本發(fā)明涉及實(shí)現(xiàn)至少部分松弛的應(yīng)變材料的島狀物的方法。具體而言，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。更具體而言，本發(fā)明涉及一種在目標(biāo)襯底上形成至少部分松弛的應(yīng)變材料的島狀物的方法，所述方法包括以下步驟：a)在第一襯底(1110)的側(cè)面上形成(S11...

本發(fā)明公開(kāi)了一種形成III/V族半導(dǎo)體材料的方法及用該方法形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。形成三元III族-氮化物材料的方法包括在腔室內(nèi)在襯底上外延生長(zhǎng)三元III族-氮化物材料。外延生長(zhǎng)包括在腔室內(nèi)提供氣體前體混合物，其包括腔室內(nèi)氮前體分壓與一個(gè)或者...

本發(fā)明涉及一種用于處理絕緣體上半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的工藝，所述工藝包括以下步驟：(i)在薄層(3)的表面上形成掩模(4)，以限定所述薄層的被稱(chēng)作被暴露區(qū)域的區(qū)域(3a)和被所述掩模覆蓋的區(qū)域(3b)；以及(ii)應(yīng)用熱處理，以使得氧化物或氮氧化物...

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于制造半導(dǎo)體器件的多層結(jié)構(gòu)和工藝。本發(fā)明的方法包括：提供絕緣體上硅SOI堆疊，該SOI堆疊包括襯底層、在襯底層上的第一氧化物層和在第一氧化物層(BOX層)上的硅層；形成SOI堆疊的至少一個(gè)第一區(qū)域，其中通過(guò)熱氧化硅層的...

一種用于重復(fù)利用支撐襯底（25）的處理，該支撐襯底（25）的材料對(duì)于至少電磁輻射波長(zhǎng)基本上透明，所述處理包括以下步驟：a）提供初始襯底（10）；b）在所述支撐襯底（25）的具有初始粗糙度的結(jié)合面上形成（S1）中間層（15），所述中間層（...

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體的方法和結(jié)構(gòu)體，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體含有至少一個(gè)接合層(106)以使兩個(gè)以上元件(102、114)彼此連接。所述至少一個(gè)接合層可以至少基本上由鋅、硅和氧構(gòu)成。

本發(fā)明涉及一種用于電子功率組件、光電組件或者光伏組件的制造的異質(zhì)結(jié)構(gòu)(1)，其包括：電阻率小于10-3ohm.cm并且熱導(dǎo)率大于100W.m-1.K-1的支撐基板(10)、接合層(2)、AlxInyGa(1-x-y)N的單晶晶種層(3)...

本發(fā)明涉及一種具有平滑表面的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和用于獲得該結(jié)構(gòu)的處理。用于使半導(dǎo)體晶圓的表面平滑的處理包括通過(guò)利用熔融束掃描所述表面使所述表面熔融，其特征在于，所述處理包括：定義基準(zhǔn)長(zhǎng)度；調(diào)整所述熔融束的參數(shù)，從而在對(duì)所述表面的掃描期間，使所述...

本發(fā)明涉及一種用于在絕緣體上半導(dǎo)體型結(jié)構(gòu)的制造過(guò)程中控制絕緣體上半導(dǎo)體型結(jié)構(gòu)中的應(yīng)力的分布的方法，該結(jié)構(gòu)包括位于支撐基板(1)上的半導(dǎo)體材料的薄層(3)，絕緣層(2，4)存在于支撐基板(1)的前面和后面中的每一個(gè)上，前面上的所述絕緣層(...

本發(fā)明涉及一種為了從基片(1)剝離膜(1’)而使該基片裂開(kāi)的工藝，該工藝包括下列連續(xù)步驟：(i)形成所謂的應(yīng)力產(chǎn)生結(jié)構(gòu)(2)，該應(yīng)力產(chǎn)生結(jié)構(gòu)局部結(jié)合至所述基片(1)的表面，并且設(shè)計(jì)成在熱處理的作用下在平行于所述基片(1)的表面的平面中膨...

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)直接鍵合在一起的方法和鍵合的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的實(shí)施方式包括將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)直接鍵合在一起的方法。在一些實(shí)施方式中，帽層可以設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的直接鍵合的金屬特征部之間的界面處。在一些實(shí)施方式中，雜質(zhì)設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的直接鍵合的金屬...

一種用于制造各個(gè)微電子器件，例如表面聲波器件，的組件和方法使用一個(gè)非導(dǎo)體材料的整體陣列，該陣列帶有多個(gè)隔開(kāi)的延伸到該陣列內(nèi)的空腔，每個(gè)空腔帶有一個(gè)尺寸定成容納一個(gè)要在其中密封的蓋的凹槽。從每個(gè)空腔的內(nèi)部到該陣列的一個(gè)表面設(shè)置導(dǎo)電路徑，以...

一種表面聲波器件，包含單晶ＬｉＴａＯ＃－［３］的壓電襯底和設(shè)置在壓電襯底表面上形成諧振器的電極圖形，電極圖形具有在襯底表面上激勵(lì)的表面聲波的聲波波長(zhǎng)的大約１％至１５％范圍內(nèi)的電極厚度。壓電襯底具有由歐拉角（λ，μ，θ）限定的非對(duì)稱(chēng)取向，...