本發(fā)明涉及一種用于傳送光罩的盒，所述盒包含內(nèi)罩蓋及內(nèi)底板。所述內(nèi)底板與所述罩蓋合作以建立用于安裝光罩的空間。所述內(nèi)底板包含具有周邊的孔及從所述周邊向內(nèi)延伸的第一凸緣及第二凸緣。窗組合件安裝于所述孔中。所述窗組合件包含透明板、密封件及保持...

本發(fā)明描述一種用于結(jié)合溫度敏感標(biāo)簽容納例如毒性及危害性氣體的氣體的施配及存儲(chǔ)容器。實(shí)例施配及存儲(chǔ)容器包含在所述容器的內(nèi)部容積內(nèi)的吸附劑及試劑氣體。熱變色標(biāo)簽粘附到所述容器且以視覺(jué)方式將溫度敏感信息傳達(dá)給用戶(hù)。

本實(shí)用新型是針對(duì)一種用于汽化和遞送經(jīng)汽化源材料的汽化器組合件。所述汽化器組合件具有改進(jìn)的汽化器器皿主體和位于其中的支撐托盤(pán)組合件配置，它們一起增加了可汽化材料利用率和均勻性。

本發(fā)明描述過(guò)濾產(chǎn)品及使用過(guò)濾產(chǎn)品的方法，其中所述過(guò)濾產(chǎn)品包括多個(gè)單元，每一單元在使用期間包含單獨(dú)循環(huán)流體化床。

本申請(qǐng)涉及一種用于流體容器的封蓋、液體容納系統(tǒng)及流體儲(chǔ)存成套裝置。所述用于流體容器的封蓋包含封蓋主體，所述封蓋主體包含位于第一末端的基底表面和位于第二末端的開(kāi)口。所述封蓋主體可與所述流體容器接合。所述基底表面包含第一接合結(jié)構(gòu)。所述封蓋包...

本發(fā)明提供一種用于從其上具有化學(xué)機(jī)械研磨CMP后殘余物和污染物的微電子裝置清洗所述殘余物和污染物的清洗組合物和方法。所述組合物在不損害低k介電材料或銅互連材料的情況下實(shí)現(xiàn)從所述微電子裝置的表面高效清洗所述CMP后殘余物和污染物材料。另外...

本發(fā)明提供適用于從微電子裝置中通過(guò)相對(duì)于含硅材料蝕刻含硅?鍺材料而選擇性移除的組合物，所述微電子裝置具有表面上含有這些材料的特征，所述組合物含有氫氟酸、乙酸、過(guò)氧化氫和至少一種額外的酸，所述酸會(huì)改良如通過(guò)蝕刻速率或選擇性中的一或多者所測(cè)...

本申請(qǐng)涉及經(jīng)涂布過(guò)濾膜、過(guò)濾筒、過(guò)濾器和使用與制備所述經(jīng)涂布過(guò)濾膜的方法。描述涂布有聚酰胺的過(guò)濾膜、包含所述過(guò)濾膜的過(guò)濾器和過(guò)濾筒，以及使用和制作所述過(guò)濾膜的方法。

本實(shí)用新型涉及一種化學(xué)品遞送系統(tǒng)。所述化學(xué)品遞送系統(tǒng)包含散裝容器、運(yùn)行/再填充腔室、第一導(dǎo)管及第二導(dǎo)管。所述散裝容器存儲(chǔ)前體。所述運(yùn)行/再填充腔室包含多個(gè)間隔開(kāi)的管，所述多個(gè)間隔開(kāi)的管具有多個(gè)表面，所述多個(gè)表面用于以蒸汽形式接收所述前體...

本申請(qǐng)涉及一種具有超硬磨料增強(qiáng)的化學(xué)機(jī)械平坦化修整器襯墊。該墊修整器包括具有帶紋理或粗糙表面的特征部，具有超硬磨料晶種，例如散布在粗糙表面上的金剛石。涂層，例如多晶金剛石可應(yīng)用于表面和磨料晶種上。在一個(gè)實(shí)施方式中，所述涂層的厚度是較大超...

本發(fā)明涉及一種去除組合物和工藝，其用于從上面具有化學(xué)機(jī)械拋光CMP后污染物和氧化鈰粒子的微電子裝置清潔所述粒子和污染物。所述組合物實(shí)現(xiàn)所述氧化鈰粒子和CMP污染物材料從所述微電子裝置的表面的高度有效去除而不會(huì)損壞低k介電材料、氮化硅或含...

