本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，特別涉及一種對(duì)電源不敏感的電流源，包括：參考電流產(chǎn)生電路，所述參考電流產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生電源不敏感的參考電流，采用柵源短接的JFET管、工作在反向擊穿狀態(tài)的齊納二極管；電流鏡電路，所述電流鏡電路與參考電流...

本發(fā)明公開(kāi)了一種穿孔插件高可靠回流焊接方法，該方法包括以下步驟：確定印刷電路板正反面的同軸焊盤(pán)和插件的外形尺寸；根據(jù)所述外形尺寸計(jì)算印刷電路板的通孔與插件之間的理論焊錫量；根據(jù)所述理論焊錫量計(jì)算與所述插件適配的預(yù)制焊環(huán)體積參數(shù)；根據(jù)所述...

本發(fā)明涉及模擬開(kāi)關(guān)芯片領(lǐng)域，特別涉及一種故障保護(hù)開(kāi)關(guān)電路，包括一種鉗位限制結(jié)構(gòu)，所述鉗位限制結(jié)構(gòu)由2個(gè)比較器BufferN與BufferP，二輸入與非門(mén)Nand2_1，二輸入或非門(mén)Nor2_1，三輸入或非門(mén)Nor3_1，4個(gè)NMOS管N...

本發(fā)明涉及一種基于SiP的四通道峰值信號(hào)采集電路，該電路包括：四通道峰值保持模塊和信號(hào)采集模塊，所述四通道峰值保持模塊的輸入為模擬脈沖信號(hào)，經(jīng)過(guò)峰值保持處理后輸出保持后的模擬信號(hào)；將所述保持后的模擬信號(hào)輸入信號(hào)采集模塊，經(jīng)過(guò)模數(shù)轉(zhuǎn)換后輸...

本發(fā)明公開(kāi)了一種集成電路結(jié)構(gòu)及其制作方法，集成電路結(jié)構(gòu)包括具有金屬管帽、電路板和塑料蓋板，所述金屬管帽中填充有灌封膠；所述金屬管帽的開(kāi)口處形成有一圈下沉臺(tái)階，所述塑料蓋板的外側(cè)形成有一圈缺口；所述塑料蓋板設(shè)置有一圈第一金屬化結(jié)構(gòu)；所述第...

本發(fā)明公開(kāi)了一種支持片上訓(xùn)練的氣體識(shí)別裝置，包括：輸入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，用于輸入并存儲(chǔ)待識(shí)別的氣體數(shù)據(jù)或者訓(xùn)練數(shù)據(jù)；氣體識(shí)別處理器，用于在全局控制器的控制下基于訓(xùn)練數(shù)據(jù)及其對(duì)應(yīng)的目標(biāo)輸出值完成片上訓(xùn)練，還用于在全局控制器的控制下對(duì)待識(shí)別的氣體...

本發(fā)明公開(kāi)了一種帶埋層結(jié)構(gòu)的射頻低噪聲MOSFET晶體管，包括襯底，所述襯底的上部設(shè)置有淺槽隔離區(qū)，所述淺槽隔離區(qū)將襯底上劃分為第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；所述第一有源區(qū)的襯底中注入形成有埋層和深N阱；所述埋層位于深N阱的正上方；所述深N阱...

本發(fā)明公開(kāi)了一種低溫漂低功耗帶隙基準(zhǔn)電路，包括帶隙核心電路、電流求和電路、輸出電路和啟動(dòng)電路；所述帶隙核心電路，用于產(chǎn)生正溫度系數(shù)電流和負(fù)溫度系數(shù)電流；所述電流求和電路和輸出電路用于將正溫度系數(shù)電流和負(fù)溫度系數(shù)電流相加，并產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓；...

本發(fā)明公開(kāi)了一種帶光電流補(bǔ)償?shù)膸痘鶞?zhǔn)電路，包括帶隙基準(zhǔn)核和誤差放大器，所述帶隙基準(zhǔn)核包括偏置電流鏡和帶隙基準(zhǔn)對(duì)管；還包括：輸出調(diào)整管，連接所述誤差放大器的輸出端，用于根據(jù)誤差放大器輸出的誤差增益來(lái)調(diào)整輸出電壓；電阻采樣電路，連接所述輸...

本發(fā)明公開(kāi)了一種低相噪的壓控振蕩器，包括：諧振模塊，用于產(chǎn)生壓控振蕩器的差分振蕩信號(hào)并擴(kuò)展振蕩幅值限制，差分振蕩信號(hào)包括負(fù)相振蕩信號(hào)和正相振蕩信號(hào)；自動(dòng)幅值控制模塊，用于檢測(cè)諧振模塊輸出的差分振蕩信號(hào)的幅值的最大值，并與預(yù)設(shè)的參考電壓進(jìn)...

