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        恩特格里斯公司專利技術(shù)

        恩特格里斯公司共有637項(xiàng)專利

        • 本申請(qǐng)案涉及包覆模制的連接器和其制造方法。一種流體連接組合件包含多個(gè)管道,其具有第一敞開端和與所述第一敞開端相對(duì)的第二敞開端;和多個(gè)連接器。所述連接器中的每一個(gè)包含至少兩個(gè)連接器部分,其中所述至少兩個(gè)連接器部分中的每一個(gè)從所述連接器的中...
        • 描述了一種可移除過濾器濾芯和一種用于可移除過濾器濾芯的密封閥組合件。所述可移除過濾器濾芯包含:過濾器外殼,其含有用于對(duì)液體進(jìn)行過濾的過濾器;和密封閥組合件,其耦合到所述過濾器外殼且用于將所述過濾器濾芯以可移除方式耦合到過濾器頭部。所述密...
        • 本發(fā)明描述靜電卡盤及相關(guān)方法,所述靜電卡盤包括:陶瓷層,其包括上表面及下表面;電極,其在所述下表面處;以及電介質(zhì)層,其在所述陶瓷層與所述電極之間。陶瓷層與所述電極之間。陶瓷層與所述電極之間。
        • 本申請(qǐng)案涉及高蒸汽壓輸送系統(tǒng)。一種系統(tǒng)包含汽化器容器。所述汽化器容器包含流體連接到所述汽化器容器的出口。加熱器經(jīng)配置以加熱所述汽化器容器。閥經(jīng)配置以調(diào)節(jié)所述出口處汽化材料的壓力。響應(yīng)于所述出口處的所述壓力在設(shè)置壓力范圍外,所述加熱器經(jīng)配...
        • 本申請(qǐng)案涉及一種用以容納試劑材料的存儲(chǔ)容器。所述存儲(chǔ)容器包含:容器,其具有底部、頂部、所述頂部處的出口、從所述底部延伸到所述頂部的側(cè)壁、所述出口處的閥,以及由所述底部、所述頂部及所述側(cè)壁界定的內(nèi)部,所述內(nèi)部包括容積;及延伸管,其具有與所...
        • 描述深度過濾器及相關(guān)方法,其中所述深度過濾器含有串聯(lián)的兩個(gè)或更多個(gè)層,其中至少一個(gè)層包含聚芳酰胺纖維、合成助濾劑及聚合物粘合劑。合劑。合劑。
        • 本申請(qǐng)涉及一種用于固體化學(xué)汽化室的可壓縮托盤。用于在原子層沉積(ALD)工藝、化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝或這兩者中使用的固體前體材料的遞送系統(tǒng)的安瓿的所述托盤。所述托盤經(jīng)配置為當(dāng)被壓縮時(shí)能夠具有減少的輪廓大小以增強(qiáng)所述托盤可插入到所述安...
        • 提供無碳(即,小于約0.1原子百分比的碳)的Zr摻雜HfO2膜,其中在原子百分比方面,Zr可達(dá)到與Hf相同的水平(即,1%到60%)。所述Zr摻雜還可通過可用于鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)中的m個(gè)納米層壓ZrO2和HfO2膜實(shí)現(xiàn)。層壓膜包含...
        • 本申請(qǐng)涉及一種用于安瓿的模塊化托盤和一種將模塊化托盤插入安瓿中的方法。用于固體前體材料的遞送系統(tǒng)的安瓿的所述模塊化托盤用于原子層沉積ALD工藝、化學(xué)氣相沉積CVD工藝或這兩者。所述模塊化托盤經(jīng)配置有單獨(dú)組件,所述組件可增強(qiáng)所述模塊化托盤...
        • 描述一種用于處理靜電卡盤的裝置,其特征在于所述裝置包括:腔室,其在腔室內(nèi)部含有腔室氛圍,腔室吹掃氣體源,其適于向所述腔室內(nèi)部供應(yīng)腔室吹掃氣體,溫度控制流體源,其適于向所述腔室內(nèi)部供應(yīng)溫度控制流體,及溫度傳感器,其用于測(cè)量所述腔室內(nèi)部的溫...
