本發(fā)明涉及一種用于從可分離結(jié)構(gòu)(100)轉(zhuǎn)移表層的方法，該方法包括以下步驟：a)供應(yīng)可分離結(jié)構(gòu)(100)，該可分離結(jié)構(gòu)(100)包括：·支撐基底(10)；·可分離層(20)，該可分離層(20)沿著主平面(x，y)布置在支撐基底(10)上...

本發(fā)明涉及一種用于制備供體基底的剩余物的方法，已經(jīng)通過在通過離子注入而弱化的平面中分層來從供體基底去除層，該剩余物在主面上包括環(huán)形臺(tái)階，該環(huán)形臺(tái)階對(duì)應(yīng)于供體基底的未去除部分，并且該方法包括：在剩余物的主面上沉積平滑氧化物，以便填充由環(huán)形...

本發(fā)明涉及通過將層從供體基底轉(zhuǎn)移到接受基底上來制造絕緣體上半導(dǎo)體型結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括以下步驟：a)提供供體基底和接受基底，b)在供體基底中形成脆化區(qū)，該脆化區(qū)界定要轉(zhuǎn)移的層，c)在接受基底上接合供體基底，供體基底的關(guān)于要轉(zhuǎn)移的層而與...

本發(fā)明涉及一種在柔性片材(20)上制造膜(12)，特別是單晶膜，的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：?提供供體襯底(10)，?在供體襯底(10)中形成脆化區(qū)(11)以界定膜(12)，?通過沉積在膜(12)的表面上形成柔性片材(20)...

本發(fā)明涉及一種在具有非平坦表面的支撐件(20)上制造膜(12)的方法，其特征在于，該方法包括：?供應(yīng)具有非平坦表面的供體襯底(10)，?在供體襯底(10)中形成脆化區(qū)(11)以界定待轉(zhuǎn)移的所述膜(12)，?在待轉(zhuǎn)移的膜(12)的非平坦表...

在單晶片清潔器中處理SOI襯底的方法。本發(fā)明涉及在單晶片清潔器中處理SOI襯底(1)的方法，所述清潔器包括：用于夾持襯底(1)的系統(tǒng)，該系統(tǒng)能夠進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)；第一噴嘴(10)，所述第一噴嘴(10)用于在襯底(1)的正面(1a)上方以噴霧...

將包含第一材料的薄層(3)轉(zhuǎn)移到包含第二材料的支撐襯底(7)上的方法，第一材料和第二材料具有不同的熱膨脹系數(shù)。轉(zhuǎn)移薄層(3)的方法包括：提供供體襯底(1)，該供體襯底由處置襯底(1b)以及通過第一材料形成的厚層(1a)的組裝件構(gòu)成，處置...

本發(fā)明涉及一種用于使在涂覆有電絕緣層(2,2b)的半導(dǎo)體襯底(1)上形成的射頻電路(L)中傳播的射頻信號(hào)的諧波失真和/或互調(diào)失真最小化的方法，其中，表示所述失真隨著輸入或輸出信號(hào)的功率而變化的曲線在給定功率(P

本發(fā)明涉及一種用于制備支撐件(1)的方法，該方法包括：將襯底(3)放置在沉積系統(tǒng)的腔室中的承托件上，承托件具有不被襯底覆蓋的暴露表面；使包含碳的前體在沉積溫度下流入腔室，以便在襯底的暴露面上形成至少一層(2a、2b)，而同時(shí)在承托件的暴...

公開了一種用于調(diào)節(jié)在室溫下具有第一應(yīng)力狀態(tài)的壓電膜(4)的應(yīng)力狀態(tài)的方法，所述方法包括形成組件(1)的步驟，該組件(1)包括具有熱膨脹系數(shù)的載體(2)、置于該載體上的柔性層(3)以及置于該柔性層上的所述壓電膜(4)，所述壓電膜具有與所述...

