本發(fā)明公開了一種基于多抽取率的數(shù)字濾波器輸出截斷方法及裝置，數(shù)字濾波器包括CI?C濾波器、補償濾波器以及半帶濾波器，方法包括以下步驟：根據(jù)當前的抽取因子計算CI?C濾波器輸出數(shù)據(jù)的位寬，根據(jù)預先設(shè)定的截取數(shù)據(jù)位寬對CI?C濾波器輸出數(shù)據(jù)...

本發(fā)明涉及半導體元器件檢測領(lǐng)域，公開了一種適用于微小塑封元器件的超聲檢測試驗夾具，包括適配于超聲波檢測儀器載物臺以用于放置在載物臺上的基底板、用于承載塑封元器件的基板以及用于層疊在基板上并擋住塑封元器件的蓋板，所述基底板上形成有沿一縱向...

本發(fā)明公開了一種降低時鐘饋通效應的高線性度柵壓自舉開關(guān)，包括柵壓自舉模塊、電荷泵升壓模塊、MOS采樣開關(guān)和補償電路模塊，所述補償電路模塊用于補償MOS采樣開關(guān)因時鐘饋通效應而產(chǎn)生的誤差。本發(fā)明中，在傳統(tǒng)柵壓自舉開關(guān)的基礎(chǔ)上增加了補償電路...

本發(fā)明公開了一種比較器，包括預放大及輸入單元、尾電流管單元、負載單元、鎖存單元和復位單元；預放大及輸入單元用于接收差分輸入信號并進行比較放大，得到差分放大信號，并在鎖存階段將差分放大信號及尾電流管單元輸出的偏置電流送給鎖存單元；尾電流管...

本發(fā)明屬于ESD設(shè)計架構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種可廣泛用于模擬開關(guān)的簡易高可靠ESD設(shè)計架構(gòu)，包括ESD防護二極管和MOS開關(guān)電路，所述ESD防護二極管包括二極管D22、二極管D23、二極管D24、二極管D25、二極管D26、二極管D27...

本發(fā)明涉及試驗輔助設(shè)備領(lǐng)域，公開了一種用于螺桿安裝的旋轉(zhuǎn)器，包括外層結(jié)構(gòu)以及活動設(shè)置在外層結(jié)構(gòu)內(nèi)的內(nèi)層結(jié)構(gòu)，所述內(nèi)層結(jié)構(gòu)內(nèi)形成有用于供螺桿的一端穿設(shè)于其中并被鎖定的鎖定腔，在所述外層結(jié)構(gòu)和內(nèi)層結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有通過下壓外層結(jié)構(gòu)帶動內(nèi)層結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)...

本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于模擬多路復用器的控制保護電路；該電路包括：譯碼器、多路驅(qū)動控制電路、襯底保護電路和開關(guān)功率管；譯碼器輸出連接多路驅(qū)動控制電路；每個驅(qū)動控制電路均連接對應的襯底保護電路和開關(guān)功率管；每個驅(qū)動控制...

本發(fā)明涉及正電子發(fā)射斷層成像技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多通道高精度PET電路采集系統(tǒng)及其使用方法，系統(tǒng)包括：FPGA控制板，用于根據(jù)從上位機接收的DAC偏壓值來控制偏壓程控輸出電壓值、控制電流程控輸出電壓值和電流值，電壓電流控制精度分別達到...

本發(fā)明公開了一種比較器失調(diào)電壓誤差校正結(jié)構(gòu)，包括短接單元、累加器、計數(shù)器、數(shù)字校正模塊和誤差補償單元，所述數(shù)字校正模塊用于在計數(shù)器的計數(shù)值達到預先設(shè)置的計數(shù)閾值時，根據(jù)累加器的輸出值對輸出的電平值進行調(diào)節(jié)，所述誤差補償單元用于根據(jù)數(shù)字校...

本發(fā)明公開了一種抑制欠壓浪涌的高可靠電源前端電路，包括：第一控制單元，用于當供電電源提供的供電電壓在大于等于設(shè)定的第一電壓閾值時輸出供電信號以為后端電路供電，以及當供電電壓小于第一電壓閾值時斷開供電信號的輸出以停止為后端電路供電；儲能單...

