一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供晶圓，所述晶圓包括功能面和非功能面；在所述功能面表面形成功能層結(jié)構(gòu)；獲取所述晶圓的翹曲情況；根據(jù)所述翹曲情況，在所述非功能面表面形成初始應(yīng)力層，所述初始應(yīng)力層具有初始應(yīng)力，所述初始應(yīng)力的方向與所述晶圓...

本發(fā)明一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及形成方法，其中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：襯底；位于襯底內(nèi)的漂移區(qū)；位于襯底內(nèi)的體摻雜區(qū)；位于襯底表面的分立排布的柵極層；位于柵極層兩側(cè)的源摻雜區(qū)和漏摻雜區(qū)，源摻雜區(qū)位于體摻雜區(qū)內(nèi)，漏摻雜區(qū)位于漂移區(qū)內(nèi)；位于柵極層的部分頂部表...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中形成方法包括：提供襯底，包括若干有源區(qū)；在有源區(qū)上形成柵極結(jié)構(gòu)以及源/漏區(qū)；在源/漏區(qū)表面以及柵極結(jié)構(gòu)頂部表面形成硅外延層；在硅外延層上沉積形成金屬層；進(jìn)行退火工藝處理，使金屬層和硅外延層反應(yīng)，形成金屬硅...

本發(fā)明提供薄膜數(shù)據(jù)系統(tǒng)的設(shè)計方法、存儲介質(zhì)及終端，包括：提供若干組具有不同應(yīng)用場景的薄膜組，每組薄膜組具有若干歷史薄膜，每個歷史薄膜具有相對應(yīng)的量測參數(shù)值；提供機(jī)器學(xué)習(xí)模型；將歷史薄膜相關(guān)聯(lián)的特征數(shù)據(jù)以及對應(yīng)的量測參數(shù)值輸入至機(jī)器學(xué)習(xí)模...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法，方法包括：提供襯底，襯底內(nèi)具有第一開口，第一開口暴露出襯底的部分側(cè)壁表面；在第一開口內(nèi)形成第一阻擋層以及位于第一阻擋層表面的第二阻擋層；在襯底表面形成介質(zhì)層結(jié)構(gòu)；在介質(zhì)層結(jié)構(gòu)內(nèi)形成第二開口，第二開口暴露出介質(zhì)...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供襯底；在所述襯底表面形成介質(zhì)結(jié)構(gòu)，所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)包括介質(zhì)層；在所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)內(nèi)形成開口；在所述開口內(nèi)和所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)表面形成金屬材料層；采用第一機(jī)械化學(xué)研磨工藝平坦化所述金屬材料層，直到暴露出所述介質(zhì)結(jié)構(gòu)表...

一種生產(chǎn)加工信息錄入方法及裝置、存儲介質(zhì)、設(shè)備。所述方法包括：采集待加工晶圓的加工相關(guān)信息；基于所采集的加工相關(guān)信息得到對應(yīng)的二維碼圖形；掃描所述二維碼圖形，得到對應(yīng)的生產(chǎn)加工信息，所述生產(chǎn)加工信息用于錄入至所述生產(chǎn)操作系統(tǒng)中，以指導(dǎo)所...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：在襯底上形成焊墊復(fù)合材料層，焊墊復(fù)合材料層包括第一阻擋層、焊墊材料層；在焊墊復(fù)合材料層表面形成無機(jī)抗反射層和位于無機(jī)抗反射層表面的光刻膠材料層；圖形化光刻膠材料層，形成光刻膠層；以光刻膠層為掩膜，采用第一...

一種掩膜層結(jié)構(gòu)及其形成方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供襯底；在襯底表面形成器件層；在器件層表面形成初始掩膜層；對初始掩膜層進(jìn)行改性處理，在器件層上形成掩膜層以及掩膜層表面的改性層，改性層的密度大于掩膜層的密...

本申請實施例提供一種清潔裝置，適用于物理氣相沉積的操作機(jī)臺，包括：基座，設(shè)置于所述操作機(jī)臺的制程腔內(nèi)；伸縮控制單元，安裝于與所述制程腔相連通的存儲腔內(nèi)；擋板，安裝于所述伸縮控制單元，其中，通過所述伸縮控制單元控制所述擋板伸入至所述制程腔...

