本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底，基底內(nèi)具有漂移區(qū)；形成柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)覆蓋漂移區(qū)的一部分；在基底內(nèi)形成第一體區(qū)，第一體區(qū)與漂移區(qū)之間具有第一間隔區(qū)域，且與漂移區(qū)的摻雜類型不同；在漂移區(qū)內(nèi)形成第一反型...

一種版圖的修正方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及終端，其中版圖的修正方法包括：提供初始版圖，初始版圖包括若干主圖形；采用基于規(guī)則的輔助圖形生成方法在初始版圖中生成若干第一輔助圖形；對(duì)主圖形進(jìn)行光學(xué)鄰近修正迭代處理，且在每次光學(xué)鄰近修正的過(guò)程中基于輔助圖形...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中結(jié)構(gòu)包括：襯底；位于部分所述襯底表面的存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)包括隧穿氧化層、位于所述隧穿氧化層上的電荷俘獲層、位于所述電荷俘獲層上的阻擋層、以及位于所述阻擋層表面的柵極層，所述阻擋層的介電常數(shù)大于所述...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：形成基底；在所述基底的內(nèi)部形成漂移區(qū)；在所述漂移區(qū)內(nèi)形成體區(qū)，所述體區(qū)與所述漂移區(qū)的摻雜類型不同；在所述體區(qū)內(nèi)形成側(cè)部柵極結(jié)構(gòu)；在所述體區(qū)內(nèi)形成源區(qū)，所述源區(qū)與所述側(cè)...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在部分襯底表面形成硬掩膜結(jié)構(gòu)，硬掩膜結(jié)構(gòu)包括硬掩膜層和位于硬掩膜層上的保護(hù)層，保護(hù)層和硬掩膜層的材料不同；以硬掩膜結(jié)構(gòu)為掩膜，采用第一刻蝕工藝刻蝕襯底，在襯底內(nèi)形成溝槽，且在形成溝槽之后，保護(hù)層...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供基底；形成多個(gè)第一柵極結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)第一柵極結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置于所述基底；在所述基底內(nèi)形成漂移區(qū)以及體區(qū)，所述漂移區(qū)與所述體區(qū)鄰接，其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)的部分結(jié)構(gòu)位于...

一次性編程存儲(chǔ)單元及其形成方法、一次性編程存儲(chǔ)器，一次性編程存儲(chǔ)單元包括：陰極端；陽(yáng)極端；設(shè)置于所述陰極端和陽(yáng)極端之間的熔絲結(jié)構(gòu)，所述熔絲結(jié)構(gòu)至少包括一條熔絲；與所述熔絲結(jié)構(gòu)相連接的保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述熔絲結(jié)構(gòu)相對(duì)的兩側(cè)，所...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供基底，基底內(nèi)具有第一摻雜區(qū)；在第一摻雜區(qū)內(nèi)形成一個(gè)或多個(gè)耐壓結(jié)構(gòu)，耐壓結(jié)構(gòu)的介電常數(shù)低于第一摻雜區(qū)，且耐壓結(jié)構(gòu)具有一個(gè)或多個(gè)凸起部和/或凹陷部；在第一摻雜區(qū)內(nèi)形成...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種爐管的真空抽氣系統(tǒng)、以及半導(dǎo)體制造設(shè)備，所述爐管的真空抽氣系統(tǒng)包括：連接于爐管的真空抽氣接口的第一管道，以及第二管道；與第一管道連接的至少一個(gè)主真空泵；與第二管道連接，在所述主真空泵異常時(shí)啟用的至少一個(gè)備用真空泵；...

