本發明涉及一種通過分子粘附來鍵合的方法，所述方法包括以下步驟：將第一板和第二板(202、206)定位在氣密的容器(210)內；將所述容器(210)設置到低于或等于400hPa的第一壓力(P1)；通過引入干氣(214)將所述容器中的所述壓...

本發明涉及一種半導體存儲器件，該半導體存儲器件包括：-用于讀取從存儲器陣列中選定的存儲單元感測到的數據的單端感測放大器(SA)電路，該感測放大器具有用于饋入參考信號(REF)的第一節點(N1)、耦接到位線(BL)的第二節點(N2)以及負...

本發明涉及一種用于制造偽襯底(109)的方法，該方法包括以下步驟：提供單晶錠(101)，提供操作襯底(102)，從單晶錠(101)切取薄切片(105)，以及將薄切片(105)附接至操作襯底(102)，以形成偽襯底(109)。依據本發明，...

本發明涉及一種直接鍵合工藝，該工藝包括以下步驟：將第一晶圓(10)放置在卡盤(2)的表面上，所述表面包括凹槽(4)；在所述凹槽(4)中施加第一壓力，所述第一壓力小于從所述第一晶圓(10)的被暴露面觀察到的第二壓力；使第二晶圓(16)接觸...

本發明涉及一種使至少第一finfet晶體管(1000)和第二finfet晶體管(1000)極化的方法，其中，所述第一finfet晶體管的鰭寬大于所述第二finfet晶體管的鰭寬(W1)，并且所述第一finfet晶體管和所述第二finfe...

該轉印工藝包括以下步驟：(a)提供施主襯底(2)和支撐襯底(3)；(b)在所述施主襯底(2)中形成脆性區(4)；(c)在所述施主襯底(2)的第一部分(1)和所述支撐襯底(3)之間形成所謂的結合層(5)；以及(d)將所述施主襯底(2)組裝...

本發明涉及半導體結構(1000A)，該半導體結構(1000A)包括：第一半導體層(1140)；實現第一反熔絲單元(1000A)的第一編程晶體管(5200)和第一選擇晶體管(1300)，其中，所述第一半導體層作為所述第一編程晶體管的主體(...

一種形成半導體設備的方法，該半導體設備包括集成電路以及與集成電路操作地聯接的微機電系統(MEMS)設備，該方法包括：形成導電通道，該導電通道從基板的第一主表面朝向基板的相反的第二主表面至少部分地延伸穿過基板；以及將集成電路的至少一部分制...

一種制造半導體結構的方法包括：將載體晶圓結合到基板之上；去除所述基板的至少一部分；使激光輻射透射穿過所述載體晶圓而使所述基板和所述載體晶圓之間的結合變弱；以及將所述載體晶圓與所述基板分開。其它方法包括：在基板之上形成電路；在所述基板中形...

本發明涉及用于沉積系統(100)的沉積腔室(102)，其包括含有透明材料的腔室壁(112)。該腔室壁可包括外部測量窗口(122)和內部測量窗口，外部測量窗口(122)由腔室壁的外部主表面延伸出并至少部分由該外部主表面包圍，內部測量窗口由...

用于制造復合結構(200)的方法，所述方法包括將至少一個第一晶片(220)與第二晶片(230)直接結合，并且包括發起結合波的傳播的步驟，其中在發起結合波的傳播之后所述第一晶片(220)和所述第二晶片(230)之間的結合界面具有小于或等于...

本發明涉及一種發光二極管LED器件的集體制造的方法，所述方法包括基本結構(150)的形成，每一個基本結構包括n型層(132)、有源層(133)和p型層(134)，所述方法包括以下步驟：-減少每一個基本LED結構(150)的一部分的橫向尺...

本發明涉及一種制造方法，該制造方法包括以下步驟：在第一基板(10)上形成各自包括至少一個p型層(20)、有源區域(18)和n型層(12)的多個基本LED或光生伏打結構；在所述多個基本結構上形成第一平面金屬層(42)；提供包括第二平面金屬...

本發明涉及一種用于處理絕緣體上半導體型結構的工藝，該絕緣體上半導體型結構依次包括支撐襯底(1)、介電層(2)和具有小于或等于100nm的厚度的半導體層(3)，所述半導體層(3)被犧牲氧化物層(4)覆蓋，其特征在于該工藝包括以下步驟：在分...

一種氣體注入器包括底板、中板和頂板。底板、中板和頂板被構造成使凈化用氣體在底板與中板之間流動，并且使前體氣體在中板與頂板之間流動。另一氣體注入器包括前體氣體進口、側部前體氣體流動通道，以及多個前體氣體流動通道。所述多個前體氣體流動通道從...

遮擋式注入器包括氣體注入口、內側壁和用于引導氣體流過遮擋式注入器的至少兩個隆起部。隆起部中的每個從毗鄰氣體注入口中的孔的位置向著遮擋式注入器的氣體出口延伸并且設置在內側壁之間。沉積系統包括具有發散地延伸的內側壁的底座、氣體注入口、蓋和至...

本發明涉及一種浮體存儲單元(100)，該浮體存儲單元(1000)包括：第一MOS晶體管(1100)和第二MOS晶體管(1200)，其中至少第二MOS晶體管具有浮體(1204)；其特征在于，第一MOS晶體管和第二MOS晶體管被構造成，電荷...

本發明涉及一種用于制造多結太陽能電池裝置的方法，該方法包括以下步驟：設置具有下表面和上表面的第一基板；設置具有下表面和上表面的第二基板；在第一基板的上表面和第二基板的下表面處將第一基板結合到第二基板；以及隨后在第一基板的下表面上形成至少...

本發明涉及一種制造多結太陽能電池裝置的方法，所述方法包括以下步驟：提供第一加工基板；提供第二基板；在所述第一加工基板上形成至少一個第一太陽能電池層，以得到第一晶圓結構；在所述第二基板上形成至少一個第二太陽能電池層，以得到第二晶圓結構；將...

本發明涉及一種寄存器單元，所述寄存器單元包括：一個輸出節點(OUT)；至少兩個電源節點(VP、GND)；第一閃速晶體管(1201)和第二閃速晶體管(1202)；其中所述寄存器單元被構造成，使得隨著所述閃速晶體管中的至少一個中存儲的值的變...