本發明關注一種制造器件的方法，所述器件包括在有用腔上延伸的膜，所述方法包括：·提供通用結構，所述通用結構包括在主平面中延伸并被布置在支持基底的第一面上的表面層，所述支持基底包括在表面層下方開口的基本腔以及界定各個基本腔的隔離體，所述隔離...

本發明涉及一種用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底(1)，其包括：?硅載體襯底(2)，?布置在所述載體襯底上的電絕緣層(3)，?布置在所述電絕緣層上的單晶層(4)，所述襯底(1)的主要特征在于，其還包括布置在所述載體襯底(2)和所述電絕緣層...

所述方法包括以下步驟：

本發明涉及一種制造用于射頻應用的絕緣體上半導體結構的接收方襯底(30)的方法，方法包括以下步驟：?提供半導體襯底，所述半導體襯底包括由單晶材料制成的基底襯底(1)和設置在所述基底襯底(1)上的由多晶硅制成的電荷俘獲層(2)，?對所述電荷...

本發明提供了高級固體電解質和制造方法。本發明涉及一種制造包含固體電解質層的器件的方法，所述方法特征在于包括：提供包含結晶固體電解質層的主體基板、將所述結晶固體電解質層從主體基板轉移到受體基板。

本發明涉及一種制造CFET器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：形成雙絕緣體上半導體基板，其從基部到其表面依次包括：載體基板(1)、第一電絕緣層(2a)、第一單晶半導體層(2b)、第二電絕緣層(3a)和第二單晶半導體層(3b)；...

本發明涉及一種前側型圖像傳感器，所述前側型圖像傳感器依次包括：半導體支撐襯底(1)；第一電絕緣分隔層(2a)；以及被稱為有源層的單晶半導體層(3a)，所述單晶半導體層(3a)包括光電二極管的矩陣陣列，所述傳感器的特征在于，它在支撐襯底(...

本發明涉及一種應用于射頻電子和微電子領域的襯底(1)，其包括：基礎襯底(3)；位于所述基礎襯底(3)上并與其直接接觸的單一碳層(2)，所述碳層(2)具有嚴格在1nm到5nm范圍的厚度；位于所述碳層(2)上的絕緣體層(4)；位于所述絕緣體...

本發明涉及用于檢測流體中的離子的微傳感器(100)，該微傳感器(100)包括：場效應晶體管(5)，該場效應晶體管(5)具有源極(51)、漏極(52)、在源極(51)與漏極(52)之間的有源區(54)以及被設置在有源區(54)上方的柵極(...

一種用于生產GaAs材料的單晶層的方法，其包括將SrTiO

一種用于生產金剛石或銥材料的單晶層的方法，其包括將SrTiO

一種用于生產PZT材料的結晶層的方法，其包括將SrTiO

層轉移方法包括：提供初始基板的步驟，提供中間基板的步驟，將中間基板與初始基板連接的第一連接步驟，在初始基板連接至中間基板之后將初始基板減薄的步驟，提供最終基板的步驟，將經減薄的初始基板與最終基板連接的第二連接步驟，在第二連接步驟之后將中...

一種用于生產LNO材料的單晶層的方法，其包括將YSZ材料的單晶晶種層轉移到硅材料的載體襯底，隨后外延生長所述LNO材料的單晶層。

一種用于生產AlN材料的單晶層的方法，其包括將SiC?6H材料的單晶晶種層轉移到硅材料的載體襯底，隨后外延生長所述AlN材料的單晶層。

本發明涉及一種用于射頻微電子器件的襯底，該襯底包括由半導體制成的載體襯底，其特征在于，該襯底包括置于載體襯底上并由至少第一電介質和不同于第一電介質的第二電介質的粉末形成的燒結復合層，所述燒結復合層具有大于5微米的厚度和與載體襯底的熱膨脹...

本發明涉及支撐基板及其用途，尤其涉及一種用于異質結構(200、400、400'、500')的支撐基板(210、410、510)，該異質結構(200、400、400'、500')包括覆蓋層(220、420、520)，該覆蓋層(220、42...

本發明涉及一種用于表面聲波器件的混合結構(10)，所述混合結構(10)包括：壓電材料的有用層(1)，該有用層(1)被連結至具有比有用層(1)低的熱膨脹系數的支撐基板(2)；以及中間層(3)，該中間層(3)被布置在有用層(1)與支撐基板(...

本發明涉及一種用于設計包括多個微機械元件的器件的設計方法，每個元件包括柔性膜，且所述元件以確定的拓撲結構平面布置，該設計方法包括限定所確定的拓撲結構的步驟，以使其具有與具有空腔(24)的通用基板(20)相容的特性，該空腔(24)的特性是...

本發明涉及一種可分離結構(100)，所述可分離結構(100)包括載體襯底(10)和在第一界面(1)處位于所述襯底(10)上的硅氧化物層(20)。所述可分離結構(100)的特征在于：所述氧化物層(20)的厚度小于200nm；輕氫和/或氦物...