本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計領(lǐng)域，特別涉及一種防潛通反相器電路，包括元件：3個NMOS管MN1～MN3、3個PMOS管MP1～MP3、1個二極管D1、1個電阻R1；本發(fā)明所述反相器電路具備防潛通功能，可以提升整體電路的穩(wěn)定性與安全性，同時可以...

本申請?zhí)峁┮环N修正相位誤差的毫米波有源移相器，該有源移相器包括信號轉(zhuǎn)換模塊、相位修調(diào)模塊、差分信號產(chǎn)生模塊及移相模塊，將射頻信號輸入信號轉(zhuǎn)換模塊生成第一信號和第二信號，通過調(diào)整相位修調(diào)模塊中相位修調(diào)單元的接地方式修正第一信號與第二信號之...

本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域，具體涉及一種高速PWM比較器電路，PWM比較器包括比較器主體和鎖存單元，比較器主體采用三級放大結(jié)構(gòu)，前兩級采用電阻負載的共源極差分對、第三級采用電流鏡作為負載的放大器，鎖存單元直接與比較器主體第三級放大器的輸出端...

本發(fā)明涉及正電子發(fā)射斷層成像技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種PET探測器成像系統(tǒng)及其應用，系統(tǒng)包括屏蔽罩、閃爍晶體LYSO陣列、硅光電倍增管SiPM陣列、PET電路陣列、FPGA主控板、電平轉(zhuǎn)換模塊、Cameralink協(xié)議轉(zhuǎn)換模塊、PC上位機。...

本發(fā)明公開了一種基于熱耦合優(yōu)化的多叉指雙極晶體管結(jié)構(gòu)，包括硅基襯底和外延層；所述外延層的雙極晶體管器件區(qū)中沿其長度方向依次設(shè)置有N個叉指結(jié)構(gòu)；每一所述叉指結(jié)構(gòu)分別包括基區(qū)、發(fā)射區(qū)和深集電極接觸區(qū)，所述基區(qū)設(shè)置在外延層的頂部區(qū)域，所述發(fā)射...

本申請?zhí)岢鲆环N電流鏡型增益自舉運算跨導放大器，包括：輸入電路，其接收差動輸入并提供輸入跨導；電流鏡電路，其用于根據(jù)鏡像比例擴大放大器增益；共源共柵增益自舉電路，其用于提高所述電流源鏡電路的輸出電阻，使得所述放大器增益進一步擴大；尾電流源...

本發(fā)明公開了一種帶埋層結(jié)構(gòu)的射頻低噪聲MOSFET晶體管及制作方法，制作方法包括：在第一有源區(qū)的襯底中注入形成埋層；在第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的交界處形成淺槽隔離區(qū)；在埋層的下方通過注入形成深N阱；在深N阱正上方的四周的襯底中通過注入形成...

本發(fā)明公開了一種可修調(diào)金屬薄膜帽形電阻的阻值計算方法，包括：預先確定可修調(diào)金屬薄膜帽形電阻的尺寸參數(shù)；將所述可修調(diào)金屬薄膜帽形電阻劃分為四個區(qū)域，并分別計算第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域的電阻；根據(jù)預先確定的電阻修正參數(shù)計算第四區(qū)域的電阻...

本發(fā)明公開了一種集成CMOS和自對準硅鍺HBT的方法及結(jié)構(gòu)，方法包括：在硅襯底上形成多個淺槽隔離區(qū)；在CMOS有源區(qū)形成多晶硅柵、柵極氧化硅和輕摻雜區(qū)；在HBT區(qū)打開基區(qū)窗口并形成選擇性離子注入?yún)^(qū)；形成Si?Ge基區(qū)；形成犧牲發(fā)射區(qū)；刻...

本發(fā)明公開了一種OCR智能識別系統(tǒng)及方法，所述系統(tǒng)包括：開關(guān)控制子系統(tǒng)，用于在需要識別產(chǎn)品上的標識字符時發(fā)送觸發(fā)信號給上位機；上位機，用于響應于觸發(fā)信號，發(fā)送光源控制信號給光源子系統(tǒng)，發(fā)送相機控制信號給視覺子系統(tǒng)，以及運行OCR識別程序...