一種晶圓缺陷和芯片失效位置的匹配方法及系統(tǒng)，其中匹配方法包括：獲取待檢測(cè)晶圓中晶圓缺陷第一位置坐標(biāo)；獲取各個(gè)待檢測(cè)芯片中芯片失效的第二位置坐標(biāo)；將第二位置坐標(biāo)轉(zhuǎn)換為在晶圓坐標(biāo)系中對(duì)應(yīng)的第三位置坐標(biāo)；遍歷所有晶圓缺陷和所有芯片失效的組合，...

本申請(qǐng)實(shí)施例中提供一種電阻測(cè)試單元及其測(cè)試方法，電阻測(cè)試單元包括：基底；位于基底上的多種電阻測(cè)試結(jié)構(gòu)；導(dǎo)電連接層，橫跨多種電阻測(cè)試結(jié)構(gòu)，一一對(duì)應(yīng)地通過(guò)過(guò)孔與各個(gè)電阻測(cè)試結(jié)構(gòu)連接；各個(gè)電阻測(cè)試結(jié)構(gòu)分別包括：各自的第一半導(dǎo)體層；各自的第一待...

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N濺射設(shè)備，所述濺射設(shè)備，包括：遮擋環(huán)，開(kāi)設(shè)有換氣通道，所述換氣通道為環(huán)形結(jié)構(gòu)，所述換氣通道的側(cè)壁上開(kāi)設(shè)有至少一個(gè)出風(fēng)口；中空支撐柱，所述中空支撐柱上升后，所述中空支撐柱的一端端口與所述換氣通道連通，用于向所述換氣通道輸送...

一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，方法包括：提供襯底，襯底上形成有有源器件；在襯底上形成覆蓋有源器件的層間介質(zhì)層；在有源器件的頂部形成貫穿層間介質(zhì)層的互連接觸孔，且互連接觸孔露出有源器件的頂面；在互連接觸孔的側(cè)壁和底部形成阻擋層；去除互連接觸孔...

一種使用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的電性參數(shù)預(yù)測(cè)方法及相關(guān)設(shè)備，所述使用卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的電性參數(shù)預(yù)測(cè)方法，包括：經(jīng)由所述輸入層獲取所述輸入工藝參數(shù)；經(jīng)由所述中間層提取所述輸入工藝參數(shù)的特征；經(jīng)由所述輸出層輸出針對(duì)所述輸入工藝參數(shù)的電性參數(shù)預(yù)測(cè)結(jié)...

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成溝槽；形成第一金屬阻擋層，所述第一金屬阻擋層保形覆蓋所述溝槽的側(cè)壁和底部表面；形成第一抗反射層，所述第一抗反射層覆蓋所述第一金屬阻擋層，且填充所述溝...

本申請(qǐng)實(shí)施例中提供一種半導(dǎo)體圖形密度優(yōu)化結(jié)構(gòu)以及優(yōu)化方法；半導(dǎo)體圖形密度優(yōu)化結(jié)構(gòu)，包括：多個(gè)優(yōu)化區(qū)域；每個(gè)優(yōu)化區(qū)域包括多個(gè)測(cè)試區(qū)，每個(gè)測(cè)試區(qū)包括優(yōu)化子區(qū)、填充子區(qū)；優(yōu)化子區(qū)包括：半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體器件包括至少一器件有源層和至少一器件柵極...

一種知識(shí)問(wèn)答系統(tǒng)及其知識(shí)問(wèn)答處理方法、裝置、介質(zhì)、電子設(shè)備。所述知識(shí)問(wèn)答系統(tǒng)包括問(wèn)答頁(yè)面、向量數(shù)據(jù)庫(kù)以及關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，所述向量數(shù)據(jù)庫(kù)中僅存儲(chǔ)有知識(shí)問(wèn)答系統(tǒng)支持的所有問(wèn)題對(duì)應(yīng)的向量數(shù)據(jù)，所述關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)中存儲(chǔ)有所述知識(shí)問(wèn)答系統(tǒng)支持的所有問(wèn)題的...

一種刻蝕效果預(yù)測(cè)方法及相關(guān)設(shè)備，所述刻蝕效果預(yù)測(cè)方法包括：獲取輸入刻蝕參數(shù)；采用預(yù)設(shè)的刻蝕效果預(yù)測(cè)模型對(duì)所述輸入刻蝕參數(shù)進(jìn)行刻蝕效果預(yù)測(cè)處理，獲取相應(yīng)的刻蝕效果預(yù)測(cè)結(jié)果。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，有利于提高刻蝕效果預(yù)測(cè)的魯棒性。

一種工藝參數(shù)預(yù)測(cè)方法及相關(guān)設(shè)備，所述工藝參數(shù)預(yù)測(cè)方法，包括：獲取輸入電性參數(shù)；經(jīng)由預(yù)設(shè)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)對(duì)輸入電性參數(shù)進(jìn)行工藝參數(shù)預(yù)測(cè)處理，獲取多種可選工藝類別下的工藝參數(shù)預(yù)測(cè)結(jié)果。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，能夠在考慮工藝偏差的情況下找到工藝...

