本公開提供汽化器中的金屬吸氣劑及相關(guān)系統(tǒng)及方法。一種汽化器包括具有出口的容器。所述容器經(jīng)配置以通過所述出口排放金屬鹵化物蒸氣。所述汽化器包括在所述容器內(nèi)定位在入口與出口之間的金屬吸氣劑。當含氧物種存在于所述容器內(nèi)時，從所述容器排放的所述...

本文中提供一種離子植入方法及相關(guān)系統(tǒng)。所述離子植入方法包括汽化包括金屬硼氫化物化合物的前體以獲得經(jīng)汽化前體，及使所述經(jīng)汽化前體與襯底在氣相沉積條件下接觸以在所述襯底上形成膜。所述金屬硼氫化物化合物同位素富集至少一種硼同位素。

本公開提供表面改性襯底及相關(guān)方法。一種具有改性表面的襯底包括第一區(qū)域及第二區(qū)域。所述第一區(qū)域定位在所述第二區(qū)域上方。所述第一區(qū)域包括氟化鎳。所述第二區(qū)域包括鎳合金。所述氟化鎳的濃度從所述第一區(qū)域到所述第二區(qū)域逐漸減小。

提供高純度含鉬前體以及相關(guān)系統(tǒng)及方法。一種前體輸送系統(tǒng)包括汽化器容器，所述汽化器容器經(jīng)配置以容納可汽化前體，所述可汽化前體在汽化時產(chǎn)生前體蒸汽。所述前體輸送系統(tǒng)包括至少一個防護表面處理。所述至少一個防護表面處理覆蓋所述前體輸送系統(tǒng)的足量...

提供表面改性襯底及相關(guān)的方法。一種具有改性表面的襯底包括第一區(qū)域及第二區(qū)域。所述第一區(qū)域位于所述第二區(qū)域上方。所述第一區(qū)域包括氟化鋁。所述第二區(qū)域包括鋁合金。所述氟化鋁的濃度從所述第一區(qū)域到所述第二區(qū)域逐漸減小。

一種用于在離子植入中遞送汽化源前體的遞送系統(tǒng)，其包含：組合件，所述組合件包含：容器，其具有內(nèi)部體積且經(jīng)配置以產(chǎn)生所述汽化源前體；第一加熱器，其用于加熱所述容器；及歧管，其經(jīng)配置以控制所述汽化源前體到離子植入裝置的輸出，其中所述組合件經(jīng)配...

本發(fā)明提供選擇性釕沉積和相關(guān)系統(tǒng)與方法。方法包括：使釕前體的至少一部分汽化以產(chǎn)生經(jīng)汽化釕前體；使襯底的第一表面部分和第二表面部分與所述經(jīng)汽化釕前體和至少一種還原氣體接觸；以及相對于所述襯底的所述第二表面部分以至少25??的選擇性將釕沉積...

本發(fā)明涉及用于合成亞錫烷氧化物的方法。所述方法的一些實施例包括使亞錫鹵化物與金屬烷氧化物接觸以形成亞錫烷氧化物。所述方法的一些實施例包括使胺化錫化合物與醇化合物接觸以形成亞錫烷氧化物。所述方法的一些實施例包括使亞錫鹵化物與至少3當量金屬...

一種用于形成袋的配件，其具有經(jīng)配置以接納尖突的內(nèi)部尖突端口孔隙。所述配件進一步包含一或多個特征以在所述尖突接納于尖突端口中時防止所述尖突接觸所述袋。可通過將一或多個薄片附接到所述配件來形成袋。所述袋可通過插入所述尖突穿過任選第一穿刺障壁...

