本申請實施例提供一種半導體結構及其形成方法，方法包括：提供襯底，為第一材質；在襯底內形成隔離溝槽，在隔離溝槽填充第二材質，形成隔離溝槽填充層，在襯底上形成多層硬掩膜層，第一材質與第二材質不同，并且多層硬掩膜層部分層材質為第二材質；刻蝕多...

本發明提供一種半導體結構及其形成方法，方法包括：提供基底，所述基底上具有成對的第一柵極結構；在所述基底上形成電子俘獲層，所述電子俘獲層覆蓋所述第一柵極結構的側壁和頂部；至少去除成對的第一柵極結構之間的部分電子俘獲層，露出所述基底的表面；...

一種半導體結構及其形成方法，結構包括：基底，包括存儲單元區，存儲單元區沿第一方向延伸；分柵結構，位于存儲單元區的基底上，分柵結構包括控制柵結構、以及沿第一方向分別位于控制柵結構兩側的浮柵結構，浮柵結構與控制柵結構的接觸面為多級臺階狀的形...

本發明實施例提供了一種柵極結構形成方法，包括：提供半導體襯底，所述半導體襯底包含第一區域和第二區域；在所述半導體襯底上形成多晶硅層；在氧氣、六氟化硫、四氟化碳的混合氣體氣氛下，對所述多晶硅層進行刻蝕以得到柵極結構，以及在刻蝕過程中得到氣...

本申請實施例提供一種光阻層的測試方法及測試結構，方法包括：提供測試晶圓；在測試晶圓上形成測試膜層，包括厚度不同的測試膜層區域；量測測試膜層區域注入前電阻；在測試膜層上形成光阻層，包括覆蓋測試膜層區域的厚度不同的光阻層區域；在形成光阻層測...

本申請實施例提供了一種半導體結構及形成方法，其中，所述方法，包括：提供基底，所述基底包括襯底和形成在所述襯底上的氧化層；在所述基底上形成多個相互間隔的隔離溝槽，以所述隔離溝槽間的基底為隔離基底；在所述隔離溝槽中形成隔離結構；形成覆蓋所述...

一種晶圓的薄膜刻蝕方法，包括：提供基底；形成位于所述基底上的第一介質層；對所述第一介質層進行改性處理，以在所述第一介質層上形成改性基團；基于所述改性基團發生質子化反應；刻蝕質子化反應后的所述第一介質層。本發明實施例，有利提高制作半導體器...

一種引線鍵合的焊接方法及系統、設備、存儲介質和計算機程序產品，方法包括：收集引線鍵合的焊接參數的實時數據；分析焊接參數的實時數據，獲取當前焊接狀態的預測指標；判斷預測指標是否達標；當預測指標未達標，基于預測指標，結合焊接參數的實時數據，...

本技術提供一種供電電路，與電機耦接，所述供電電路包括：與電源耦接，對所述電源進行整流，形成直流形式的第一電壓的整流電路；耦接于所述整流電路與所述電機之間，對所述第一電壓進行逆變處理，形成交流形式的第二電壓的逆變電路；耦接于所述逆變電路和...

本申請實施例提供了一種爐管設備以及摻雜多晶硅的制備方法，所述爐管設備用于擴散摻雜工藝，包括：爐體，所述爐體內設置有腔體結構，用于放置待處理晶圓，所述腔體結構的內壁沉積有使用擴散摻雜工藝形成摻雜多晶硅所殘留的至少一個殘留層，所述擴散摻雜工...

本申請實施例提供了一種沉積方法及半導體結構，其中，所述方法，應用于具有煙囪式上升進氣方式的TEL機臺，所述TEL機臺包括預設數量的氣體注入通道，包括：提供晶圓；在預設參數下，為所述晶圓沉積預設厚度的硅應用層，所述預設參數包括：沉積壓強為...

一種晶圓洗邊裝置及洗邊方法，其中晶圓洗邊裝置包括：與第一進液管相通的分流器，分流器包括上分流壁、下分流壁、內側壁、以及外側壁，上分流壁呈圓形，下分流壁呈圓環狀，上分流壁和下分流壁之間相對設置，內側壁的上端部與上分流壁相接，且環繞上分流壁...

一種套刻誤差控制方法，包括：執行第一光刻工藝，在芯片區內形成若干初始柵凹槽，在切割道區內形成若干第一標識凹槽；在若干初始柵凹槽和若干標識凹槽內形成屏蔽柵材料層；執行第二光刻工藝，將第二掩膜版上的第二圖形轉移至襯底上，刻蝕初始柵凹槽內的屏...

一種刻蝕機臺腔體清潔方法，包括：提供刻蝕機臺，刻蝕機臺包括刻蝕機主體、以及容納刻蝕機主體的腔體，腔體的內壁附著有刻蝕副產物顆粒；對腔體進行清潔處理，清潔處理包括若干次循環處理，直到內壁的刻蝕副產物顆粒被完全去除干凈，單次循環處理包括：第...

本發明實施例提供了一種降低陰影環偏移幾率的方法，包括：晶圓放置于晶圓載臺后，通過抽氣裝置將反應腔室內的氣壓抽至低壓狀態；上升所述晶圓載臺至抵觸陰影環后，移動所述晶圓載臺和所述陰影環至化學氣相沉積工藝位置，進行化學氣相沉積工藝；所述化學氣...

一種HVAC系統的控制方法、裝置、潔凈室HVAC系統、介質及設備。所述方法包括：實時采集潔凈室內外環境參數值以及HVAC設備運行狀態數據；將所采集的環境參數值，輸入至運行參數預測模型中，得到HVAC系統的控制信息；基于所述HVAC系統的...

一種半導體結構及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；對所述基底進行注入操作，在所述基底內形成摻雜區，其中，對所述基底進行注入操作的步驟包括：對所述基底進行至少2次注入；任意相鄰2次注入之間，在平行所述基底的表面的平面內轉動所述基底。...

一種化學氣相沉積機臺及化學氣相沉積機臺的維護方法，其中化學氣相沉積機臺包括：工藝循環水單元，包括：至少多個管路，不同管路連接不同模塊；接頭組件，所述接頭組件位于所述管路和所對應模塊之間，以實現水路連通，其中，所述接頭組件包括：第一接頭和...

一種濺射方法，包括：提供基板；提供目標靶材；按照目標比例通入多種惰性氣體的混合氣體作為工作氣體，其中，目標比例下混合氣體的平均分子量與目標靶材的分子量之差小于預設值；采用工作氣體轟擊目標靶材進行濺射，在基板上形成目標膜層。本發明有利于提...

本申請實施例中提供一種電阻測試結構及其計算方法，所述電阻測試結構，包括：基底，包括第一區，與所述第一區相連接的第二區；第一區，包括：一待測電阻；第一端子；第二端子；過孔插塞，數量為(2n+2)個，其中，n為大于等于1的自然數；第一區一待...