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于感存算一體的多組分氣體預(yù)警系統(tǒng)及其預(yù)警方法，該系統(tǒng)包括以下模塊：傳感器陣列模塊，被配置為利用能夠識(shí)別不同氣體的傳感器陣列，對(duì)電池倉(cāng)內(nèi)不同氣體濃度進(jìn)行測(cè)量；數(shù)據(jù)存儲(chǔ)處理模塊，被配置為將傳感器采集到的氣體數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理...

本發(fā)明公開(kāi)了一種數(shù)據(jù)校準(zhǔn)裝置及方法，所述裝置包括：輸入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，用于輸入并存儲(chǔ)待校準(zhǔn)的數(shù)據(jù)；神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)校準(zhǔn)處理器，用于對(duì)待校準(zhǔn)的數(shù)據(jù)進(jìn)行流水線分層處理并在完成所有數(shù)據(jù)的校準(zhǔn)之后輸出校準(zhǔn)完成信號(hào)；全局控制器，用于當(dāng)檢測(cè)到輸入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器...

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域，涉及一種基于電流復(fù)用的低功耗緊湊型射頻低噪聲放大器，包括：輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、共源單端放大級(jí)、級(jí)間匹配巴倫、共源差分放大級(jí)以及輸出匹配巴倫；輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的輸入端與輸入端IN相連接，輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的輸出端與共源單端放...

本發(fā)明公開(kāi)了一種過(guò)溫保護(hù)電路及具有過(guò)溫保護(hù)功能的功率運(yùn)算放大器，過(guò)溫保護(hù)電路包括溫度檢測(cè)單元、控制模塊和信號(hào)輸出單元，溫度檢測(cè)單元用于根據(jù)環(huán)境溫度輸出對(duì)應(yīng)的溫度感應(yīng)電壓；控制模塊用于在所述溫度感應(yīng)電壓高于第一電壓閾值時(shí)輸出大于第三電壓閾...

本發(fā)明涉及一種用于雙路徑電荷泵鎖相環(huán)的混合失配校準(zhǔn)電荷泵，包括：通過(guò)低通濾波器濾除基準(zhǔn)電流中的高頻噪聲；第一電流復(fù)制支路和第二電流復(fù)制支路復(fù)制過(guò)濾后的基準(zhǔn)電流，并向充電支路和放電支路提供電流參考；充電支路產(chǎn)生充電電流；放電支路產(chǎn)生充電電...

本發(fā)明涉及模擬集成電路領(lǐng)域，特別涉及一種高精度電流反饋運(yùn)算放大器，包括輸入級(jí)電路、有源負(fù)載電路、輸出級(jí)電路，輸入級(jí)電路與有源負(fù)載電路連接，有源負(fù)載電路還與輸出級(jí)電路連接，輸入級(jí)電路包含偏置電路；本申請(qǐng)通過(guò)在運(yùn)算放大器的輸入級(jí)電路中引入電...

本發(fā)明實(shí)施例提供一種采用Class?AB輸出結(jié)構(gòu)的無(wú)輸出電容低壓差線性穩(wěn)壓器。應(yīng)用于CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，該采用Class?AB輸出結(jié)構(gòu)的無(wú)輸出電容低壓差線性穩(wěn)壓器包括：差分再生輸入級(jí)、折疊級(jí)、推挽驅(qū)動(dòng)緩沖級(jí)及功率輸出級(jí)。差分再...

本發(fā)明涉及一種帶反相小增益級(jí)的快速響應(yīng)LDO，包括：偏置模塊、帶隙基準(zhǔn)、控制電壓生成器、翻轉(zhuǎn)電壓跟隨器、反相小增益級(jí)、推挽式中間級(jí)和功率管MP；所述偏置模塊用于為所述控制電壓生成器、反相小增益級(jí)和翻轉(zhuǎn)電壓跟隨器提供偏置電壓；所述帶隙基準(zhǔn)...

本發(fā)明涉及一種片上磁芯功率電感器的制備方法，包括：在晶圓上表面利用光刻和深反應(yīng)離子刻蝕電感器端頭繞組的硅槽和電感器中間繞組的硅槽；依次在電感器端頭繞組硅槽和電感器中間繞組硅槽的槽壁處形成絕緣薄膜層、鈦?zhàn)钃鯇雍豌~籽晶層；并通過(guò)電鍍?cè)陔姼衅?..

本發(fā)明公開(kāi)了一種注入鎖定時(shí)鐘生成裝置，包括：注入脈沖生成器，用于接入?yún)⒖紩r(shí)鐘信號(hào)，并生成對(duì)應(yīng)的注入信號(hào)I?NJ以及互補(bǔ)控制脈沖信號(hào)，其中，所述注入信號(hào)I?NJ與參考時(shí)鐘信號(hào)頻率相同、相位相反且具有可調(diào)延時(shí)，所述互補(bǔ)控制脈沖信號(hào)包括第一控...