        • 一種可拆式過濾器濾芯包含容納過濾器的過濾器殼體、密封閥,所述密封閥聯(lián)接到所述過濾器殼體的敞開端且被構(gòu)形成將所述可拆式過濾器濾芯可拆卸地聯(lián)接到過濾器頭。所述密封閥具有打開位置和密封所述過濾器殼體的閉合位置,且被構(gòu)形成在與所述過濾器頭斷開聯(lián)...
        • 一些實(shí)施例涉及具有鈍化表面的增材制品及相關(guān)方法。所述方法可包括通過增材制造形成三維3D制品以獲得包括鎂組分的增材制造3D制品。所述方法可進(jìn)一步包括使所述增材制造3D制品暴露于包括氟組分的反應(yīng)性氣相。來自所述反應(yīng)性氣相的所述氟組分可與所述...
        • 一些實(shí)施例涉及具有涂層表面的增材制品及相關(guān)方法。所述方法可包括:通過增材制造形成三維3D制品以獲得具有不能通過機(jī)械加工構(gòu)造的整體結(jié)構(gòu)的增材制造3D制品;及使所述增材制造3D制品暴露于一或多種前驅(qū)氣體以在所述增材制造3D制品的表面上形成涂...
        • 本申請(qǐng)案涉及一種雙面墊調(diào)節(jié)器。一種CMP墊調(diào)節(jié)器組合件包含背板,其包含包括多個(gè)第一安裝位置的第一面及包括多個(gè)第二安裝位置的第二面。多個(gè)段固定到所述第一面。所述段包含具有第一表面及與所述第一表面相對(duì)的第二表面的襯底。多個(gè)突起與所述襯底一體...
        • 本申請(qǐng)案涉及一種具有聚合物背板的墊調(diào)節(jié)器。一種化學(xué)機(jī)械平坦化CMP墊調(diào)節(jié)器組合件包含包括至少一種聚合物及至少一種添加劑的背板。所述至少一種添加劑以足以導(dǎo)致背板具有磁性性質(zhì)、顏色性質(zhì)、結(jié)構(gòu)性質(zhì)或其任何組合中的至少一者的量存在。所述CMP墊...
        • 本申請(qǐng)案涉及一種醫(yī)用排氣過濾器。本公開提供在一次性串聯(lián)輸液系統(tǒng)中有用的經(jīng)改進(jìn)的排氣過濾器。在第一方面中,本公開提供一種過濾器,其包括:(i)包括含氟聚合物膜的層;及(ii)包括至少兩個(gè)透氣性熱塑性聚合物層的層,所述透氣性熱塑性聚合物層由...
        • 本發(fā)明提供某些硅前體化合物,其可用于在半導(dǎo)體裝置的制造中形成含硅膜;且更具體地關(guān)于用于形成此類含硅膜、如包含二氧化硅或氮化硅的膜的組合物及方法。硅的膜的組合物及方法。硅的膜的組合物及方法。
        • 本申請(qǐng)涉及具有集成靜電放電緩解的流體回路。所述流體回路包含多個(gè)管件節(jié)段及多個(gè)操作組件。每一管件節(jié)段包含:i)非導(dǎo)電聚合物部分,其界定流體通道;及ii)一或多個(gè)內(nèi)部導(dǎo)電氟聚合物條帶,其軸向延伸到所述相應(yīng)管件節(jié)段中的每一者的端。每一操作組件...
        • 本申請(qǐng)案涉及靜電吸盤及相關(guān)方法及結(jié)構(gòu)。描述用于在處理工件的步驟期間支撐所述工件的靜電吸盤及通過增材制造技術(shù)制備的靜電吸盤底座組件。盤底座組件。盤底座組件。
        • 本發(fā)明提供一種用于制備下文闡述為式(I)的各種VI族前體化合物的便捷方法,其適用于將某些VI族金屬氣相沉積于固體襯底,尤其微電子半導(dǎo)體裝置襯底上。還提供一種用于制備這類前體化合物的方法。另外,本發(fā)明提供一種利用本發(fā)明的前體化合物將VI族...