本發明提供一種掩模器件及其制備工藝，涉及半導體技術領域。該掩模器件包括自下而上依次堆疊的襯底、光介質層、粘結層和Cr膜層，Cr膜層包括光柵區和阻擋區，光柵區的厚度小于阻擋區的厚度，且光柵區形成有光柵結構；襯底設有供光柵結構向下透光的通光...

本發明提供一種自對準多重圖形的形成方法及半導體器件，該自對準多重圖形的形成方法包括：提供半導體器件，半導體器件包括自下而上依次設置的層疊結構、圖形化的第一芯軸層和圖形化的第一掩膜層；在層疊結構上進行沉積，形成第一側壁層；在第一側壁層的底...

本發明提供了一種晶圓裝卸方法及半導體工藝設備，涉及半導體制造技術領域，為解決晶圓卸載過程中因存在殘余電荷而導致粘片的問題而設計。該晶圓裝卸方法應用于半導體工藝設備，半導體工藝設備包括反應腔室和設置在反應腔室的靜電卡盤和頂針，頂針可升降地...

本發明提供了一種半導體設備的去氣腔室及半導體設備，涉及半導體制造技術領域，為解決去氣腔室對晶片加熱不均勻的問題而設計。該去氣腔室包括腔體以及均設置在腔體內部的上層燈管、下層燈管和承載組件，承載組件用于承載晶片，且承載組件可上下移動地設置...

本發明提供一種自對準多重圖形的形成方法及半導體器件，該形成方法包括：提供半導體器件：半導體器件包括自下而上依次設置的層疊結構、圖形化的第一芯軸層和圖形化的第一掩膜層，其中，圖形化的第一芯軸層的側壁面以及圖形化的第一掩膜層的側壁面和頂表面...

本發明涉及半導體設備技術領域，具體而言，涉及一種分體式靜電卡盤及半導體工藝設備。分體式靜電卡盤包括：電極端子，設有連接吸附電極的引線；真空電極引入器，包括用于連接外部電源的導電電芯；射頻導電組件，包括第一導電件、第二導電件和彈性保持件，...

本發明涉及一種半導體器件的刻蝕后表面處理方法，包括：提供半導體器件：半導體器件具有溝槽；預處理：在惰性氣體和活性氣體氣氛下，去除溝槽內的聚合物，修復溝槽的內壁面的化學鍵缺陷，形成含硅化合物層；等離子體刻蝕處理：在氟基氣體和惰性氣體氣氛下...

本發明涉及半導體加工技術領域，具體涉及一種圖形化方法、半導體器件和半導體工藝設備。所提供的圖形化方法，包括：在襯底上依次形成介質層、硬掩膜層和圖形化的直寫光刻膠層；以圖形化的直寫光刻膠層為掩膜，刻蝕部分硬掩膜層，形成部分圖形化的硬掩膜層...

本發明涉及半導體技術領域，具體涉及一種圓孔陣列圖形的形成方法、半導體結構和半導體工藝設備。所提供的圓孔陣列圖形的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底上形成有第一介質層，以及位于所述第一介質層上的圖形化的形貌修飾層，所述形貌修飾層具有多邊形...

本發明提供了一種半導體器件及其制造方法，涉及半導體技術領域，為解決相關技術在制造CFET時刻蝕深度增加的問題而設計。包括形成第一環柵晶體管；形成與第一源/漏極相連的第一源/漏極接觸部件，形成與第一柵極相連的第一柵極接觸部件；形成第二環柵...

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種半導體工藝方法及半導體器件。其中，方法包括：提供半導體結構，半導體結構包括襯底和位于襯底上方的疊層結構，疊層結構的外側壁覆蓋有第一電介質層，第一電介質層的外側表面具有凹陷；沉積步，在第一電介質...

本發明提供一種晶圓承載裝置、清洗機及清洗干燥方法，晶圓承載裝置包括底座、承載部和氣道，承載部設于底座，具有多個且沿第一方向間隔設置；承載部具有多個沿第二方向間隔設置的齒槽，用于容納并支撐晶圓的邊緣部位；氣道設于底座，具有多個沿第二方向間...

本申請提供了一種門閥和真空設備，涉及半導體加工設備技術領域，以解決門閥的密封圈發生磨損的問題。門閥包括閥芯機構，閥芯機構包括閥芯本體、穩態切換組件和安裝于閥芯本體的雙穩態屈曲密封件，穩態切換組件用于控制雙穩態屈曲密封件在第一穩態和第二穩...

本發明提供了一種使用SIMS測定二元合金膜層組分的方法和檢測裝置，涉及半導體工藝的檢測技術領域，為解決相關技術提供的測定方法不適用鍺濃度在10％～40％之間波動的鍺硅合金的問題而設計。該使用SIMS測定二元合金膜層組分的方法包括：獲得二...

本發明提供一種反應腔室的處理方法，包括：提供反應腔室步：反應腔室的內壁面具有潔凈的耐等離子體腐蝕涂層；第一沉積步：碳基工藝氣體氣氛下，在耐等離子體腐蝕涂層的表面沉積無定形碳層，以填充耐等離子體腐蝕涂層的孔隙直至無定形碳層的上表面高于孔隙...

本發明提供一種半導體工藝腔室的鈍化方法，包括：第一沉積步：硅烷氣體和氮源氣體氣氛下，采用化學氣相沉積工藝，在腔室的內壁面沉積第一氮化硅層；第二沉積步：鹵代硅烷氣體和氮源氣體氣氛下，采用原子層沉積工藝，例如，該原子層沉積工藝可以為等離子體...

本申請提供了一種進氣裝置和半導體加工設備，涉及半導體加工技術領域，以解決進氣基座內的氣體易冷凝的問題。進氣裝置包括進氣基座、加熱帶和系縛物，進氣基座中設有進氣內管路，進氣基座的側表面固定連接加熱帶，加熱帶沿其自身長度方向被系縛物多點約束...

本發明提供一種半導體工藝腔室及設備，涉及半導體技術領域。該半導體工藝腔室包括腔室本體、承載組件、加熱組件和冷卻組件，其中，腔室本體內部具有腔體；承載組件設于腔體內，承載組件配置為：承載基片；加熱組件設于腔體內并圍設于承載組件，加熱組件配...

本發明涉及一種半導體器件的制備方法及半導體器件，其中，半導體器件的制備方法，包括：提供襯底；在襯底上，形成層疊結構，層疊結構包括硅層、第一硅鍺層以及介于二者之間的鍺緩沖層；其中，鍺緩沖層為純鍺層或第二硅鍺層，鍺緩沖層與第一硅鍺層的界面兩...

本發明涉及自對準圖形化工藝技術領域，具體而言，涉及半導體器件特征尺寸的評估方法。該方法包括：將晶圓置于分區卡盤，通過自對準圖形化工藝對晶圓進行處理得到多個空槽；在氧化物刻蝕步中，分區卡盤的任意兩個分區的溫度差大于零，最高溫度高于或等于基...