裝置包括：第一電極陣列，包括被配置為接觸目標的多個電極；第一有源芯片，被配置為用第一電極陣列使用第一頻率范圍對目標執行第一測量功能，并且從第一電極陣列接收與第一頻率范圍對應的第一輸入信號；第二有源芯片，被配置為用第一電極陣列...

一種車輛系統可以包括：傳感器，被配置為檢測制動踏板的位置、多個電池單元的狀態或車輛外部的第一圖像中的至少一個，并生成檢測信息；以及汽車存儲裝置，包括存儲控制器和非易失性存儲設備，存儲控制器被配置為基于檢測信息生成車輛信息，車輛信息包括第...

本公開涉及存儲設備領域，并且提供了用于提高基于NAND的存儲設備的寫入太字節數（TBW）的方法和系統。塊重新分配系統以一定間隔監測每個獨立塊池的最大擦除計數（GEC）。此外，塊重新分配系統基于GEC來確定候選獨立塊池，該候選獨立塊池的擦...

提供了一種用于調整安全裕度的移動機器及其移動方法。該移動方法包括通過感測移動機器的周圍對象來生成表示周圍對象的點云，通過使用點云來確定周圍對象之間的通道候選，基于規劃路徑從通道候選中選擇目標通道，基于目標通道的寬度來設置安全裕度，以及基...

提供了一種通信處理器及該通信處理器的操作方法。該通信處理器包括：信號處理電路，配置為對接收信號執行干擾白化操作，并對接收信號執行符號檢測操作和信道解碼操作以輸出比特數據；控制器，配置為控制信號處理電路，并接收關于接收信號的信道狀態信息或...

提供了半導體存儲器裝置和制造半導體存儲器裝置的方法。所述半導體存儲器裝置包括：有源圖案，在第一方向和第二方向上布置，以形成行和列，有源圖案包括彼此間隔開的第一垂直半導體圖案和第二垂直半導體圖案；位線，在第二方向上延伸，并連接到所述列中的...

一種半導體存儲器裝置包括：模制結構，包括多個柵電極；柵電極切割圖案，通過沿著平面切割所述多個柵電極將模制結構分離為多個塊；多個第一電容器結構，在第一塊內穿透模制結構，多個第二電容器結構，第一塊是所述多個塊中的至少一個塊；多個第二電容器結...

一種半導體存儲器件，包括：背柵電極，在襯底上，其包括第一導電圖案；第一柵電極，在背柵電極上，其包括第二導電圖案；以及在背柵電極和第一柵電極之間的第一半導體圖案，其中第一導電圖案和第二導電圖案包括彼此不同的各自的材料和/或具有彼此不同的各...

半導體裝置包括第一襯底、包括第一下部圖案和多個第一片圖案的第一有源圖案、圍繞多個第一片圖案的第一柵極結構、設置在第一柵極結構和多個第一片圖案之間的第一高k絕緣膜、設置在多個第一片圖案和第一高k絕緣膜之間的第一柵極絕緣膜、多個第二片圖案、...