本發明提供一種半導體工藝方法，涉及半導體制造領域。該方法包括：提供膜層結構；縱向刻蝕第一氧化硅膜層和第二氧化硅膜層，并橫向刻蝕側墻膜層部分厚度，偏置功率為脈沖模式；刻蝕碳膜層，并保留側墻膜層；以側墻膜層為掩膜，刻蝕氮氧化硅膜層。該方法在...

本發明涉及半導體加工技術領域，具體涉及一種半導體工藝腔室、等離子體起輝方法和半導體工藝設備。所提供的半導體工藝腔室，包括：腔體、輔助起輝組件和濺射組件，腔體內具有工藝腔，腔體的側壁設有安裝孔；輔助起輝組件包括管路、閥門和電子發生器，管路...

本發明涉及半導體加工技術領域，具體涉及一種半導體工藝腔室、水平度和/或對中性的檢測方法、半導體加工設備和存儲介質。所提供的半導體工藝腔室，包括：腔體，所述腔體內設有被測物體；多組測距傳感器，設于腔體的內側壁，多組所述測距傳感器沿著腔體的...

本發明提供了一種進氣裝置及半導體工藝設備，涉及半導體設備技術領域，為解決相關技術提供的進氣裝置的進氣孔在加工完成后，孔徑固定，無法實現進氣量的實時調節的問題而設計。該進氣裝置包括進氣腔室、勻氣板和若干氣量調節柱，進氣腔室具有相對且間隔的...

本發明提供一種半導體工藝腔室及薄膜沉積工藝，涉及半導體技術領域。該半導體工藝腔室包括腔室本體、承載組件和遮擋組件，遮擋組件包括驅動結構、第一遮擋環和第二遮擋環，第一遮擋環沿其周向包括多個弧形的遮擋段，驅動結構連接于各遮擋段，配置為：驅動...

本發明涉及半導體器件技術領域，具體而言，涉及一種半導體器件及其制備方法。所提供的半導體器件的制備方法，包括：形成襯底，所述襯底上具有多個相互平行的鰭部，相鄰所述鰭部之間具有淺溝槽；利用可流動化學氣相沉積工藝于所述淺溝槽內形成填充層，所述...

本發明提供了金屬網格的邊框制備方法及半導體器件；其中，在金屬網格的邊框制備方法中，在鎢刻蝕工藝階段中，利用第二工藝氣體對金屬鎢層進行刻蝕，直至形成目標鎢結構；同時將掩膜層刻蝕至目標形貌；不僅實現了鎢側壁較直的形貌，避免了鎢頂部與掩膜層發...

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種孔填充方法及半導體器件。其中，孔填充方法包括：提供含有待填充孔的半導體基底；在所述待填充孔內表面形成鎢成核層；向反應腔通入隔離氣體，以使所述隔離氣體吸附于所述鎢成核層表面；在所述鎢成核層表面繼...

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種半導體器件的制造方法及半導體工藝設備。半導體器件的制造方法包括：提供襯底，襯底具有若干疊層結構，疊層結構包括由內而外設置的半導體溝道層、柵極介電層、第一功函數層和第二功函數層；形成第一填充層，...

本發明提供一種晶圓污染元素的檢測方法，涉及半導體技術領域。該晶圓污染元素的檢測方法包括目標晶圓內部污染元素的檢測：氧化步：將目標晶圓預設厚度的表層氧化為氧化層；釋放步：采用氣溶膠狀態的溶解物質溶解氧化層形成待測液；檢測步：將目標晶圓劃分...

本發明提供了半導體工藝設備控制方法及半導體工藝設備；其中，在半導體工藝設備控制方法中，當沉積工藝腔室閑置時間較長時，通過對沉積工藝腔室進行靶材清理工藝，同時通過去氣工藝腔室對晶圓進行預處理工藝，并在預處理工藝和靶材清理工藝均完成后，通過...

本發明涉及半導體器件技術領域，具體而言，涉及一種半導體結構的刻蝕方法和半導體結構。一種半導體結構的刻蝕方法，包括：提供基底，在所述基底上形成介質層、硬掩膜層和圖形化的光刻結構；以圖形化的光刻結構為掩膜，對硬掩膜層進行刻蝕，形成具有初始圖...

本發明提供了晶圓的前量檢測方法及半導體工藝設備；其中，在晶圓的前量檢測方法中，首先獲取晶圓的特征向量集；然后將所述特征向量集輸入至預先訓練好的預測模型，以使所述預測模型根據所述特征向量集輸出預測信息集；根據所述預測信息集生成所述晶圓的全...

本發明提供了一種阻變存儲器的刻蝕方法，該阻變存儲器的刻蝕方法包括：提供預設基底；其中，預設基底包括自上而下依次排布的有機膜層、介質抗反射層和金屬銥膜層；有機膜層去除步，在刻蝕金屬銥膜層之前，向腔室內通入含氧氣體，以刻蝕去除有機膜層；金屬...

本發明涉及半導體器件的制造技術領域，具體涉及一種半導體器件的刻蝕方法，半導體器件具有層疊結構，層疊結構包括交替設置的溝槽和鰭部；鰭部的頂端、溝槽的側壁面和溝槽的底壁面沉積有金屬氧化物層；刻蝕方法包括以下步驟：第一刻蝕步：在氯基氣體氛圍下...

本發明提供了一種半導體器件的制備方法及半導體器件，該半導體器件的制備方法包括：提供預設基底；其中，預設基底包括有源區、位于有源區上方的柵電極及柵電極兩側的側墻；對柵電極進行回刻蝕，形成凹槽；向凹槽填充可分解犧牲材料形成犧牲層；沉積屏蔽層...

本發明提供了一種背面金屬柵格刻蝕方法，該背面金屬柵格刻蝕方法包括：提供預設基底，將預設基底傳入電感耦合等離子體刻蝕機的反應腔室；其中，預設基底包括自上而下依次排布的有機膜層、介質硬掩膜層和金屬柵格層；介質硬掩膜層刻蝕步，向反應腔室中通入...

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種光刻返工方法及半導體工藝設備。光刻返工方法包括：等離子體灼燒步，向工藝腔室內通入工藝氣體并激發產生等離子體，以使等離子體與工藝腔室內的殘留物質反應；無晶圓清潔步，向工藝腔室內通入工藝氣體并激發...

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種斜面蝕刻方法。斜面蝕刻方法包括：將晶圓背面朝上置于背面清洗機臺的轉盤上；控制轉盤轉動，向晶圓的下方通入N2；其中，轉盤的轉速低于背面清洗工藝條件中的轉盤轉速，N2的流量低于背面清洗工藝條件中的...

本發明提供了一種刻蝕方法及半導體工藝設備，涉及半導體技術領域，為解決金屬硬掩模刻蝕工藝中容易在刻蝕材料層的頂部位置形成“頸縮”現象的問題而設計。該刻蝕方法包括提供半導體器件，半導體器件包括依次層疊設置的刻蝕材料層、金屬硬掩模層、氧化層、...