一種金屬互連結(jié)構(gòu)的形成方法，其中方法包括：提供襯底，所述襯底內(nèi)具有第一導(dǎo)電層，且所述襯底暴露出所述第一導(dǎo)電層頂部表面；在所述襯底上形成刻蝕停止層和位于所述刻蝕停止層表面的介質(zhì)材料層；刻蝕所述介質(zhì)材料層，形成介質(zhì)層和位于所述介質(zhì)層內(nèi)的初始...

光學(xué)器件形變補(bǔ)償方法及系統(tǒng)、光刻機(jī)，其中，光學(xué)器件用于將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上，所述光學(xué)器件形變補(bǔ)償方法包括：據(jù)所述晶圓表面上實際形成的圖形與預(yù)設(shè)圖形的差異，確定所述實際形成的圖形中存在像差的區(qū)域；根據(jù)所述存在像差的區(qū)域中的實際像差...

檢測沉積設(shè)備噴頭發(fā)生形變的方法及檢測設(shè)備，所述沉積設(shè)備包括適于供氣的氣體供應(yīng)通道，以及設(shè)置于所述氣體供應(yīng)通道內(nèi)的多個噴頭，所述氣體供應(yīng)通道具有供氣口，所述供氣口與各噴頭連通，所述噴頭適于噴灑氣體，所述檢測沉積設(shè)備噴頭發(fā)生形變的方法包括：...

一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層上形成有掩膜層；在所述掩膜層中形成貫穿所述掩膜層的掩膜開口，所述掩膜開口的頂部尺寸大于底部尺寸且側(cè)壁具有傾斜角度；以所述掩膜層為掩膜，沿所述掩膜開口刻蝕所述介質(zhì)...

控制晶圓柵氧化層厚度的方法及系統(tǒng)，其中，控制晶圓柵氧化層厚度的方法包括：在同一加工批次中各晶圓上形成硬掩膜層；獲取所述同一加工批次中各晶圓實際所處的加工位置信息；根據(jù)所述同一加工批次中各晶圓實際所處的加工位置信息，從中確定處于預(yù)設(shè)加工位...

一種鍍膜設(shè)備及其自動控制方法，鍍膜設(shè)備包括：腔體，所述腔體包括下料腔和設(shè)置于下料腔上方的鍍膜腔；設(shè)置于腔體內(nèi)的載料裝置，所述載料裝置在下料腔和鍍膜腔之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換；設(shè)置于下料腔側(cè)壁的吹掃裝置，所述吹掃裝置用于對位于下料腔內(nèi)的載料裝置進(jìn)行吹...

一種卡爪、半導(dǎo)體設(shè)備及其工作方法，卡爪包括：固定部；與固定部連接的若干組爪手，任一組爪手可在工作位和復(fù)機(jī)位之間運(yùn)動，所述工作位和復(fù)機(jī)位為相對于所述固定部的不同位置。所述卡爪抓取不同物料時不易造成污染，能夠提升產(chǎn)品良率。產(chǎn)品良率。產(chǎn)品良率。

一種不對稱型源漏場效應(yīng)晶體管的形成方法，包括：在部分所述側(cè)墻材料層表面形成掩膜層，所述掩膜層位于所述第二側(cè)面上的所述側(cè)墻材料層表面，且暴露出所述第一側(cè)面上的所述側(cè)墻材料層；以所述掩膜層為掩膜，采用各向同性刻蝕工藝對所述側(cè)墻材料層進(jìn)行減薄...

一種真空系統(tǒng)，包括：真空腔體；與真空腔體相連通的第一真空泵；與真空腔體相連通的第二真空泵；第一真空泵和第二真空泵通過連通轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)互相連通。所述真空系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)對所述第一真空泵或第二真空泵單獨測漏，提升真空測漏的準(zhǔn)確性。的準(zhǔn)確性。的準(zhǔn)確性。

一種虛擬集成電路平臺及其控制方法、系統(tǒng)。所述方法包括：當(dāng)接收到需求方發(fā)送的芯片需求信息時，基于所述芯片需求信息，生成芯片設(shè)計訂單；所述芯片需求信息包括：需求類型指示信息及芯片相關(guān)信息；所述需求類型指示信息用于指示需求方的需求類型，所述需...