本發(fā)明提供了一種晶圓清洗方法，該晶圓清洗方法包括：干法清洗步驟，將完成刻蝕工藝后的晶圓傳入反應腔室，向反應腔室中通入預設刻蝕氣體，以刻蝕去除晶圓表面的光刻膠和/或抗反射層的殘留物；其中，預設刻蝕氣體包括含氧氣體；濕法清洗步驟，將完成干法...

本發(fā)明提供了一種晶圓清洗方法，涉及半導體制造技術領域，為解決相關技術采用在單片清洗工藝中增加背面清洗步驟來減少晶圓背面顆粒的方式，存在單片清洗效率較低的問題而設計。該晶圓清洗方法包括晶圓背面裝載至伯努利吸盤；第一清洗階段，晶圓以第一預設...

本發(fā)明涉及半導體退火技術領域，尤其涉及一種氧化膜的退火方法，包括以下階段：應力釋放階段：在惰性氣體氣氛下，以第一升溫速率升溫至第一溫度，并保溫第一時長；結構重組階段：在氧氣和惰性氣體的混合氣體氣氛下，以第二升溫速率從第一溫度升溫至第二溫...

本發(fā)明提供一種半導體器件硬掩膜的制備方法，涉及半導體技術領域。該制備方法包括：提供層疊結構，層疊結構包括自下而上依次層疊設置的磁性隧道結膜層、第一硬掩膜層和第二硬掩膜層，其中，第一硬掩膜層為氮化金屬材料；主刻蝕步，以圖形化的第二硬掩膜層...

本發(fā)明提供一種深硅刻蝕方法及半導體工藝設備，涉及半導體技術領域。該深硅刻蝕方法包括循環(huán)步驟，循環(huán)步驟包括用于在硅襯底刻蝕形成溝槽的刻蝕步、用于去除副產(chǎn)物的去除步和用于在溝槽的側壁形成保護層的氧化步，其中，去除步所采用的工藝氣體包括碳氟類...

本發(fā)明提供一種勻流組件及立式爐，涉及半導體加工技術領域。該勻流組件包括進氣結構和排氣結構，其中，進氣結構具有進氣流道和連通于進氣流道的多個進氣部，多個進氣部沿第一方向間隔排布；排氣結構具有排氣流道和連通于所述排氣流道的多個排氣部，多個所...

本發(fā)明提供了一種半導體工藝方法，涉及半導體加工技術領域，以解決現(xiàn)有對疊層結構刻蝕過程中OX層和W層刻蝕側壁凹凸不平的問題。半導體工藝方法包括主刻蝕步，使用第一工藝氣體對疊層結構進行刻蝕，所述疊層結構由交替設置的OX層和W層形成，所述第一...

本發(fā)明提供了一種鈮基約瑟夫森結刻蝕方法及半導體工藝設備，涉及半導體技術領域，為解決相關技術在刻蝕鈮基約瑟夫森結的上層鈮時，存在刻蝕側壁形貌垂直度差的問題而設計。該鈮基約瑟夫森結刻蝕方法包括提供半導體器件，半導體器件包括依次層疊設置的光阻...

本發(fā)明提供了一種半導體器件及半導體器件的制造方法，涉及半導體技術領域，為解決相關技術中存在的半導體器件漏電風險較大的問題而設計。該半導體器件包括：襯底；絕緣層，設置于襯底；至少一個溝道層，設置于絕緣層，至少一個溝道層在豎直方向間隔設置；...

本發(fā)明涉及半導體加工技術領域，具體而言，涉及一種原子層沉積方法。所提供的原子層沉積方法，包括：在工藝腔室內(nèi)，利用原子層沉積的方式，在基底上形成目標膜層；向所述工藝腔室內(nèi)通入清潔氣體，進行清潔處理；將所述工藝腔室溫度升高至目標溫度，向所述...

本發(fā)明提供一種薄膜沉積方法及半導體工藝設備，涉及半導體技術領域。該薄膜沉積方法包括：沉積步，對基底執(zhí)行預設的等離子體增強化學氣相沉積工藝后，關閉高頻射頻功率，保持開啟低頻射頻功率，并停止通入硅源氣體；修復步，提升低頻射頻功率運行預設時長...

本發(fā)明提供一種疊層結構、半導體器件及其制備工藝，涉及半導體技術領域。該疊層結構包括自下而上交替堆疊的支撐層和犧牲層，支撐層中，位于底部的一者為底支撐層、其余為上支撐層；疊層結構所在區(qū)域包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，第一區(qū)域中上支撐層的總層厚大...

本發(fā)明提供了內(nèi)側墻的刻蝕方法、半導體器件的制備方法及半導體器件；其中，在內(nèi)側墻的刻蝕方法中，包括沉積工藝階段、修整工藝階段和刻蝕工藝階段，沉積工藝階段利用第一工藝氣體，在鰭結構的裸露表面上形成聚合物；其中，裸露表面包括鰭結構的頂部、側壁...

本發(fā)明提供了一種半導體器件的制造方法，涉及半導體技術領域，為解決相關技術提供的GAAFET的制造方法中，用于形成絕緣層的工藝步驟較多，工藝難度較大的問題而設計。該半導體器件的制造方法包括提供第一襯底，于第一襯底的頂部形成疊層結構，疊層結...

本發(fā)明提供了一種半導體器件的刻蝕方法及半導體工藝設備，涉及半導體制造領域，為解決相關技術提供的干法刻蝕工藝在形成高深寬比結構時，存在自上而下均一性變差的問題而設計。該刻蝕方法包括提供半導體器件，半導體器件包括襯底和圖形化的掩膜層；控制半...

本發(fā)明涉及SiOCN薄膜制備技術領域，具體而言，涉及一種SiOCN薄膜的制備方法及半導體工藝設備。其中，SiOCN薄膜的制備方法包括調(diào)整工藝溫度至目標溫度值，調(diào)整工藝壓力至目標壓力值；向工藝腔室內(nèi)通入工藝氣體，進行沉積，以得到SiOCN...

本發(fā)明提供了一種半導體器件刻蝕方法，該半導體器件刻蝕方法包括：提供預設基底；其中，預設基底包括導體層；導體層刻蝕步，向反應腔室內(nèi)通入含氯氣體作為刻蝕氣體，以導體層的上一膜層為掩膜對導體層進行刻蝕，直至顯露出下一膜層；滅輝步，控制上電極功...

本發(fā)明提供了一種降低腔體銅原子含量的方法，涉及半導體工藝技術領域，為解決相關技術提供的控制銅污染的方法存在成本較高及占用較多人力和時間的問題而設計。該降低腔體銅原子含量的方法包括：將腔體升溫至預設溫度；向腔體通入含氧氣體，利用含氧氣體與...

本發(fā)明提供了一種刻蝕液，其包括：刻蝕劑、氧化劑和有機溶劑；其中，所述有機溶劑為表面張力小于40?mN/m、pH在5~9的范圍內(nèi)并且與Si和SiGe不發(fā)生化學反應的醇和/或酮，所述氧化劑用于與SiGe發(fā)生氧化反應；所述刻蝕劑用于對氧化后的...

本發(fā)明提供了一種TMAH溶液脫氧裝置和TMAH溶液脫氧方法，涉及半導體工藝技術領域，以解決TMAH溶液中氧氣含量高的問題。TMAH溶液脫氧裝置，包括腔室，腔室具有膜組件以及間隔設置的進液口、出液口和排氣口；膜組件位于腔室以內(nèi)并包括疏水性...