一種集成電路，包括：絕緣層；第一導電層，在絕緣層中沿第一方向延伸；第二導電層，在絕緣層中沿第一方向延伸；第三導電層，在絕緣層中沿第一方向延伸；第一標準單元，在絕緣層中，包括第一單元邊界；以及第二標準單元，其中，第一導電層在第一方向上與第...

公開了一種冰箱，其包括：主體；門，可旋轉地或可滑動地安裝在主體的前部；至少一個儲存室，被配置為儲存物品；水箱，布置在至少一個儲存室中并且被配置為儲存要供應到至少一個供水系統的水；水檢測傳感器，被配置為檢測水箱中儲存的水；以及至少一個處理...

提供了一種在諸如長期演進（LTE）的第四代（4G）通信系統之后的用于支持更高數據速率的第五代（5G）或第六代（6G）通信系統。在通信系統中，提供了集中式單元（CU）。CU向分布式單元（DU）發送請求用于確定體驗質量（QoE）瓶頸的信息的...

根據各種實施例，一種電子設備可以包括：第一殼體；第二殼體；鉸鏈模塊，被構造為使得第一殼體和第二殼體能夠相對于彼此折疊；柔性顯示面板，設置在第一殼體和第二殼體處；以及板，設置在柔性顯示面板下方以支撐柔性顯示面板，板包括第一平坦部分、第二平...

一種半導體存儲器件，可以包括：垂直半導體圖案，垂直半導體圖案在第一方向上延伸；多條位線，多條位線位于垂直半導體圖案的下表面上，位線中的每一者在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及多個第一柵極結構，多個第一柵極結構位于垂直半導體圖案的第一...

一種半導體裝置包括：基底；下溝道堆疊件，在基底上；上溝道堆疊件，在下溝道堆疊件上；柵電極，在下溝道堆疊件和上溝道堆疊件周圍延伸；柵極切口區域，在基底上并且包括絕緣材料；半導體材料層，在上溝道堆疊件與柵極切口區域之間；以及絕緣層，在半導體...

一種半導體裝置可以包括：位線，其在第一方向上延伸；第一半導體豎直部分，其位于位線上并在豎直方向上延伸；第一字線，其與第一半導體豎直部分相鄰；柵極絕緣圖案，其在第一半導體豎直部分和第一字線之間；以及接觸圖案，其位于第一半導體豎直部分的上表...

提供了一種易失性存儲器裝置、存儲器控制器和存儲器系統。一種存儲器裝置，包括：存儲器單元陣列，其包括第一空間和第二空間；控制邏輯電路，其被配置為控制存儲器單元陣列的操作，其中，控制邏輯電路被配置為響應于接收到以第一空間為目標的第一讀取控制...

提供了執行動態電壓和頻率縮放操作的集成電路及其操作方法。在一個方面，一種集成電路包括：多個知識產權（IP）塊；存儲器，存儲器被配置成存儲動態電壓和頻率縮放（DVFS）表，在DVFS表中，操作電壓和操作頻率基于多個IP塊的功率特性而被分類...

本公開提供了存儲控制器、存儲系統及存儲控制器的操作方法。所述存儲系統可以包括：非易失性存儲器件，所述非易失性存儲器件包括存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括多個塊；以及存儲控制器，所述存儲控制器電連接到所述非易失性存儲器件并且被配置為控制...

本公開涉及用于支持更高數據傳輸速率的5G或6G通信系統。用戶設備（UE）向基站發送指示UE是否支持基于UE的定時提前測量的能力信息，并且從基站接收指示是否針對用于層1/層2觸發的移動性（LTM）的候選小區啟用基于UE的定時提前測量的指示...

本公開內容涉及在顯示面板的一個表面上的具有自修復特性和形狀記憶特性的保護層。為此，保護層可由以可確保預定的光學透明度、預定的剛性或預定的針對塑性變形的恢復性的預定的比例混合的甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸己酯(HMA)和肉桂酰(C...

公開了一種用于控制物聯網（IoT）裝置的電子裝置及其存儲介質。該電子裝置可以包括：用于存儲指令的存儲器；通信電路；顯示模塊；和至少一個處理器。該指令可以使得電子裝置：基于在通過顯示模塊顯示與IoT裝置相對應的裝置小組件的小組件屏幕時、通...

該相機模塊可包括：第一透鏡；第二透鏡；透鏡保持件，被構造為支撐第一透鏡；反射件，設置在第一透鏡與第二透鏡之間，并且被構造為將穿過第一透鏡的光反射到第二透鏡；以及阻擋壁，被構造為阻擋所述反射件與所述透鏡保持件之間的光路。

提供了半導體納米顆粒、用于制造半導體納米顆粒的方法、包括半導體納米顆粒的墨組合物、包括半導體納米顆粒的半導體納米顆粒復合物、包括半導體納米顆粒的顯示裝置以及包括半導體納米顆粒的電子裝置。在所述半導體納米顆粒中，鎵與銦的摩爾比（Ga:In...

示例半導體存儲器裝置可包括：第一導線，在與基底垂直的第一方向上延伸；第一柵電極，在基底上在與第一方向交叉的第二方向上延伸；第一半導體圖案，從第一導線延伸到第一柵電極；第二柵電極，在基底上與第一柵電極間隔開，并且在第二方向上延伸；以及接觸...

提供了一種圖像傳感器，其包括多個像素和連接到多個像素的外圍電路，外圍電路被配置為驅動多個像素，其中，多個像素中的每一個包括光電二極管和被配置為輸出與由光電二極管生成的電荷對應的信號的像素電路，并且像素電路包括被配置為存儲電荷的浮置擴散節...

一種半導體器件，包括：存儲單元陣列區域，包括與字線和位線連接的存儲單元；以及外圍電路區域，包括第一半導體元件和第二半導體元件。第一半導體元件和第二半導體元件中的每一個包括：鰭結構，在襯底上沿第一方向延伸；柵極結構，沿垂直于第一方向的第二...

提供了一種存儲器件，其中串選擇線的接地晶體管連接到虛設字線以減小芯片尺寸。在一方面中，存儲器件包括：存儲塊，包括分別由串選擇線選擇的單元串，其中每個單元串連接到在豎直方向上堆疊的字線；傳輸晶體管電路，包括分別連接到多條串選擇線和多條字線...

一種半導體器件包括：襯底，包括在第一方向上延伸的有源區域；柵極結構，在襯底上在第二方向上延伸并與有源區域重疊，并且在第一方向上彼此間隔開；阻擋柵極結構，在柵極結構之間與有源區域重疊，并且在第二方向上延伸；源/漏區，在阻擋柵極結構的兩側設...