一種半導體結構的形成方法，包括：提供待刻蝕層；提供反應腔，所述反應腔用于在待刻蝕層表面形成硬掩膜結構；在待刻蝕層表面形成硬掩膜結構，所述硬掩膜結構包括至少兩層薄膜層，所述硬掩膜結構的形成過程包括：將待刻蝕層移入反應腔，在待刻蝕層表面形成...

一種缺陷檢測方法、存儲介質及終端，其中方法包括：提供待檢測晶圓，待檢測晶圓包括若干行沿第一方向排布的待檢測芯片；獲取每行待檢測芯片的數量且判斷是否達到檢測數量閾值；獲取每個待檢測芯片的待檢測圖像數據；當任意一行A中的待檢測芯片的數量小于...

一種刻蝕系統及其維護方法、運行方法，系統包括：工藝腔室；渦輪分子泵，適于抽出所述工藝腔室中的氣體分子；鐘擺閥，設置于所述工藝腔室和渦輪分子泵之間，所述鐘擺閥與所述工藝腔室和渦輪分子泵相互連通，且所述鐘擺閥適于控制所述工藝腔室所需的壓力；...

一種半導體結構及其形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成具有第一源極凹槽的第一源極層；在所述第一源極層上形成第一溝道層，形成環繞覆蓋所述第一溝道層內側壁的第一柵介質層，形成覆蓋所述第一柵介質層的第一柵結構層；在所述第一溝道層上依次形...

本發明提供一種半導體結構及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成多層外延層；形成柵極結構，所述柵極結構穿通部分或全部外延層，并與部分或全部外延層相接觸；其中，各層外延層具有各自的摻雜類型和摻雜濃度。采用上述技術方案，...

一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底，襯底內具有若干接觸孔；采用物理氣相沉積工藝，在襯底上形成金屬材料層；采用刻蝕工藝，對金屬材料層進行刻蝕，形成若干金屬連接層，金屬連接層與接觸孔電連接；采用濕法清洗工藝，對金屬連接層表面進行清洗；...

本發明實施例提供一種半導體結構及其形成方法，所述形成方法，包括：提供基底，包括第一區、與所述第一區相連接的第二區；在所述第一區依次形成堆疊的第一源極層、第一溝道層和第一漏極層，以形成第一疊層；在所述第二區依次形成堆疊的第二源極層、第二溝...

本發明提供一種半導體結構及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一外延層結構和第二外延層結構；在所述第一外延層結構和第二外延層結構的交接處，形成柵極結構，所述柵極結構覆蓋所述第一外延層結構和所述第二外延層結構的側壁...

一種供液臂及研磨設備，供液臂適于向研磨墊輸送研磨液，研磨墊適于對晶圓進行研磨，其中，供液臂包括：輸送管，輸送管適于向研磨墊輸送研磨液；調溫件，調溫件包括冷凝管，冷凝管纏繞于輸送管上，冷凝管適于對研磨液進行降溫。冷凝管適于對研磨液進行降溫...

本公開實施例提供一種晶圓升降裝置及刻蝕設備，其中，所述晶圓升降裝置包括：承載晶圓的承載部，所述承載部具有承載面，所述承載面上具有通孔；沿著所述通孔承接并升降所述晶圓的升降組件，其中，所述晶圓被放置于所述承載部；所述升降組件包括在升降所述...

本公開實施例提供了一種過濾裝置，其中，過濾裝置包括：殼體；過濾件，所述過濾件位于所述殼體內，與所述殼體具有間隙；使所述間隙內的介質運動的驅動件。采用上述技術方案，通過設置過濾件，能夠降低進入所述過濾件與殼體之間的間隙內的介質中微粒的尺寸...

一種掩膜板搬運裝置及光刻機。所述裝置包括：掩膜板夾持組件，適于夾持掩膜板；控制組件，與所述掩膜板夾持組件連接，適于控制所述掩膜板夾持組件夾持掩膜板；以及傾斜度感應組件，位于所述掩膜板固定組件及控制組件中至少一個提供的水平面上，適于檢測所...

一種半導體結構的形成方法，包括：形成襯底和位于襯底上的柵極結構，柵極結構包括平坦部和凸起部，凸起部凸出于平坦部的頂部表面；形成位于柵極結構上和柵極結構的側壁的初始側墻材料層；對初始側墻材料層進行刻蝕處理，刻蝕處理具有預設的橫向刻蝕速率，...

本公開實施例提供了一種換熱設備，其中，換熱設備包括：換熱管體，用于輸送換熱介質；第一裝置，所述第一裝置包括：清潔件；驅動管，與所述換熱管體的側壁連通，該連通位置為第一連通位置；儲料斗，位于所述驅動管的上方，所述儲料斗的第一端與所述驅動管...

一種光刻控制方法、控制裝置、光刻系統及存儲介質、電子設備。所述方法包括：利用第一機器學習模型，確定初始光刻參數，并發送至光刻設備，以控制所述光刻設備按照所述初始光刻參數執行當前光刻操作；監測所述光刻設備在執行當前光刻操作過程中光刻過程數...

本申請提供了一種勻膠單元，包括勻膠單元主體，設置有滑軌；晶圓承載模塊，位于勻膠單元主體上，且與滑軌相對設置，晶圓承載模塊用于放置晶圓，且晶圓承載模塊可繞晶圓承載模塊的中心軸旋轉；噴涂臂，一端位于滑軌中，另一端連接噴頭；噴頭上設置有至少一...

一種半導體結構的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括場板區和非場板區；在所述襯底表面形成場氧材料層；在部分所述場氧材料層表面形成光刻膠層，所述光刻膠層位于所述場板區上；以所述光刻膠層為掩膜，采用干法刻蝕工藝刻蝕所述非場板區上的所述場氧...

本公開實施例提供了一種晶圓檢測設備，包括：基座；第一轉動支架，位于所述基座上，且能夠以第一軸線為軸相對所述基座轉動；第二轉動支架，位于所述第一轉動支架上，且能夠以第二軸線為軸相對所述第一轉動支架轉動；第三轉動支架，位于所述第二轉動支架上...

本申請提供了一種光刻膠氣泡消除裝置及光刻系統，其中，裝置，包括：通過連接管路依次連接的光阻瓶、第一儲液罐和吸取裝置，光阻瓶和第一儲液罐用于存儲光刻膠，第一儲液罐具有第一接口、第二接口、第三接口和第四接口，第一接口低于第一儲液罐中的光刻膠...

一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：提供襯底；對所述襯底進行刻蝕處理，在所述襯底內形成深溝槽，進行刻蝕處理的步驟包括：同時通入刻蝕氣體和鈍化氣體。同時通入刻蝕氣體和鈍化氣體進行刻蝕處理，避免了交替通入刻蝕氣體與鈍化氣體導致刻蝕間斷...