本發明提供了高級固體電解質和制造方法。本發明涉及一種制造包含固體電解質層的器件的方法，所述方法特征在于包括：提供包含結晶固體電解質層的主體基板、將所述結晶固體電解質層從主體基板轉移到受體基板。

用于轉移層的處理。本發明涉及一種用于使用臨時襯底(5)將有源層(2)轉移至最終襯底(4)的處理，所述有源層(2)包括具有特定表面形貌的第一側(1)，所述處理包括以下步驟：將所述有源層(2)的所述第一側(1)結合到所述臨時襯底(5)的一側...

半導體結構的制造方法以及相關半導體結構。形成半導體結構的方法包括提供多層襯底，該多層襯底具有覆在位于埋置氧化物層之上的應變主半導體層上的外延基層。使用外延基層內的元素來改變多層襯底的第一區域內的主半導體層中的應變狀態，而不改變多層襯底的...

本發明涉及包含應變狀態不同的晶體管通道的半導體結構體的制造方法及相關的半導體結構體，該制造方法包括在多層基片上的應變半導體層的第二區域中注入離子，以使該應變半導體的第二區域的一部分結晶態半導體材料非晶化，而不使該應變半導體的第一區域非晶...

形成可用于形成微機電系統(MEMS)換能器的包括一個或更多個腔體(106)的半導體結構的方法，涉及：在第一基板(100)中形成一個或更多個腔體；在所述一個或更多個腔體內設置犧牲材料(110)；將第二基板(120)接合到所述第一基板的表面...

本發明涉及一種用于多個光伏電池的制造方法，該制造方法包括以下步驟：獲得相對于彼此以第一距離放置的多個光伏電池(8121-8124)；將伸展材料(1150)附接至所述多個光伏電池；以及使所述伸展材料伸展(S61)，使得所述多個光伏電池相對...

本發明涉及太陽能電池組件結構(222)，所述太陽能電池組件結構用于支撐聚光光伏電池結構(3420)，并且包括半導體結構和二極管，其中，半導體結構包括：第一半導體區(2800)，所述第一半導體區的至少一部分用于放置聚光光伏電池結構；以及第...

光敏器件包括活性區域，該活性區域被設置在第一電極和第二電極之間，并且被配置為吸收輻射并且在電極之間生成電壓。所述活性區域包括活性層，所述活性層包含展現出相對低的帶隙的半導體材料。所述活性層具有前表面以及在所述活性層的相對側的相對更粗糙的...

本發明涉及一種半導體結構體，其包含位于多個InGaN層之間的有源區。所述有源區至少基本由InGaN組成。所述多個InGaN層包含至少一個包含InwGa1-wN的阱層以及臨近所述至少一個阱層的至少一個包含InbGa1-bN的勢壘層。在某些...

本發明涉及一種半導體結構體，其包含位于多個InGaN層之間的有源區。所述有源區至少基本由InGaN組成。所述多個InGaN層包含至少一個包含InwGa1-wN的阱層以及臨近所述至少一個阱層的至少一個包含InbGa1-bN的勢壘層。在某些...

本發明涉及一種半導體結構體，其包含位于多個InGaN層之間的有源區。所述有源區至少基本由InGaN組成。所述多個InGaN層包含至少一個包含InwGa1-wN的阱層以及鄰近所述至少一個阱層的至少一個包含InbGa1-bN的勢壘層。在某些...

本發明涉及一種轉移有用層的方法，具體涉及將有用層(3)轉移到支撐體(4)上的方法，所述方法包括以下主要步驟：-以在脆化面(2)和第一基板(1)的表面之間形成有用層(3)的方式，通過在第一基板(1)中植入輕物質而形成脆化面(2)；-將支撐...

本發明涉及一種用于處理結構的方法，所述結構從其后側到其前側包括載體基板(4)、絕緣層(3)和有用層(2)，有用層(2)具有自由表面(S)，所述結構放置在包含化學物種(6)的大氣中，化學物種(6)能夠與有用層(2)發生化學反應；該處理方法...

本發明涉及一種eDRAM存儲元件，其包括：第一存儲節點(1120，1220)；位線節點(1040)，該位線節點(1040)用于存取存儲在所述存儲節點中的值；以及選擇晶體管(1130，1230)，該選擇晶體管(1130，1230)控制從位...

用以形成半導體設備的方法，該半導體設備包括集成電路以及與集成電路操作地聯接的微機電系統(MEMS)設備。可以將集成電路的至少一部分制造在基板的表面上，并且可以將MEMS設備形成在所述集成電路的所述至少一部分之上。所述MEMS設備可以與所...

本發明涉及一種用于測量多層半導體結構的層的厚度變化的方法，其特征在于，該方法包括：借助圖像獲取系統來獲取所述結構的表面的至少一個圖像，所述圖像是通過從所述結構的表面反射近乎單色光通量而獲得的；對獲取的所述至少一個圖像進行處理，以基于從所...

一種用于制造結構(3)的方法，該結構依次包括支撐基板(2)、介電層(10)、有源層(11)、多晶硅的分離層(20)，該方法包括以下步驟：a)提供施主基板；b)在施主基板中形成脆變區域；c)提供支撐結構(2)；d)在支撐基板(2)上形成分...

一種沉積系統，該沉積系統包括能夠在該沉積系統的腔室中可互換地使用的兩個或更多個氣體噴射器。所述氣體噴射器中的每個均可以被構造成在基板支撐結構上產生一片流動氣體。這些片的流動氣體可以具有不同寬度，從而所述氣體噴射器可以與具有不同直徑的基板...

本發明涉及制造多個絕緣體上半導體結構(200)的方法，該絕緣體是厚度小于50nm的二氧化硅層(202)，每個結構(200)包括放置在二氧化硅層(202)上的半導體層(203)，該制造方法包括對多個結構(200)進行熱處理的步驟，該熱處理...

本發明涉及用于在分離界面處分離由兩個基板形成的結構的設備，該設備包括：支持部(1)；結構保持構件(2)，其安裝在支持部(1)上；工具(3)，其用于分離兩個基板，也安裝在支持部(1)上，裝置(4)，其用于移動分離工具(3)；和/或裝置(5...