一種晶粒失效比特分類方法、裝置、存儲(chǔ)介質(zhì)及設(shè)備。所述方法包括：獲取晶粒上所有失效比特的物理地址信息；基于所述晶粒上所有失效比特的物理地址信息，建立對(duì)應(yīng)的物理地址數(shù)組；確定當(dāng)前失效比特的分類結(jié)果；所述確定當(dāng)前失效比特的分類結(jié)果，包括：搜索...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括：提供基底，在所述基底內(nèi)形成漂移區(qū)；形成位于漂移區(qū)內(nèi)的凹槽；在所述凹槽內(nèi)填充隔離介質(zhì)層；在所述基底上形成第一柵極介質(zhì)層，所述第一柵極介質(zhì)層位于所述漂移區(qū)上；所述第一柵極介質(zhì)層的第一側(cè)至少延伸至所述隔離介質(zhì)...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，方法包括：提供晶圓，所述晶圓包括功能面和非功能面；在所述功能面表面形成功能層結(jié)構(gòu)；獲取所述晶圓的翹曲情況；根據(jù)所述翹曲情況，在所述非功能面表面形成外延應(yīng)力層，所述外延應(yīng)力層產(chǎn)生的應(yīng)力方向與所述晶圓翹...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中方法包括：提供襯底，所述襯底包括有源區(qū)、以及位于所述有源區(qū)兩側(cè)的源/漏區(qū)；在所述襯底上依次形成氧化物層、鐵電層、金屬氧化物層以及柵電極層；在所述柵電極層上形成具有源/漏區(qū)圖形的光刻膠層；以所述光刻膠層為掩...

一種熔絲結(jié)構(gòu)及其形成方法、一次性可編程存儲(chǔ)單元，其中熔絲結(jié)構(gòu)包括：電阻結(jié)構(gòu)，電阻結(jié)構(gòu)具有初始狀態(tài)和連通狀態(tài)；其中，電阻結(jié)構(gòu)由電流驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生電子遷移，由初始狀態(tài)轉(zhuǎn)換為連通狀態(tài)；在初始狀態(tài)下，電阻結(jié)構(gòu)中具有斷開(kāi)結(jié)構(gòu)，電阻結(jié)構(gòu)具有第一電阻值；在...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底內(nèi)形成溝槽；通過(guò)ISSG的方式對(duì)所述溝槽的側(cè)壁和底部進(jìn)行第一氧化處理，形成第一氧化層；通過(guò)RTO的方式對(duì)所述溝槽的側(cè)壁和底部進(jìn)行第二氧化處理，在所述第一氧化層和所述襯底之間形成第二氧化...

本公開(kāi)實(shí)施例提供一種柵氧化層的形成方法、制造系統(tǒng)、設(shè)備、介質(zhì)及程序，柵氧化層的形成方法包括：獲取第一機(jī)臺(tái)執(zhí)行第一晶圓的多次氧化處理后，第一晶圓上的柵氧化層的多組參數(shù)信息；柵氧化層的一組參數(shù)信息對(duì)應(yīng)第一晶圓的一次氧化處理，且每次氧化處理所...

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底的表面形成第一氧化層；在部分所述第一氧化層的表面形成柵極層；在所述柵極層的側(cè)壁形成側(cè)墻；刻蝕去除所述側(cè)墻兩側(cè)的第一氧化層，至暴露出所述襯底的表面；在暴露出的所述襯底的表面形成...

一種OPC模型的建立方法及裝置、光學(xué)臨近修正方法和設(shè)備、可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述建立方法包括：形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有圖形化光刻膠；根據(jù)所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，獲得所述圖形化光刻膠中圖形的輪廓；對(duì)所述圖形化光刻膠中圖形的輪廓進(jìn)行測(cè)量，獲得輪...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，包括：提供基底，所述基底包括第一區(qū)域以及與第一區(qū)域相連接的第二區(qū)域；在所述第一區(qū)域內(nèi)，刻蝕部分基底形成第一臺(tái)階、第二臺(tái)階以及連接第一臺(tái)階和第二臺(tái)階的斜面，所述第一臺(tái)階和第二臺(tái)階具有高度差；在所述第一區(qū)域內(nèi)進(jìn)行...

一種測(cè)試結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)方法、存儲(chǔ)介質(zhì)及終端，其中設(shè)計(jì)方法包括：提供若干組測(cè)試結(jié)構(gòu)組，每組測(cè)試結(jié)構(gòu)組具有若干歷史測(cè)試結(jié)構(gòu)，每個(gè)歷史測(cè)試結(jié)構(gòu)具有相對(duì)應(yīng)的量測(cè)參數(shù)值；提供機(jī)器學(xué)習(xí)模型；將歷史測(cè)試結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的特征數(shù)據(jù)和量測(cè)參數(shù)值輸入至機(jī)器學(xué)習(xí)模型中...