與具有優(yōu)良耐化學(xué)性和結(jié)構(gòu)完整性的涂層相關(guān)的制品和方法可以在介于約150℃與低于300℃之間的低處理溫度下通過(guò)原子層沉積和氟退火制備。所述膜包含含有釔的氟化金屬氧化物。

本發(fā)明涉及一種在使用含鋁蝕刻停止層的半導(dǎo)體的生產(chǎn)中幫助去除蝕刻后殘留物及含鋁材料、例如氧化鋁的清潔組合物。所述組合物相對(duì)于低k介電材料、含鈷材料和微電子裝置上的其它金屬對(duì)蝕刻后殘留物和含鋁材料具有高選擇性。

本實(shí)用新型是針對(duì)一種蒸汽遞送容器組合件。本實(shí)用新型是針對(duì)一種具有汽化器容器主體與定位在其中的至少一個(gè)支撐托盤(pán)之間的改善的熱轉(zhuǎn)移的汽化器或安瓿組合件。具體地說(shuō)，提供了安置于容器主體與支撐托盤(pán)之間的熱轉(zhuǎn)移增強(qiáng)部件。在熱轉(zhuǎn)移增強(qiáng)部件或組合件的...

本申請(qǐng)涉及利用增強(qiáng)源技術(shù)進(jìn)行磷或砷離子植入。本發(fā)明描述使用固體摻雜劑磷及砷源及較高階磷或砷植入源材料的設(shè)備及方法。在各種實(shí)施方案中，在離子源室中提供固體含磷或含砷材料以用于產(chǎn)生二聚物或四聚物植入物質(zhì)。在其它實(shí)施方案中，通過(guò)使用反應(yīng)器來(lái)分...

本發(fā)明涉及一種清潔組合物，其有助于在生產(chǎn)半導(dǎo)體中去除蝕刻后殘留物。提供一種儲(chǔ)備組合物，其包含：氫氧化四烷基銨堿或季銨化三烷基烷醇胺堿；腐蝕抑制劑；和至少兩種或超過(guò)兩種多元酸或其鹽的組合，其中至少一種所述多元酸或其鹽含有磷。

本發(fā)明涉及離子植入工藝及設(shè)備。本發(fā)明涉及一種離子源設(shè)備，其以使得能夠采用低蒸氣壓摻雜劑源材料的方式生成摻雜劑物種。所述離子源設(shè)備(10)包括：離子源腔室(12)；及在所述離子源腔室(12)中或與所述離子源腔室(12)相關(guān)聯(lián)的可消耗結(jié)構(gòu)，...

一種襯底容器的門(mén)包含用于操作至少兩個(gè)閂鎖部件的閂鎖機(jī)構(gòu)。所述襯底容器可為前開(kāi)式襯底容器或底開(kāi)式襯底容器。所述閂鎖機(jī)構(gòu)可包含可旋轉(zhuǎn)凸輪，所述可旋轉(zhuǎn)凸輪具有與第二旋轉(zhuǎn)輪廓異相的第一旋轉(zhuǎn)輪廓使得當(dāng)旋轉(zhuǎn)所述凸輪以操作所述閂鎖機(jī)構(gòu)使其從脫離位置到...

本發(fā)明涉及橋聯(lián)不對(duì)稱(chēng)鹵炔基六羰基二鈷前驅(qū)物及其超高純度形式、制造方法以及在氣相沉積方法中使用這些橋聯(lián)不對(duì)稱(chēng)鹵炔基六羰基二鈷前驅(qū)物的方法。本發(fā)明的一個(gè)方面涉及式Co2(CO)6(R

本發(fā)明涉及基于源試劑的用于批量沉積的高物質(zhì)通量流體的輸送。本發(fā)明公開(kāi)了一種系統(tǒng)、試劑支持盤(pán)、顆粒抑制裝置和方法。一方面，系統(tǒng)包括具有包圍內(nèi)部空間的一個(gè)或多個(gè)內(nèi)壁的汽化器容器和構(gòu)造為在內(nèi)部空間內(nèi)垂直堆疊的多個(gè)試劑支持盤(pán)。將多個(gè)試劑支持盤(pán)中...