本申請涉及用于生產(chǎn)純化水的過濾膜、系統(tǒng)和方法。描述用于生產(chǎn)純化(例如，超純)水的過濾膜、相關(guān)系統(tǒng)和相關(guān)方法，包含制備將可用于制造電子和半導體裝置的過程中的純化水的膜、系統(tǒng)和方法。

在襯底容器的內(nèi)部設(shè)置若干支架以接納及保持擴散裝置。所述支架包含具有第一內(nèi)部截面區(qū)域的接納器及具有第二內(nèi)部截面區(qū)域的保持區(qū)，其中所述第一內(nèi)部截面區(qū)域大于所述第二內(nèi)部截面區(qū)域。所述支架可包含在所述支架的與所述第一接納器相對的端上的第二接納器...

本發(fā)明涉及包含鹵化鉿前體的前體容器。所述鹵化鉿前體包含小于1?ppm的至少一種雜質(zhì)。所述至少一種雜質(zhì)包含以下物質(zhì)中的至少一種：鈦污染物、鉻污染物、鋁污染物、鐵污染物或其任何組合。還提供相關(guān)系統(tǒng)和相關(guān)方法，包括例如但不限于用于遞送蒸氣前體...

提供過濾組合件。過濾組合件包括保持薄膜。所述保持薄膜具有如在22℃下使用氣流孔隙計在氫氟醚中測量的至少40?psi的泡點。過濾組合件包括離子交換薄膜。所述離子交換薄膜具有：A)如在22℃下使用氣流孔隙計在異丙醇中測量的小于50?psi的...

本描述涉及光學顆粒計數(shù)器、使用光學顆粒計數(shù)器的方法，及在使用光學顆粒計數(shù)器期間減少顆粒計數(shù)錯誤的方法。所述方法包含測量放置于激光源與流通槽之間的濾光片。所述濾光片可相對于激光器以非法向角度放置。

本描述涉及光學顆粒計數(shù)器、使用光學顆粒計數(shù)器的方法，及在使用光學顆粒計數(shù)器期間減少顆粒計數(shù)錯誤的方法。所述方法包含將光學隔離器放置在激光器與流通槽之間，以允許激光行進到所述流通槽中，且降低重新引導回到所述激光器中的作為能夠引起模式跳躍的...

一種襯底容器包含外殼及用于所述外殼的開口的門。所述外殼包含一或多個第一閂鎖插口及一或多個第二閂鎖插口。所述門包含第一鎖扣機構(gòu)，所述第一鎖扣機構(gòu)包含具有能插入到所述一或多個第一閂鎖插口中的第一閂鎖頂端的第一閂鎖及具有能延伸到所述第二閂鎖插...

提供一種用于控制沖洗氣體的流到襯底容器中的方法及沖洗流分配模塊。所述沖洗流分配模塊包含：沖洗模塊，其包括用于接收沖洗氣體的流的入口、用于調(diào)節(jié)所述沖洗氣體的流動方向的止回閥及用于供應所述沖洗氣體的出口；及腔室，其包圍所述沖洗模塊的至少出口...

一種裝置可包含增材制造的整塊結(jié)構(gòu)，所述整塊結(jié)構(gòu)包含絕緣主體及定位于所述絕緣主體中的至少一個導電區(qū)。所述增材制造的整塊結(jié)構(gòu)不包含所述絕緣主體與所述至少一個導電元件之間的接合組件。所述增材制造的整塊結(jié)構(gòu)可進一步包含不含任何材料的至少一個導管...

一種單取代錫化合物的合成方法包括：使鹵化亞錫與金屬化反應物接觸以形成錫烯化合物；使所述錫烯化合物與鹵化物化合物接觸以形成含錫化合物；及使所述含錫化合物與反應物接觸以經(jīng)由配位體交換形成單取代錫化合物。還提供一種包括所述單取代錫化合物的組合...

本文提供一種離子植入系統(tǒng)及相關(guān)方法。離子植入系統(tǒng)包括具有與電弧室流體連通的至少一個氣體供應容器的氣體供應組合件。所述氣體供應組合件經(jīng)配置以供應包括GeF4、GeH4、H2、含氟氣體中的至少一者或其任何組合的氣體組分。當所述氣體組分從所述...