示例半導體存儲器裝置可包括：第一導線，在與基底垂直的第一方向上延伸；第一柵電極，在基底上在與第一方向交叉的第二方向上延伸；第一半導體圖案，從第一導線延伸到第一柵電極；第二柵電極，在基底上與第一柵電極間隔開，并且在第二方向上延伸；以及接觸...

提供了一種圖像傳感器，其包括多個像素和連接到多個像素的外圍電路，外圍電路被配置為驅動多個像素，其中，多個像素中的每一個包括光電二極管和被配置為輸出與由光電二極管生成的電荷對應的信號的像素電路，并且像素電路包括被配置為存儲電荷的浮置擴散節...

一種半導體器件，包括：存儲單元陣列區域，包括與字線和位線連接的存儲單元；以及外圍電路區域，包括第一半導體元件和第二半導體元件。第一半導體元件和第二半導體元件中的每一個包括：鰭結構，在襯底上沿第一方向延伸；柵極結構，沿垂直于第一方向的第二...

提供了一種存儲器件，其中串選擇線的接地晶體管連接到虛設字線以減小芯片尺寸。在一方面中，存儲器件包括：存儲塊，包括分別由串選擇線選擇的單元串，其中每個單元串連接到在豎直方向上堆疊的字線；傳輸晶體管電路，包括分別連接到多條串選擇線和多條字線...

一種半導體器件包括：襯底，包括在第一方向上延伸的有源區域；柵極結構，在襯底上在第二方向上延伸并與有源區域重疊，并且在第一方向上彼此間隔開；阻擋柵極結構，在柵極結構之間與有源區域重疊，并且在第二方向上延伸；源/漏區，在阻擋柵極結構的兩側設...

一種制造半導體器件的方法可以包括：在襯底上形成下模制結構；在下模制結構上形成第一模制結構，第一模制結構包括沿豎直方向交替堆疊的第一層間絕緣層和第一犧牲層；形成第一豎直溝道孔以穿透第一模制結構、下模制結構、以及襯底的一部分；以及形成有源層...

本公開涉及用于支持更高數據傳輸速率的5G或6G通信系統。本公開涉及無線通信系統中的終端和基站的操作，并且更具體地，涉及無線通信系統中的上行鏈路參考信號發送和接收方法以及能夠執行該方法的裝置。本公開提供了一種能夠在移動通信系統中高效地提供...

本申請涉及圖像傳感器及制造該圖像傳感器的方法。該圖像傳感器包括：基板，該基板具有第一表面和與第一表面相對的第二表面并且包括彼此間隔開的像素區域；透光層，該透光層覆蓋第二表面并且包括具有開口的抗反射部分；遮光部分，該遮光部分設置在透光層中...

提供了集成電路裝置和形成集成電路裝置的方法。所述集成電路裝置包括：堆疊晶體管結構，在基底上。堆疊晶體管結構包括第一晶體管和堆疊在第一晶體管上的第二晶體管。第一晶體管和第二晶體管中的每個晶體管包括多個溝道圖案，所述多個溝道圖案在第一方向上...

一種存儲器裝置包括：存儲器單元陣列，其具有在第一方向上延伸的字線和在與第一方向相交的第二方向上延伸的位線；局部輸入/輸出線，其將通過選擇的位線傳輸的電位傳輸到位線讀出放大器；輸入/輸出門區域，其包括連接到位線和對應的局部輸入/輸出線的第...

提供了一種片上系統。該片上系統包括：存儲主機控制器，包括虛擬機標識符寄存器和緩沖器，其中，虛擬機標識符寄存器被配置為存儲多個虛擬機當中當前正在運行的操作虛擬機的操作虛擬機標識符，并且緩沖器被配置為存儲包括由操作虛擬機生成的命令的消息隊列...

存儲器設備被配置為執行神經網絡學習，該存儲器設備包括第一專用存儲器和第一處理元件(PE)，第一專用存儲器對應于包括在神經網絡中的第一鏈路并且被配置為存儲第一鏈路的第一前向傳播權重和至少一個第一候選權重，第一處理元件(PE)被配置為針對第...

提供了一種半導體裝置和一種電子系統。該半導體裝置包括：柵極線，其各自具有一對主柵極部分和橋接部分；偽溝道結構，其在豎直方向上穿過柵極線；以及局部字線切割結構，其在豎直方向上穿過柵極線的相應的局部區域，并且在第一方向上間歇地延伸以限定橋接...

讀出放大器電路、包括讀出放大器電路的存儲器裝置以及存儲器裝置的感測方法。該讀出放大器電路可以包括：第一位線；位線晶體管，位線晶體管電連接在第一位線和第一節點之間；第一控制晶體管，第一控制晶體管電連接在第一節點和第二節點之間；第一反相器，...

在一個實施例中，一種方法包括：基于由多個揚聲器中的每一個揚聲器處的麥克風記錄的發聲，確定與收聽者的位置對應的人物方向性指數(DI)圖案數據。所述方法還包括從所述DI圖案數據提取一組DI特征；將所述一組DI特征提供給經訓練的機器學習模型；...

提供了存儲器裝置以及操作存儲器裝置的方法。存儲器裝置包括：存儲器單元陣列，其包括設置在第一層中的第一串、以及設置在第二層中的第二串，第二層堆疊在第一層上；頁緩沖器電路，其包括與第一層的第一串對應的第一頁緩沖器和與第二層的第二串對應的第二...

一種計算快速鏈路（CXL）存儲器控制器包括數據轉換裝置、只讀存儲器（ROM）和糾錯碼（ECC）引擎，該數據轉換裝置接收失敗位圖并且將失敗位圖按符號單位轉換為糾錯碼（ECC）預解碼信息，該只讀存儲器（ROM）存儲ECC預解碼信息，該糾錯碼...

提供雙向閾值開關材料和包括其的垂直存儲器件。所述雙向閾值開關材料包括鍺(Ge)、銻(Sb)和硒(Se)，其中Ge、Sb和Se中的Ge的比例為10原子%或更大且40原子%或更小，Ge、Sb和Se中的Sb的比例為10原子%或更大且40原子%...

一種半導體存儲裝置，所述半導體存儲裝置包括：存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個存儲單元行，每行包括多個易失性存儲單元；以及刷新控制電路，所述刷新控制電路包括錘擊地址寄存器并且被配置為對所述多個存儲單元行執行刷新操作。所述刷新控制電路...

一種半導體裝置可包括：絕緣圖案，在第一下層間絕緣層上；納米片，在絕緣圖案上豎直地堆疊；柵電極，在絕緣圖案上并且圍繞納米片；源極/漏極區域，在絕緣圖案上在柵電極的一側；以及源極/漏極接觸件，電連接到源極/漏極區域。源極/漏極區域、第一下層...