本技術公開了一種用于單顆芯片化學鍍的載具。一種用于單顆芯片化學鍍的載具包括用于放置芯片并限制芯片平面移動的保持架、用于限制芯片從保持架下方掉落的下限位件、用于限制芯片從保持架上方掉落的上限位件、用于將上限位件限制的壓板、用于固定下限位件...

本發明提供一種全MOS結構的高溫度穩定性帶隙基準電路。應用于集成電路設計領域，包括：負溫度系數電壓發生電路和正溫度系數電流/電壓發生電路，負溫度系數電壓發生電路和正溫度系數電壓發生電路連接；負溫度系數電壓發生電路包括：第一MOS管、第二...

本發明公開了一種環形振蕩器，包括供電與調諧單元以及環形振蕩單元，所述供電與調諧單元的輸入端接入電源信號，所述供電與調諧單元的調制電源輸出端與所述環形振蕩單元的電源輸入端電連接，所述環形振蕩單元的信號輸出端輸出差分時鐘信號，所述供電與調諧...

本發明涉及電子封裝技術領域，公開了一種電子產品封裝加工方法，包括以下步驟：S1、根據電子產品引腳端的結構數據設計制作焊料片，焊料片包括若干個與引腳端對應且一體連接的焊接部，各所述焊接部上均具有供引腳端穿過的穿孔；S2、依次將焊料片和電路...

本發明公開了一種圖片異常標注方法，包括以下步驟：獲取異常標注指令，其中，所述異常標注指令攜帶有圖片的異常標注區域；基于獲取到的異常標注指令，展示異常信息菜單控件；基于展示的異常信息菜單控件，獲取異常信息調用指令；基于異常信息調用指令調用...

本發明公開了一種圖片快捷標注系統，包括：圖片導入導出模塊，用于獲取導入指令，基于相應的導入指令而導入一張或多張待標注的圖片至圖片編輯窗口中，以使得一張或多張圖片共享編輯窗口的編輯控件，還用于在完成圖片的標注后獲取圖片保存指令，基于所述圖...

本發明公開了一種大功耗航天器件在壽命評估試驗中的殼溫控制方法，包括：根據大功耗航天器件特性及壽命評估試驗時期望的殼溫確定發熱電阻所需的發熱功率；根據所需的發熱功率選擇發熱電阻的類型及參數，并確定阻值；根據發熱功率及阻值確定發熱電阻所需的...

本發明公開了一種塑封元器件超聲檢測用批量化試驗夾具及其使用方法，用于將料盤中的元器件批量轉移并適配安裝于超聲波檢測儀器的載物臺上進行超聲檢測試驗，料盤設有若干間隔布置以用于放置元器件的第一料腔，夾具包括用于與料盤蓋合以實現元器件首次轉移...

本發明涉及高精度超低溫漂恒流源領域，特別涉及一種雙通道超低溫漂恒流源電路，包括：溫漂系數可修調基準源電路、失調補償環路、匹配電阻網絡、達林頓驅動輸出電路、放大器、基準工作點調節電阻；本發明通過構建由不同溫度系數的電阻構成的電阻網絡，通過...

本發明公開了一種三維集成射頻微系統及其制作方法，制作方法包括：將各背面接地芯片的背面電極引出至與其正面電極共面，形成共平面二維結構；所述共平面二維結構中共面的端面為其正面；將多個共平面二維結構和多個TSV陣列通過晶圓重構和再布線形成I?...

本發明公開了一種低閾值電壓GaN功率開關元件驅動電路，包括：負壓單元，用于接入第一電壓信號并將所述第一電壓信號轉換成負電壓信號以滿足GaN功率開關元件關斷時所需的負電壓；降壓單元，用于接入第二電壓信號并將所述第二電壓信號降壓成滿足GaN...

本發明涉及集成電路領域，尤其涉及一種OTP控制電路及其應用、控制方法，電路包括：雙軌電源，包括編程電源開關和讀取電源開關，兩個開關的一端與開關網絡連接，另一端分別與OTP編程電源、OTP讀取電源連接；開關網絡，包括N個并聯設置的OTP存...

本發明公開了一種數字抽取濾波器，包括時鐘分頻模塊、支路抽取模塊、系數相乘模塊和加和延遲模塊。本發明中，通過時鐘分頻模塊將基礎時鐘進行分頻和移相得到多相低頻時鐘后，再通過支路抽取模塊進行交錯采樣，然后進行系數相乘求和過程轉置，可以減少對濾...

本發明涉及電子封裝技術領域，公開了一種封裝芯片超聲波掃描夾具，包括基板，所述基板上形成有由透明材質制成的掃描區域以及圍設在掃描區域邊緣一周上以供超聲波設備對其接觸定位的安裝區域；所述掃描區域上設有多個用于定位不同封裝芯片的定位區域。本發...

本發明公開了一種SPAD光子探測效率仿真建模方法，包括：建立SPAD結構模型；設置入射光源；分別獲取SPAD結構模型耗盡區內不同反向偏置電壓下的量子效率和雪崩擊穿概率，并計算SPAD光子探測效率；對比仿真結果和實驗結果，對SPAD光子探...

本發明涉及集成電路領域，特別涉及一種具有步進輸出的負壓LDO，包括：帶隙基準電路、兩個運算放大器OP1與OP2、5個電阻R1～R5、電阻網絡、1個PMOS管；電阻網絡由串聯的電阻構成，串聯的電阻中，相鄰電阻的公共端設置有輸出端口，將不同...

本發明涉及集成電路領域，尤其涉及一種基于串行輸入的熔絲修調電路，包括時鐘分頻及控制電路，用于接收時鐘信號IN1和輸入信號IN2，產生時鐘信號SCLK和數據信號SDA；生成控制位信號FCTL和選擇位信號S；串并轉換電路，用于接收時鐘信號S...

本發明公開了一種亞納秒傳輸延時的高抗噪電容隔離型電平移位電路,包括：電容隔離單元，用于接入低壓窄脈沖控制信號并將低壓窄脈沖控制信號傳遞至節點P1和節點P2，輸出窄脈沖信號；移位主單元，用于從節點P1和節點P2接入窄脈沖信號，并將窄脈沖信...

本發明涉及集成電路領域，特別涉及一種電平移位電路，包括4個PMOS管P1~P4，2個NMOS管N1、N2，2個電阻R1、R2，1個反相器INV1，2個穩壓二極管Z1、Z2；本發明公開的電平移位電路，可以在高電壓域下進行電平轉換功能，同時...

本發明涉及一種用于高壓開關的控制電路，包括雙MOS高壓開關電路和集成控制電路；所述雙MOS高壓開關電路包括兩級級聯的高壓MOS開關管；所述集成控制電路包括：跨電壓域控制電路、恒流源驅動電路和過壓保護電路；所述跨電壓域控制電路用于將外部控...