本發(fā)明涉及一種用于制造包括要被通過照射分離的層（215）的復(fù)合結(jié)構(gòu)（225）的方法，所述方法包括包含以下各項(xiàng)的疊層的形成：由在確定的波長下至少部分地是透明的材料形成的支承基板（205）；要被分離的層（215）；以及夾在所述支承基板與要被...

沉積系統(tǒng)（100）包括反應(yīng)室（102）及至少局部布置在所述反應(yīng)室（102）內(nèi)的基板支撐結(jié)構(gòu)（114）。所述系統(tǒng)還包括至少一個(gè)氣體注入裝置（110）及至少一個(gè)真空裝置（113），兩者一起用于使工藝氣體流經(jīng)所述反應(yīng)室（102）。所述系統(tǒng)還包...

一種用于收割電力的余熱收割設(shè)備（1000），包括切換裝置（1200），該切換裝置（1200）配置成在切換裝置（1200）的溫度越過預(yù)定溫度時(shí)將磁場從第一區(qū)域輸送到至少第二區(qū)域。

本發(fā)明涉及含接插件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的制造方法及相關(guān)結(jié)構(gòu)體和器件。本發(fā)明的制造方法包括貫穿可回收基片上的材料層形成導(dǎo)電性通孔。所述材料層上方接合承載基片，然后使所述可回收基片與所述材料層分離，從而回收所述可回收基片。所述材料層和可回收基片之...

本發(fā)明涉及在HPVE法中利用金屬三氯化物前體在生長基體的金屬氮化物模板層上沉積塊狀I(lǐng)II族氮化物半導(dǎo)體材料。塊狀I(lǐng)II族氮化物半導(dǎo)體材料的沉積可在不利用MOCVD法異位形成模板層的情況下進(jìn)行。在一些實(shí)施方式中，在利用HVPE法在模板層上...

本發(fā)明涉及一種用于射頻或電力應(yīng)用的電子器件，該電子器件包括：位于支承基板上用于支承電子元件的半導(dǎo)體層，其中，所述支承基板（1）包括熱導(dǎo)率為至少30W/m?K的底層（12）和厚度為至少5μm的表面層（13、14），所述表面層（13、14）...

將材料沉積在基板上的方法包括由熱化氣體注射器內(nèi)的源氣體形成前體氣體和副產(chǎn)物。副產(chǎn)物可以與液態(tài)試劑反應(yīng)以形成另外的前體氣體，其可由熱化氣體注射器注射至反應(yīng)室中。用于將氣體注入沉積系統(tǒng)的反應(yīng)室中的熱化氣體注射器可以包括入口、熱化導(dǎo)管、被構(gòu)造...

本發(fā)明涉及一種制造絕緣體上硅結(jié)構(gòu)的工藝，所述工藝包括以下步驟：（a）設(shè)置供體襯底（31）和支撐襯底（1），所述襯底中只有一個(gè)被所述氧化物層（2）覆蓋；（b）在所述供體襯底（31）中形成弱區(qū)（32）；（c）等離子體激活所述氧化物層（2）；...

本發(fā)明涉及一種制備襯底(1)的方法，所述方法的目的是通過用光通量(F)照射襯底而使稱為脫離層的層從所述襯底上脫離，所述照射用來對(duì)所述襯底的隱埋區(qū)域加熱并使該區(qū)域中的材料分解，從而使所述脫離層脫離，所述方法的特征在于包括以下步驟：a)制造...

本發(fā)明涉及三維集成半導(dǎo)體系統(tǒng)和形成該三維集成半導(dǎo)體系統(tǒng)的方法。三維集成半導(dǎo)體系統(tǒng)包括與絕緣體上半導(dǎo)體（SeOI）基板上的電流/電壓轉(zhuǎn)換器可操作地耦接的光敏器件。光學(xué)互連被可操作地耦接至光敏器件。半導(dǎo)體器件被接合在SeOI基板上，并且電通...

制造包括位于支撐襯底上的功能化層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝。本發(fā)明涉及一種制造包括位于支撐襯底（3）上的第一功能化層（4）的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（1）的工藝，所述工藝包括以下步驟：（a）在源襯底（2）中注入離子物質(zhì)，所述源襯底（2）包括：所述功能化層（4...

用于直接接合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的改善的接合表面。將第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)直接接合到第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法包括以下步驟：在導(dǎo)電材料對(duì)導(dǎo)電材料直接接合工藝中將第一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)器件結(jié)構(gòu)直接接合到第二半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個(gè)器件結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施方式中，在接合...

本發(fā)明提供了用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法和結(jié)構(gòu)，并且特別地提供了用于形成具有改進(jìn)的平坦度以實(shí)現(xiàn)包括已處理半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和多個(gè)鍵合半導(dǎo)體層的鍵合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法包括：在已處理半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的非平坦表面上方形成介電層，對(duì)...

本發(fā)明提供了一種用于采用暫時(shí)接合制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝。本發(fā)明涉及用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝，其特征在于包括下述步驟：提供（E1）包括晶種基板（1）和覆蓋晶種基板（1）的弱化的犧牲層（2）的操作基板（1，2）；將操作基板（1，2）與載具基板...

本發(fā)明的實(shí)施例涉及制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，并且涉及通過這類方法構(gòu)成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。在一些實(shí)施例中，這些方法可用于制造諸如InGaN的III-V族材料的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。通過使用多組不同的生長條件生長多個(gè)子層來制造半導(dǎo)體層，以提高所得層的均一性，提...

本發(fā)明涉及具有第一太陽能電池堆和第二太陽能電池堆的（電壓匹配多結(jié)）太陽能電池，并且其中第一太陽能電池堆和第二太陽能電池堆彼此并聯(lián)地電連接。

本發(fā)明涉及消除接合至第二晶片（110）的第一晶片（116）的露出表面上存在的材料碎片（118）的方法，該方法包括以下步驟：將所述第一晶片（116）放置在液體溶液中；以及在該溶液中傳播超聲波。本發(fā)明還涉及用于制造多層結(jié)構(gòu)（111）的工藝，...

本發(fā)明的實(shí)施方式包括用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)且尤其用于改善包括經(jīng)處理的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的鍵合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的平整度的方法和結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明公開了一種形成接合半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法及用該方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。形成半導(dǎo)體器件的方法包括：提供基板，該基板包括位于電氣絕緣材料層上的半導(dǎo)體材料層。在半導(dǎo)體材料層的第一側(cè)上形成第一金屬化層。貫穿晶圓互連形成為至少部分地穿過基板。在半導(dǎo)...

一種形成絕緣體上III/V族上鍺結(jié)構(gòu)的方法。本發(fā)明涉及形成絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)的方法，所述絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(10)包括III/V族材料的半導(dǎo)體層(3)，其特征在于，該方法包括以下步驟：(a)在施主基板(1)上生長松弛鍺層(2)；...