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        恩特格里斯公司專利技術

        恩特格里斯公司共有637項專利

        • 使用干式涂布方法在光罩容器的內盒上產生感測區。所述感測區是具有特定光譜反射率的離散區。所述感測區經定位使得其可通過工具讀取以確定所述盒的部分的距離。與用材料完全鍍覆的內盒或其它濕式涂布施覆的材料相比,使用離散區及干式涂布方法用于施覆所述...
        • 本申請涉及氣體處理系統及方法。描述包含預熱器的氣體處理系統,其用于處理氣體的流動,使氣體流動到接觸介質(例如,凈化介質、催化劑、吸附劑),且描述相關方法。且描述相關方法。且描述相關方法。
        • 本申請涉及聚(喹啉)膜。概括來說,本公開提供某些膜,所述膜在從液體組合物、特別是在微電子器件行業中使用的液體組合物中除去金屬離子、金屬顆粒和/或有機污染物中用作過濾材料。本公開的所述膜是包含聚(喹啉)聚合物的多孔膜。有利地,所述聚(喹啉...
        • 本發明描述一種用于以一定蝕刻速率,從微電子裝置蝕刻鉬的蝕刻劑組合物及方法。使微電子裝置與蝕刻劑組合物接觸足以至少部分去除所述鉬的時間。所述蝕刻劑組合物包含至少一種氧化劑、至少一種氧化劑穩定劑及至少一種堿且具有7.5到13的pH。所述蝕刻...
        • 本發明描述氟化釔組合物,包括含有氟化釔的沉積膜,例如涂層;制備氟化釔組合物和含有氟化釔的沉積膜涂層的方法;以及具有在表面處含有氟化釔的沉積膜涂層的襯底和包括所述襯底的方法和設備。底的方法和設備。底的方法和設備。
        • 本發明提供可用于在半導體裝置的制造中形成含硅膜的某些硅前驅物化合物,并且更特定來說用于形成所述含硅膜的組合物和方法,所述含硅膜是例如包含硅、氮化硅、氧氮化硅、二氧化硅、碳摻雜的氮化硅或碳摻雜的氧氮化硅膜的膜。膜。
        • 本文提供可用于沉積含硅膜的某些液體硅前驅物,所述含硅膜是例如包含硅、氮化硅、氧氮化硅、二氧化硅、碳化硅、碳摻雜的氮化硅或碳摻雜的氧氮化硅的膜。還提供利用氣相沉積技術形成所述膜的方法。成所述膜的方法。成所述膜的方法。
        • 本發明描述一種用于監測流體的多程池組合件,以及利用所述多程池組合件的流體處理系統及使用此多程池組合件來進行流體監測的相關聯方法。所述多程池組合件通常用于例如監測氣相沉積工藝反應物等流體處理操作中,所述氣相沉積工藝反應物例如用于從羰基鎢前...
        • 本發明描述用于處理有機液體的薄膜蒸餾的方法,可用于薄膜蒸餾方法的疏水性蒸餾薄膜以及制備所述疏水性蒸餾薄膜的方法。以及制備所述疏水性蒸餾薄膜的方法。以及制備所述疏水性蒸餾薄膜的方法。
        • 本申請涉及一種可移除過濾器濾芯、其密封閥及改裝過濾器外殼的方法。所述可移除過濾器濾芯包含容納過濾器的過濾器外殼和耦合到所述過濾器外殼的開放端的密封閥。所述密封閥配置成將所述可移除過濾器濾芯以可移除方式耦合到過濾器頭部。打開位置允許流體流...
        • 本申請案涉及氣體處理設備。描述包含預熱器的氣體處理系統,其用于處理氣體的流動,使氣體流動到接觸介質(例如,凈化介質、催化劑、吸附劑),且描述相關方法。且描述相關方法。且描述相關方法。
        • 描述濾筒及涉及濾筒的過濾設備,所述濾筒包含筒支撐件,所述筒支撐件包含定心表面、螺旋股或兩者。濾筒包括筒遠端及筒近端和筒支撐件。筒支撐件在筒遠端與筒近端之間延伸。筒支撐件包括螺旋股。螺旋股包含沿著螺旋股的螺旋路徑延伸的長度,徑向方向上的厚...
        • 一種氣體儲存和分配容器包含儲存器皿、第一氣體壓力調節器和第二氣體壓力調節器。所述儲存器皿配置成容納加壓氣體。所述氣體儲存和分配容器具有用于排放所述加壓氣體的排放流動路徑。所述第一氣體壓力調節器設置在所述儲存器皿內,并且所述第二氣體壓力調...
        • 本申請涉及一種具有金屬、電介質及氮化物兼容性的抗反射涂層清洗及蝕刻后殘留物去除組成物。特別的,本申請提供了一種從其上具有抗反射涂層ARC材料及/或蝕刻后殘留物的襯底去除所述ARC材料及/或蝕刻后殘留物的液體去除組成物及方法。所述組成物在...
        • 本申請涉及一種抵抗應力引發裂口的形成的襯里,所述襯里包括形成為能夠保持液體的襯里的膜,所述膜包括:對氣體的第一障壁層;對氣體的第二障壁層;至少一個額外材料層,其留有間隙地安置于第一障壁層與第二障壁層之間,其中至少一個額外材料層由選自由茂...
        • 本申請涉及一種半導體襯底載運容器及一種前開式晶片傳送盒。所述半導體襯底載運容器經配置使得半導體襯底可經由相對于前開口定位的后開口從所述容器的內部空間接取及移除或插入到所述內部空間中,所述前開口也準許通過其來移除及插入。經由所述后開口的所...
        • 本申請的實施例涉及多級氣體取樣阱和對含硫物質污染物的檢測。一種氣體取樣阱包含第一級和第二級。所述第一級包含與含硫物質反應以產生酸性氣體的金屬鹽。所述第二級被配置成接收在所述第一級中產生的所述酸性氣體。所述第二級中的吸附襯底吸附所述酸性氣...
        • 本申請涉及多孔聚(環烯烴)膜。本公開提供了某種多孔膜,其包含環狀聚烯烴聚合物,例如聚(降冰片烯)。在一個實施例中,將聚(降冰片烯)聚合物溶解于四氫呋喃中,澆鑄成薄膜且經歷溶劑誘導的相分離以提供多孔過濾膜(即,薄膜)。膜)。膜)。
        • 本實用新型涉及一種過濾器及包括所述過濾器的串聯排氣過濾器裝置。本實用新型提供在一次性串聯輸液系統中有用的經改進的排氣過濾器。在第一方面中,本實用新型提供一種過濾器,其包括:(i)包括含氟聚合物膜的層;及(ii)包括至少兩個透氣性熱塑性聚...
        • 本申請涉及一種靜電放電緩解閥。本公開提供緩解流體回路中的靜電電荷的操作性組件。說明性實施例包含隔膜閥,所述隔膜閥提供流體控制并允許靜電荷在這些隔膜閥接地時耗散。制并允許靜電荷在這些隔膜閥接地時耗散。制并允許靜電荷在這些隔膜閥接地時耗散。