本發(fā)明涉及一種用于形成光電器件的生長基板(1)，其包括生長介質(zhì)(2)以及設(shè)置在該生長介質(zhì)(2)上的具有第一晶格參數(shù)的第一組晶體半導(dǎo)體島狀物(3a)以及具有不同于第一晶格參數(shù)的第二晶格參數(shù)的第二組晶體半導(dǎo)體島狀物(3b)。本發(fā)明還涉及一種...

本發(fā)明涉及一種絕緣體上半導(dǎo)體型結(jié)構(gòu)，特別是用于正面型成像器的絕緣體上半導(dǎo)體型結(jié)構(gòu)，該絕緣體上半導(dǎo)體型結(jié)構(gòu)從其背面到其正面依次包括半導(dǎo)體支撐襯底(1)、電絕緣層(2)以及稱為有源層的單晶半導(dǎo)體層(3)，其特征在于，所述有源層(3)由相對(duì)于...

本發(fā)明涉及一種制備晶體半導(dǎo)體層以使該層被提供有特定晶格參數(shù)的方法。所述方法涉及將松弛過程第一次應(yīng)用到第一初始供體襯底(1)上以便獲得第二供體襯底(5)。以第二供體襯底(5)作為初始供體襯底(1)來將該松弛過程重復(fù)使松弛層的晶格參數(shù)被提供...

本發(fā)明涉及一種用于在供體襯底(1)內(nèi)部形成預(yù)定分離區(qū)(19)的工藝，該供體襯底特別地將用在將層轉(zhuǎn)移到載體襯底上的工藝中。此工藝包括注入步驟(17)，該注入步驟(17)被執(zhí)行，使得所述供體襯底(1)的邊緣區(qū)(5)中的注入劑量(25)低于所...

本發(fā)明涉及一種用于射頻應(yīng)用的結(jié)構(gòu)(100)，該結(jié)構(gòu)(100)包括：高電阻率支撐襯底(1)，該襯底的前表面(1a)限定主平面；電荷俘獲層(2)，該電荷俘獲層(2)布置在所述支撐襯底(1)的所述前表面(1a)上；第一介電層(3)，該第一介電...

本發(fā)明涉及一種具有六方晶體結(jié)構(gòu)的第IV族材料(特別是石墨烯)的二維膜的制造方法，所述方法包括：?形成生長襯底(100)，包括將適合所述二維膜生長的單晶金屬膜(1)轉(zhuǎn)移到支持襯底(2)上，和?在所述襯底(100)的金屬膜上外延生長所述二維...

本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的支撐件(1)，所述支撐件(1)包括：基礎(chǔ)襯底(3)；第一二氧化硅絕緣層(2a)，所述第一二氧化硅絕緣層(2a)被設(shè)置在所述基礎(chǔ)襯底(3)上并且厚度大于20nm；以及電荷俘獲層(2)，所述電荷俘獲層(2)具有...

半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法、使用該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的器件。本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體層和金屬層，所述方法包括以下步驟：a)提供包括缺陷和/或位錯(cuò)的半導(dǎo)體層，b)移除在缺陷和/或位錯(cuò)的一個(gè)或多個(gè)位置處的材料，從而...

本發(fā)明涉及一種用于正面型圖像傳感器的襯底，所述襯底依次包括支撐半導(dǎo)體襯底(1)、電絕緣層(2)以及被稱為有源層的半導(dǎo)體層(3)，其特征在于，所述有源層(3)是硅鍺的外延層，所述有源層的鍺含量小于10％。本發(fā)明還涉及制造這種襯底的方法。

本發(fā)明涉及豎爐，該豎爐包括：腔室，該腔室旨在容納裝料柱(3)；新鮮氣體入口通道，該新鮮氣體入口通道被定位在腔室的上端處，裝料柱(3)，該裝料柱包括上部(3b)和用于支承多個(gè)基板的中部(3a)，該豎爐特征在于該豎爐還包括俘獲裝置(100)...