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種分析與預(yù)測(cè)電遷移風(fēng)險(xiǎn)的軟件工具及方法，其中，所述軟件工具，包括：輸入接口，用于導(dǎo)入集成電路設(shè)計(jì)參數(shù)；所述集成電路設(shè)計(jì)參數(shù)至少包括電路布局、導(dǎo)線材料、電流密度、工作溫度以及應(yīng)力狀態(tài)；電遷移模擬模塊，用于基于預(yù)設(shè)算法，...

本發(fā)明提供一種缺陷檢測(cè)方法、裝置、電子設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品，方法包括：提供晶圓；獲取包含所述晶圓的采樣圖像，所述采樣圖像是在所述晶圓被光線照射時(shí)得到的，且所述采樣圖像包含彩色區(qū)域和灰度區(qū)域，所述彩色區(qū)域?yàn)槿毕菟趨^(qū)域，且不同類型的缺...

一種獲取芯片版圖層映射關(guān)系的方法及系統(tǒng)、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品，方法包括：基于機(jī)器學(xué)習(xí)建立版圖層映射關(guān)系匹配模型，并完成該模型的訓(xùn)練；輸入設(shè)計(jì)規(guī)則文件至所述版圖層映射關(guān)系匹配模型；所述版圖層映射關(guān)系匹配模型對(duì)所述設(shè)計(jì)規(guī)則文件進(jìn)行分類轉(zhuǎn)...

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種加工設(shè)備的調(diào)度模擬方法及裝置、計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)、終端、計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，加工設(shè)備的調(diào)度模擬方法適用于集成電路的加工產(chǎn)線，所述方法包括：確定所述加工設(shè)備的歷史狀態(tài)特征參數(shù)和當(dāng)前狀態(tài)特征參數(shù)；確定所述加工設(shè)備的調(diào)度策略...

本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)處理方法、裝置、電子設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)及程序產(chǎn)品，數(shù)據(jù)處理方法包括：獲取晶圓被電子顯微鏡掃描時(shí)，所述晶圓上的圖案的量測(cè)數(shù)據(jù)；從數(shù)據(jù)庫(kù)中選取與每種類型的量測(cè)數(shù)據(jù)相適配的第一篩選條件，并基于所述第一篩選條件，對(duì)對(duì)應(yīng)類型的量測(cè)數(shù)...

一種套刻誤差控制方法，包括：執(zhí)行第一光刻工藝，將第一掩膜版上的第一圖形轉(zhuǎn)移至襯底結(jié)構(gòu)上，形成若干柵凹槽和若干標(biāo)識(shí)凹槽；在若干柵凹槽內(nèi)、若干標(biāo)識(shí)凹槽內(nèi)形成柵極材料層；采用第一化學(xué)機(jī)械研磨工藝對(duì)柵極材料層進(jìn)行平坦化處理，以柵凹槽內(nèi)的柵極材料...

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種制造執(zhí)行系統(tǒng)和數(shù)據(jù)處理方法，包括：監(jiān)控模塊和人工智能模塊；監(jiān)控模塊，用于監(jiān)控制造執(zhí)行系統(tǒng)的當(dāng)前運(yùn)行數(shù)據(jù)，所述當(dāng)前運(yùn)行數(shù)據(jù)包括在當(dāng)前生產(chǎn)操作下形成的系統(tǒng)狀態(tài)數(shù)據(jù)和操作數(shù)據(jù)；人工智能模塊，用于收集所述監(jiān)控模塊監(jiān)控的當(dāng)前...

一種工藝設(shè)備的預(yù)測(cè)性維護(hù)方法及系統(tǒng)、設(shè)備、存儲(chǔ)介質(zhì)和計(jì)算機(jī)程序產(chǎn)品，方法包括：獲取工藝設(shè)備的實(shí)時(shí)運(yùn)行數(shù)據(jù)；分析運(yùn)行數(shù)據(jù)，預(yù)測(cè)工藝設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)，作為預(yù)測(cè)運(yùn)行狀態(tài)；基于預(yù)測(cè)運(yùn)行狀態(tài)，生成工藝設(shè)備的維護(hù)規(guī)劃。本發(fā)明有利于提高生產(chǎn)效率，降低維...

一種工藝參數(shù)優(yōu)化方法及相關(guān)設(shè)備，所述方法，包括：獲取輸入工藝參數(shù)；經(jīng)由預(yù)設(shè)的深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)對(duì)輸入工藝參數(shù)進(jìn)行預(yù)測(cè)處理，獲取電性參數(shù)預(yù)測(cè)結(jié)果；基于所述電性參數(shù)預(yù)測(cè)結(jié)果，獲取相應(yīng)的器件優(yōu)良度得分；若所述器件優(yōu)良度得分滿足預(yù)設(shè)條件，則將所述...

一種光阻阻擋離子注入能力的檢測(cè)方法，包括：提供基底；在基底上形成檢測(cè)層；在檢測(cè)層上形成光阻層，光阻層的厚度在不同區(qū)域具有差異；對(duì)光阻層進(jìn)行離子注入處理；去除光阻層；對(duì)檢測(cè)層進(jìn)行濕法刻蝕處理；基于檢測(cè)層對(duì)于濕法刻蝕處理的反應(yīng)，判斷光阻層阻...