本發明涉及一種用于制造半導體結構的方法，該方法包括以下步驟：a)提供由半導體材料制成的工作層；b)提供由半導體材料制成的載體襯底；c)在工作層的待接合的自由面上和/或在載體襯底的待接合的自由面上淀積厚度小于50nm的膜，該膜由與工作層和...

本發明涉及一種供體襯底(100)，用于將第一材料制成的單晶薄層(1)轉移到受體襯底(2)上，所述供體襯底(100)具有正面(100a)和背面(100b)，并且包括：

本發明涉及一種制造用于外延生長基于鎵的III

本公開涉及一種復合結構(100)，該復合結構包括：－受體襯底(3)，其具有限定在所述襯底中并且沒有固體材料或填充有犧牲固體材料的至少一個空腔(31)；－置于所述受體襯底(3)上的單晶半導體層(1)，所述層在所述結構的整個范圍上具有自由表...

本發明涉及一種用于生產器件(10)的方法，該器件包括懸于至少一個空腔(11)上方的壓電膜(14)，該方法包括：a)提供支撐襯底(1)，該支撐襯底配備有在該支撐襯底的正面(12)上開口的空腔(11)，所述空腔(11)具有大于30μm的橫向...

本發明涉及一種半導體結構(100)，其包括由單晶半導體材料制成并沿著主平面(x,y)延伸的有用層(10)、由半導體材料制成的支撐基板(30)以及在有用層(10)和支撐基板(30)之間的界面區域(20)，支撐基板平行于主平面(x,y)延伸...

本發明涉及一種制造用于外延生長氮化鎵(GaN)、氮化鋁鎵(AlGaN)或氮化銦鎵(InGaN)層的襯底的方法，所述方法包括以下連續步驟：

本發明涉及一種將薄層(5)轉移到支承襯底(1)上的方法，該方法包括使用制備方法來制備支承襯底(1)，該制備方法包括提供在主面上具有電荷俘獲層(2)的基礎襯底(3)并且在電荷俘獲層(2)上形成厚度大于200nm的介電層(4)。一旦介電層(...

本發明涉及一種制造熱光組件的方法，所述方法包括以下步驟：a)提供SOI基板，該SOI基板包括：

本發明涉及一種由單晶硅制成的載體襯底(10)，載體襯底(10)具有正面(10a)和背面(10b)，并且包括：

本發明涉及一種制備薄層(1)的工藝，該工藝包括以下步驟：弱化步驟(S2)，該弱化步驟用于在供體基板(2)的中央部分(2c)中形成弱化區(3)，該弱化區(3)不延伸到供體基板(2)的外圍部分(2p)中；接合步驟(S3)，該接合步驟將供體基...

本發明涉及一種制造用于射頻應用的絕緣體上半導體襯底的方法，該方法包括以下步驟：

本發明涉及一種用于表面聲波器件的混合結構，所述混合結構包括壓電材料的有用層，有用層具有自由的第一面和被放置在支撐襯底上的第二面，支撐襯底的熱膨脹系數低于有用層的熱膨脹系數，其中，混合結構包括：布置在有用層的第二面上的第二中間層；位于支撐...

一種制造用于射頻器件的壓電結構(10)的方法，所述方法的特征在于包括：提供壓電材料襯底(20)；提供載體襯底(100)；在所述壓電材料襯底(20)上提供介電結合層(1001)；經由所述介電結合層(1001)將所述壓電材料襯底(20)接合...

本發明涉及用于制造絕緣體上半導體(SeOI)集成電路芯片的方法，包括以下步驟：a)提供具有夾在支撐襯底和含半導體的頂層之間的掩埋絕緣層的絕緣體上半導體結構，頂層在整個SeOI結構中具有第一厚度，b)構建多個場效應晶體管(FET)，其中各...

本發明涉及用于制造包括接收襯底和表面膜的堆疊結構的方法，包括以下步驟：a)提供各自具有正面和背面的載體襯底和初始襯底，b)穿過襯底中的任一個的正面注入輕離子，在載體襯底或在初始襯底中形成掩埋弱化平面，c)經由各自正面接合載體襯底和初始襯...

本發明涉及一種制造復合結構的方法，所述復合結構包含在由碳化硅制成的載體襯底上設置的由單晶碳化硅制成的薄層，所述方法包括：a)提供由單晶碳化硅制成的供體襯底的步驟，b)將輕物質離子注入供體襯底中以形成隱埋脆性平面的步驟，所述隱埋脆性平面界...

本發明涉及一種用于制造絕緣體上半導體結構(10)的方法，所述方法包括以下步驟：

本發明涉及一種對基板(1)的薄層(11)的主表面(1a)進行蝕刻的方法，該方法包括：將基板(1)浸入蝕刻槽中，以便將主表面(1a)暴露于蝕刻劑，基板(1)按照如下方式相對于槽(100)定向，以補償薄層(11)的厚度非均勻性：

本發明涉及一種通過分子粘附來接合兩個半導體襯底的方法，所述方法包括：使第一襯底和第二襯底(2)緊密接觸以便形成具有結合界面(4)的組合件的步驟a)；以比第一預定溫度高的第一溫度對結合界面(4)進行反應退火的步驟b)，所述步驟b)在結合界...