本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種生長鍺硅外延薄膜的方法及半導體工藝設備。生長鍺硅外延薄膜的方法包括：第一沉積步，在硅基底上沉積鍺過渡層；擴散步，提升工藝溫度，以使鍺過渡層與硅基底相互擴散，形成鍺硅過渡層；第二沉積步，在鍺硅過...

本發明提供了一種III?V族化合物材料生長方法，獲取襯底，對襯底進行預處理；對處理過的襯底進行V族浸潤，并在進行過V族浸潤的襯底上表面生成III?V族化合物的形核層；其中，形核層和襯底上表面之間形成有界面失配位錯陣列；在形核層上依次生成...

本發明涉及一種半導體器件的刻蝕方法及半導體器件，半導體器件具有層疊結構，包括由下至上依次設置的下電極層、阻變層、上電極層、有機介質層和掩膜層；刻蝕方法包括：刻蝕有機介質層，直至露出上電極層，形成圖形化的有機介質層；依次刻蝕上電極層和阻變...

本發明提供一種半導體工藝方法，涉及半導體領域。該工藝方法包括：提供疊層結構，疊層結構自下而上依次包括：襯底、第一氧化硅層、氮化硅層和掩膜層；主刻蝕步，以圖案化的掩膜層為掩膜，刻蝕氮化硅層；過刻蝕步，刻蝕主刻蝕步所剩余的氮化硅層，直至裸露...

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種摻雜多晶硅的刻蝕方法、半導體器件及其形成方法和半導體工藝設備。所提供的摻雜多晶硅的刻蝕方法，包括：預刻蝕步，采用第一工藝氣體對摻雜多晶硅表面上的自然氧化層進行刻蝕，以去除所述自然氧化層；主刻蝕步，采...

本發明涉及一種半導體器件的刻蝕方法，半導體器件包括從下至上依次設置的層疊結構、底部抗反射層和掩膜層；刻蝕方法包括以下步驟：提供第一刻蝕氣體，第一刻蝕氣體包括主刻蝕氣體和保護氣體，確定主刻蝕氣體和保護氣體的氣體比例；第一刻蝕步：在第一刻蝕...

本發明提供了一種立式爐的吹掃清潔方法，涉及半導體制造技術領域，為解決相關技術提供的采用吹掃氣體去除爐體內部膜層的工藝中，存在邊緣部位吹掃清潔效果不佳的問題而設計。該立式爐的吹掃清潔方法包括提供立式爐的工藝腔，工藝腔的內部積累有待去除的薄...

本發明提供了一種刻蝕方法及半導體工藝設備，涉及半導體技術領域，為解決采用相關技術提供的刻蝕方法以形成網格的過程中，存在金屬材料層頂部橫推嚴重的情形，致使金屬材料層無法與上層的掩膜層平滑過渡的問題。該刻蝕方法包括提供半導體器件，半導體器件...

本發明提供了一種半導體工藝方法，涉及半導體制造工藝技術領域，以解決提高對溝槽內鰭部的刻蝕深度和維持溝槽側壁的保護層之間存在矛盾的問題。半導體工藝方法包括：提供具有溝槽的膜層結構；第一刻蝕步，在第一工藝氣體氛圍中刻蝕鰭部的頂面所覆蓋的第一...

本發明提供了一種金屬硬掩膜層的刻蝕方法，該方法包括：提供預設基底；其中，預設基底包括自上向下依次形成的圖案化后的光阻層、抗反射層和金屬硬掩膜層，抗反射層包括有機抗反射層；重融步驟，向腔室中通入含氬氣體刻蝕光阻層使光阻層進行重融；修復步驟...

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種生長鍺硅疊層外延薄膜的方法及半導體工藝設備。生長鍺硅疊層外延薄膜的方法包括：第一器件沉積步，沉積第一器件；隔離層沉積步，在第一器件的頂部依次沉積第一隔離鍺硅層、單晶鍺層和第二隔離鍺硅層，形成隔...

本發明提供了一種刻蝕方法及半導體工藝設備，涉及半導體技術領域，為解決金屬硬掩膜層刻蝕后，因光刻中出現套刻誤差而需要進行返工處理，在返工處理過程中使薄弱點區域關鍵尺寸迅速減少，導致良率降低的問題而設計。該刻蝕方法包括提供半導體器件，半導體...

本發明提供了一種電阻隨機存儲器的刻蝕方法，該電阻隨機存儲器的刻蝕方法包括：提供預設基底；其中，預設基底包括硬掩膜層和銥金屬層，硬掩膜層位于銥金屬層上方；銥金屬層刻蝕步，向腔室中通入第一刻蝕氣體，以硬掩膜層為掩膜對銥金屬層進行刻蝕，直至顯...

本發明提供了一種半導體器件的刻蝕方法，該方法包括：提供預設基底；預設基底包括溝道層和犧牲層形成的多個疊層結構，以及疊層結構之間形成的溝槽；擴散層刻蝕步，向腔室中通入第一刻蝕氣體對疊層結構的兩側進行刻蝕，以刻蝕去除犧牲層中的Ge成分向溝道...

本發明提供了一種硅氧碳氮側墻的鍺硅外延生長方法及半導體器件，涉及半導體制造技術領域，為解決在硅氧碳氮側墻生長隔離保護層成本較高的問題而設計。該方法包括：提供基底結構，基底結構包括襯底、形成于襯底的柵極結構以及形成于柵極結構兩側的硅氧碳氮...

本發明涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種半導體器件的制備方法，半導體器件包括襯底，襯底具有若干溝槽，相鄰的溝槽之間的襯底形成鰭部，鰭部的上端具有掩膜層；制備方法包括以下步驟：第一沉積步：在溝槽內沉積第一介質層，第一介質層的厚度小于溝槽...

本發明提供了一種疊層硅溝道的預清洗方法，涉及半導體加工工藝技術領域，以解決疊層硅溝道的氧化層清洗不均勻的問題。疊層硅溝道的預清洗方法包括準備步和預清洗步；準備步中，預清洗腔室的壓力為第一壓力；預清洗步中，利用預清洗氣體清洗疊層硅溝道的氧...

本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種淺溝槽隔離結構及其工藝方法。淺溝槽隔離結構包括溝槽和填充結構；溝槽的底部具有豎直側壁，溝槽的頂部為梯形開口，梯形開口由外而內逐漸擴大，且梯形開口的傾斜側壁與豎直側壁相交；填充結構填充于溝槽。淺...

本發明提供一種深硅刻蝕方法及半導體工藝設備，涉及半導體技術領域。該深硅刻蝕方法包括第一循環步驟和第二循環步驟，第一循環步驟和第二循環步驟均包括用于在硅襯底刻蝕形成溝槽的刻蝕步、用于去除副產物的去除步和用于在溝槽的側壁形成保護層的沉積步，...

本發明涉及晶圓干燥技術領域，具體而言，涉及一種晶圓干燥方法及半導體工藝設備。晶圓干燥方法包括：初始設置步，將干燥槽體及其相鄰槽體內均設置為上送下排的正壓風場，并將干燥槽體內的風速設置為大于相鄰槽體內的風速；晶圓水洗步，將晶圓放入干燥槽體...